AECQ200测试条件

1、AEC-Q200試驗條件：說明：AEC-Q200的環境試驗條件，主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規範來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同，高溫儲存屬於不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環與溫度衝擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率，溫衝擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗試驗條件注意事項：1000h試驗過程需在 250h、500h進行間隔量測高溫儲存(MIL-STD-202-108):適用設備：THS薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻

2、、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85C/1000h電感、變壓器、電阻：125C /1000h變阻器：150C /1000h鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h高溫工作壽命(MIL-STD-202-108):適用設備：THS網路低通濾波器、網路電阻：85 C /1000hEMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85C/1000h/施加額定IL鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓鋁電解電容、電感、變壓器：105C /1000h薄膜電容：1000h/(85 C /125%額定電壓、105C & 125C /100%

3、額定電壓)自恢復保險絲：125C /1000h電阻、熱敏電阻、可變電容：125C /1000h/額定電壓可變電阻：125C /1000h/額定功率變阻器：125C /1000h/額定電壓 85% +ma電流陶瓷共鳴器：85C/1000h/額定VDD+1M，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容石英震盪器：125C/1000h/額定VDD+1M，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容溫度循環(JEDEC22A-104):適用設備：TSR、ESS薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55C (30min) 85C (30min)

4、/RAMP(15C /min)/1000cycles鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻：-55C(30min) 125C(30min)/RAMP(15 C/min)/1000cycles鋁電解電容：-40C (30min) 105C (30min)/RAMP(15 C/min)/1000cycles電感、變壓器、變阻器、石英震盪器、自恢復保險絲：-40C (30min) 125C (30min)/RAMP(15C /min)/1000cycles網路低通濾波器、網路電阻：-55C (30min) 125C (30min)/RAMP(15 C/min)/1000cyclesTime (minute

5、s)溫度衝擊(MIL-STD-202-107):適用設備：TC、TSK自恢復保險絲：-40C (15min) 125C (15min)/300cycles偏高濕度(MIL-STD-202-103):適用設備：THS鉭電容、陶瓷電容：85C/85%R.H./1000h/電壓1.31.5V電感&變壓器：85C/85%R.H./1000h/ 不通電鋁電解電容：85C/85%R.H./1000h/額定電壓EMI干擾抑制器、 EMI干擾過濾器：85C/85%R.H./1000h/額定電壓&電流電阻、熱敏電阻：85C/85%R.H./1000h/工作電源10%自恢復保險絲：85C/85%R.H./1000h/ 額定電流 10%可變電容、可變電阻：85C/85%R.H./1000h/額定功率10%網路低通濾波器 &網路電阻：85C/85%R.H./1000h/電壓網路電容(額定電壓)、網路電阻(10%額定功率)變阻器：85C/85%R.H./1000h/額定電壓85% +ma電流石英震盪器、陶瓷共鳴器：85C/85%R.H./1000h/額定VDD+1M，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容薄膜電容：40C/93%R.H./1000h/額定電壓do;- I sun OH J 3MU沱 21 t Ot “ et L 9t fitn G