长沙功率半导体模块项目可行性研究报告

1、泓域咨询 MACRO/长沙功率半导体模块项目可行性研究报告长沙功率半导体模块项目可行性研究报告xxx有限责任公司目录第一章 绪论第二章 项目投资主体概况第三章 背景、必要性分析第四章 市场分析第五章 产品方案分析第六章 选址可行性分析第七章 建筑物技术方案第八章 原辅材料分析第九章 工艺技术及设备选型第十章 环保分析第十一章 劳动安全第十二章 项目节能分析第十三章 组织机构管理第十四章 建设进度分析第十五章 投资计划第十六章 经济效益及财务分析第十七章 招标及投资方案第十八章 风险防范第十九章 项目总结第二十章 补充表格 附表1：主要经济指标一览表附表2：建设投资估算一览表附表3：建设期利息估

2、算表附表4：流动资金估算表附表5：总投资估算表附表6：项目总投资计划与资金筹措一览表附表7：营业收入、税金及附加和增值税估算表附表8：综合总成本费用估算表附表9：利润及利润分配表附表10：项目投资现金流量表附表11：借款还本付息计划表报告说明伴随现代信息技术产业的快速发展，集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心，已成为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业，在推动国家经济发展、社会进步、提高人们生活水平以及保障国家安全等方面发挥着广泛而重要的作用，是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志之一。随着国内经济不断发展以及国家对集成电路行业的大力

3、支持，我国集成电路产业快速发展，产业规模迅速扩大，技术水平显著提升，有力推动了国家信息化建设。根据谨慎财务估算，项目总投资10421.39万元，其中：建设投资8186.23万元，占项目总投资的78.55%；建设期利息119.63万元，占项目总投资的1.15%；流动资金2115.53万元，占项目总投资的20.30%。项目正常运营每年营业收入22500.00万元，综合总成本费用17522.02万元，净利润3644.10万元，财务内部收益率27.87%，财务净现值8427.05万元，全部投资回收期4.97年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。IGBT模块制造是指根据特

4、定的电路设计，将两个或以上的IGBT芯片和快恢复二极管芯片贴片到DBC板上，并用金属线键合连接，然后进行灌封，以满足芯片、线路之间的绝缘、防潮、抗干扰等要求，最后将电路密封在绝缘外壳内，并与散热底板绝缘的工艺。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 绪论一、项目名称及项目单位项目名称：长沙功率半导体模块

5、项目项目单位：xxx有限责任公司二、项目建设地点本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约22.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、可行性研究范围1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。四、编制依据和技术原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要；2、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；3、工业可行性研究编制手册；4、现代财务会计；5、工业投资项目评价与决策；

6、6、国家及地方有关政策、法规、规划；7、项目建设地总体规划及控制性详规；8、项目建设单位提供的有关材料及相关数据；9、国家公布的相关设备及施工标准。（二）技术原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“

7、工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。五、建设背景、规模（一）项目背景IGBT核心技术为IGBT芯片、快恢复

8、二极管芯片的设计和生产以及IGBT模块的设计、制造和测试。芯片设计、生产和模块设计、制造和测试均为IGBT模块的核心生产工序。总体来看，“十三五”时期是贯彻落实国家“四个全面”战略的重要时期，是长沙转型创新发展的关键时期，也是率先建成全面小康的决战时期，既面临重大机遇，也面临诸多挑战。我们必须立足市情，顺势而为，引领新常态，培育新动力，厚植新优势，推动长沙实现新一轮较快发展。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积14667.00（折合约22.00亩），预计场区规划总建筑面积24581.47。其中：生产工程15409.52，仓储工程3536.97，行政办公及生活服务设施3241.33，公共工程

9、2393.65。项目建成后，形成年产9000万片功率半导体模块的生产能力。六、项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、环境影响本项目将严格按照“三同时”即三废治理与生产装置同时设计、同时施工、同时建成使用的原则，贯彻执行国家和地方有关环境保护的法规和标准。积极采用先进而成熟的工艺设备，最大限度利用资源，尽可能将三废消除在工艺内部，项目单位及时对生产过程中的噪音、废水、固体废弃物等都要经过处理，避免造成环境污染，确保该项目的建设与实施过程完全

10、符合国家环境保护规范标准。八、建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资10421.39万元，其中：建设投资8186.23万元，占项目总投资的78.55%；建设期利息119.63万元，占项目总投资的1.15%；流动资金2115.53万元，占项目总投资的20.30%。（二）建设投资构成本期项目建设投资8186.23万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用7100.91万元，工程建设其他费用889.98万元，预备费195.34万元。九、项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营

11、业收入22500.00万元，综合总成本费用17522.02万元，纳税总额2327.05万元，净利润3644.10万元，财务内部收益率27.87%，财务净现值8427.05万元，全部投资回收期4.97年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积14667.00约22.00亩1.1总建筑面积24581.47容积率1.681.2基底面积9386.88建筑系数64.00%1.3投资强度万元/亩353.452总投资万元10421.392.1建设投资万元8工程费用万元7100.912.1.2工程建设其他费用万元889.982.1.3预备费万元195.

12、342.2建设期利息万元119.632.3流动资金万元2115.533资金筹措万元10421.393.1自筹资金万元5538.603.2银行贷款万元4882.794营业收入万元22500.00正常运营年份5总成本费用万元17522.026利润总额万元4858.807净利润万元3644.108所得税万元1214.709增值税万元993.1710税金及附加万元119.1811纳税总额万元2327.0512工业增加值万元7865.9513盈亏平衡点万元7550.17产值14回收期年4.97含建设期12个月15财务内部收益率27.87%所得税后16财务净现值万元8427.05所得税后十、主要结论及建议

13、由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。第二章 项目投资主体概况一、公司基本信息1、公司名称：xxx有限责任公司2、法定代表人：郝xx3、注册资本：720万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2010-7-177、营业期限：2010-7-17至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事功率半导体模块相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准

14、的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、公司简介公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 三、公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化

15、、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续创新能力。在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较早通过ISO9001质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及客户需要通过了产品认证，表明公司产品不仅满足国内高端客户的要求

16、，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。（四）营销网络及服务优势根据公司产品服务的特点、客户分布的地域特点，公

17、司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。公司拥有一支行业经验丰富的销售团队，在各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行业和区域市场，带动经销商共同成长。四、公司主要财务数据公司合并

18、资产负债表主要数据项目2020年12月31日2019年12月31日2018年12月31日2017年12月31日资产总额3277.662622.132458.242327.14负债总额985.75788.60739.31699.88股东权益合计2291.911833.531718.931627.26公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度2017年度营业收入11747.559398.048810.668340.76营业利润1814.911451.931361.181288.59利润总额1681.441345.151261.081193.82净利润1261.08983.649

19、07.98857.53归属于母公司所有者的净利润1261.08983.64907.98857.53五、核心人员介绍1、郝xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。2、陆xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。3、龙xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程

20、师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。4、闫xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。5、董xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事

21、。6、武xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。7、段xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、石xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立

22、董事。六、经营宗旨加强经济合作和技术交流，采用先进适用的科学技术和科学经营管理方法，提高产品质量，发展新产品，并在质量、价格等方面具有国际市场上的竞争能力，提高经济效益，使投资者获得满意的利益。七、公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公

23、司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创

24、新型企业。第三章 背景、必要性分析一、发展思路深入贯彻落实科学发展观，加快转变产业发展方式，立足国内需求，严格控制总量扩张，着力调整优化结构，大力发展高端产品，推进一体化发展，延伸产业链，增加产品技术含量和附加值，提升发展质量和效益，促进产业加快转型升级。二、产业发展背景分析1、有利因素（1）国家政策为行业发展提供有利支持功率半导体分立器件行业是我国重点鼓励和支持的产业之一，为推动节能减排，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门陆续出台资金补贴计划等一系列政策及文件，支持新型电力电子器件的产业化发展。国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要提出大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产

25、业化，形成一批新增长点。（2）节能减排政策将推动IGBT市场需求增长随着我国经济的快速发展，能源需求量越来越大，国内能源供应紧缺的矛盾日益突出。近年来国家出台了多项节能减排政策促进相关行业的发展，受益于此，工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大，而工业控制、变频白色家电均为IGBT模块的主要应用领域，使IGBT模块的市场需求快速增长。（3）新能源领域的发展将推动行业快速发展由于传统石化能源储量有限且污染严重，近年来以风能、太阳能等为代表的新能源产业发展迅速。风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用，IGBT模块是逆变器的核心电子元器件，因此未来新能源领域的快

26、速发展将会推动IGBT行业的快速发展。（4）IGBT模块应用范围日益广泛随着国内产业结构的调整升级，智能电网、精密控制、信息通信、轨道交通、航空航天等领域也发展迅速，对IGBT的需求不断扩大，大大拓展了IGBT的应用范围。（5）“进口替代”政策支持2015年7月1日，第十二届全国人民代表大会常务委员会第十五次会议通过中华人民共和国国家安全法，其中第二十四条明确指出“国家加强自主创新能力建设，加快发展自主可控的战略高新技术和重要领域核心关键技术，加强知识产权的运用、保护和科技保密能力建设，保障重大技术和工程的安全”。“自主可控”即是要求对战略高新技术和重要领域核心关键技术实现全面国产。IGBT作

27、为一种新型电力电子器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，既属于战略高新技术又属于核心关键技术。但是IGBT行业95%的市场被国外企业所垄断，要实现IGBT模块全面国产，达到“自主可控”，必须完成对IGBT模块和IGBT芯片的进口替代。2、不利因素（1）行业基础相对薄弱IGBT行业在我国属于新兴高技术产业，直到目前国内具有相关研发和生产管理经验的人员仍十分缺乏，具有一定积累的企业更是少之又少。虽然目前部分企业有了一定突破，但在整体规模和研发实力等方面，国内企业的竞争力和国外企业相比仍然差距很大。（2）芯片国产率较低我国IGBT行业近年来规

28、模不断扩大，国内也有一批半导体企业正在进入IGBT行业，但是国内能够自主研发设计芯片的企业较少，国内企业仍主要依靠进口芯片进行生产，因此生产成本较高，进口依赖较强，经营稳定性较差。三、产业发展原则1、坚持融合发展。推进业态和模式创新，促进信息技术与产业深度融合，强化产业与上下游产业跨界互动，加快产业跨越式发展。2、因地制宜，特色发展。紧密结合区域发展要素条件，充分发挥比较优势，围绕核心产业，引进培育龙头企业，形成各具特色、差异发展的发展新格局。3、加强引导，市场推动。完善法规和标准，规范产业市场主体行为，建立公平的市场环境；综合运用价格、财税、金融等经济手段，发挥市场配置资源的决定性作用，激发

29、企业发展的内生动力。4、坚持创新发展。开发高效适用新技术，拓展产品应用领域，创新行业经营模式，优化资源配置，促进融合，实现创新发展。5、区域协同，部门联动。深入推进区域产业发展协同发展，在更大区域范围内打造产业发展链条，形成错位发展、共同发展格局；加强部门间的统筹协调，建立联动机制，形成合力。6、坚持结构调整。从严控制产能盲目扩张，加快产业结构优化升级，推进企业兼并重组、淘汰落后和技术进步，提高产业集中度。四、区域产业环境分析全球经济处于曲折复苏的深度调整期。“十三五”时期，和平与发展仍是时代主题，曲折复苏和分化调整是世界经济的主要特征，新型竞合将成为发展大趋势。美国、欧盟等发达地区“制造业回

30、归”持续推进，日本经济复苏的稳定性预期不强，新兴经济体增长动力相对较弱。以互联网、工业4.0等为标识的新一轮科技革命和产业变革步伐加快，将为我市参与国际分工合作、促进产业转型升级等带来新的机遇。国内经济进入转型提质的发展新常态。“十三五”时期，我国经济将在新常态下发生深刻变化：发展速度由高速增长转向中高速，更加注重有质量、有效益和可持续发展；发展水平由中低端迈向中高端，更加注重新型工业化、新型城镇化、信息化、农业现代化和绿色化协同发展；发展动力由要素驱动转向创新驱动，全面创新加快催生新的增长点，深化改革持续释放巨大红利，将有力推动我国跨越“中等收入陷阱”。全市经济迈向实现基本现代化新阶段。一是

31、承载发展的框架加快形成，将持续放大我市发展新优势。长沙作为“一带一路”重要节点城市、“一带一部”首位城市和长江中游城市群中心城市，承东启西、连南接北、通江达海的区位优势和战略地位将更加突出，区域经济辐射带动能力将持续增强。二是先行先试的平台全面筑牢，将有效提升我市核心竞争力。我市拥有全国两型社会建设综合配套改革试验区、国家自主创新示范区、国家级湘江新区三大战略平台，依托国家支持政策与自身探索实践的叠加优势，培育形成有利于转型创新发展的制度环境，将推动我市在更大范围内加速产业、人口及要素集聚，构筑新的竞争优势。三是产业升级的潜力逐步释放，将有力推动我市转型创新发展。我市在新材料、生物产业、节能环

32、保等一批新兴产业领域，有技术、有优势、有潜力、有前景，有望成为“十三五”时期率先突破的关键点，进而加速形成新的经济增长点，为全市转型创新发展提供有力支撑。五、产业发展重点任务(一)提升产业创新能力提高企业自主创新能力。发挥企业创新主体作用，围绕现代产业体系建设，加快推进重点企业创新平台项目。探索跨界融合、开放共享的集成创新模式。拓展主营业务领域，做大企业规模。鼓励龙头骨干企业发起成立产业链集成创新联盟，搭建面向全社会的产学研用技术创新平台，。(二)落实各项政策措施，促进行业转型升级对于促进产业行业转型升级、优化产业结构、具有行业带动作用的重点项目，专项资金予以优先支持。(三)多渠道融资，加大金

33、融支持力度拓宽行业融资渠道，为行业搭建银企对接平台，畅通金融机构与优势企业的沟通渠道，对在推进转型升级有推动作用的重点项目和企业加大信贷支持力度；通过提供并购贷款、并购票据等方式支持各类社会资本参与产业企业兼并重组。(四)培育龙头企业，支持做大做强支持龙头企业加快行业兼并重组，通过联合、兼并和实施低成本扩张，实现企业产业高度集聚和优势竞争，扶持股份制企业上市募集资金，发展规模经济和集约化经营，壮大优势企业实力，组建一批大集团、大公司，促进企业上规模、上水平，增强竞争力。(五)加强组织协调完善多部门联动机制，研究制定促进产业行业去产能、供给侧改革、转型升级、等一系列政策措施，研究行业发展过程中存

34、在的重点难点问题，及时提出解决办法，制定具体推进方案。六、行业发展保障措施(一)扩大国内外合作鼓励企业与国外公司加强合作，支持有条件的企业在境外设立研发中心，充分利用国际资源提升发展水平。加强与“一带一路”沿线国家合作，支持有条件的企业开拓海外业务，推进产业发展走出去。(二)营造公平环境构建行业诚信体系,建立企业产品和服务标准自我声明公开和监督制度,产品全生命周期可追溯体系,发布失信企业黑名单。保障各种所有制经济依法平等使用生产要素、公平参与竞争。加强知识产权保护,形成有利于“大众创业、万众创新”的良好环境。(三)引入风险投资机制探索和促进风险投资与产业结合的模式，努力拓宽风险资本来源渠道。积

35、极发展多种投资模式，培育多元化的风险投资民间投资主体，吸纳个人投资、商业银行、投资银行、保险公司、大型企业集团资金加盟。(四)强化政策导向作用研究制订促进区域产业结构调整转型升级产业政策，引导企业优化现有存量，调整产品结构，培养新型产业，促进产业升级。(五)坚持规划领先围绕规划提出的目标和任务，加强规划与产业政策、年度计划的衔接，加强部门间信息沟通和工作协调。建立规划实施的动态评估机制，对规划实施的阶段成果实行动态监测，及时发现规划实施过程中存在的问题，必要时按程序对规划内容进行调整。(六)提升创新能力引导企业与行业科研机构对接，加强与产业研究院和高校以及行业龙头企业研发中心的联系，解决企业技

36、术上和发展中的难题。加大行业人才引进和培养力度，对领军人才、创新团队和高级管理人才按相关政策给予优先支持。鼓励企业加大研发投入，普遍建立各类技术创新平台，并积极申报承建创新平台，或与科研院所及高校共建研发机构。七、项目建设必要性分析（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司

37、将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 市场分析一、市场前景分析1、IGBT芯片技术的发展从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了6代升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场截止型（FS-Trench），芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断

38、时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。2、行业周期性、季节性及区域性特征IGBT下游应用市场广泛，客户整体需求情况会受到宏观经济周期的影响，但由于IGBT作为新一代功率电力电子器件，市场增长较快，行业的周期性特征不太明显。IGBT应用领域广泛，下游客户季节性需求呈现此消彼长的动态均衡关系，其季节性特征不明显，但是第一季度受到春节假期影响，工厂开工时间较短，因此第一季度销售占全年比重较小。在行业区域性方面，IGBT下游客户相对集中于华东、华南等工业较为发达的地区。3、IGBT的市场规模及供求状况（1）国内外IGBT市场规模持续上升IGBT是诞生于20

39、世纪80年代的功率半导体分立器件，进入工业应用时间较晚，虽然目前占整体功率半导体分立器件市场份额仍然不大，但它代表了未来的发展方向，市场规模增长很快。根据市场调研机构Yole的报告显示，全球IGBT市场规模在未来几年时间将继续保持稳定的增长势头，市场规模至2018年将达到60亿美元。在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下，国内IGBT的发展亦获得巨大的推动力，市场持续快速增长。2016年，国内IGBT市场规模达105.4亿元。2017年中国IGBT市场规模预计为128亿人民币，2018年中国IGBT市场规模预计为153亿人民币，相较2017年同比增长19.91%。（2）传

40、统工业控制及电源行业支撑IGBT市场稳步发展IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件，且已在此领域中得到广泛应用。目前，随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖，预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。1）变频器行业IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用，亦包含了整流部分的作用。控制器产生的正弦波信号通过光藕隔离后进入IGBT，IGBT再根据信号的变化将380V（220V）整流后的直流电再次转化为交流电输出。近年来，我国变频器行业的市场规模总体呈上升态势。根据前瞻产业研究院整理，2016年我国变频器行业的市场规模为416.77亿元，平均4年复合增长率

41、为8.74%。2017年我国变频器市场规模约453.2亿元。近年来，变频器市场中我国自主研发能力有所提升，特别是高压变频器在2017年的专利申请数稳定在160项以上。同时，在实体经济的拉动作用下，变频器已进入新能源领域，在冶金、煤炭、石油化工等工业领域将保持稳定增长，在城市化率提升的背景下，变频器在市政、轨道交通等公共事业领域的需求也会继续增长，从而促进市场规模扩大。未来几年，具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长，到2023年，高压变频器的市场将达到175亿元左右。2）逆变焊机行业逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路

42、电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过大功率开关电子元件（IGBT）的交替开关作用，逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压，同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压，后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。根据国家统计局数据，2018年我国电焊机产量为853.3万台，同比2017年增加了58.46万台。电焊机市场的持续升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。二、行业发展概况1、IGBT行业基本特征IGBT核心技术为IGBT芯片、快恢复二极管芯片的设计和生产以及IGBT模块的设计、制造和测试，IGBT芯片和快恢复二极管芯片是IGBT模块的核心。集成电路系采用特种电路设计及加工工艺，

43、集成于半导体晶片上的微型电子电路产品。集成电路相比传统的分立电路，通过降低体积减小材料耗用量，大幅降低了制造成本，同时，其微小的体积及元件的紧密排布提高了信息的切换速度并降低了能耗，使得集成电路比分立电路在成本及效率上均有较大的优势。完整的集成电路产业链包括设计、芯片制造、封装测试等环节，各环节具有各自独特的技术体系及特点，已分别发展成独立、成熟的子行业。其中，集成电路设计系根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品，集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本。伴随现代信息技术产业的快速发展，集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心，已成为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战

44、略性产业，在推动国家经济发展、社会进步、提高人们生活水平以及保障国家安全等方面发挥着广泛而重要的作用，是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志之一。随着国内经济不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持，我国集成电路产业快速发展，产业规模迅速扩大，技术水平显著提升，有力推动了国家信息化建设。IGBT芯片和快恢复二极管芯片行业作为特殊的集成电路芯片，是能源变换与传输的核心器件，在电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等行业发展中起到了关键作用。同时，在“工业4.0”以及国家进口替代政策支持下，IGBT行业将迎来巨大的发展机

45、遇。2、IGBT基本情况介绍IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，是未来应用发展的主要方向。正是由于具有上述优点，IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOSFET和GTR，甚至已扩展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域

46、，还在消费类电子应用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。作为工业控制及自动化领域的核心器件，IGBT模块在电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等诸多领域都有广泛的应用。随着新能源汽车的发展以及变频白色家电的普及，IGBT的市场热度持续升温。它不仅在工业应用中提高了设备的自动化水平、控制精度等，也大幅提高了电能的应用效率，同时减小了产品体积和重量，节约了材料，有利于建设节约型社会。3、IGBT行业技术特点及技术水平IGBT核心技术为IGBT芯片、快恢复二极管芯片的设计和生产以及IGBT模块的设计、制造和测试。芯片设计、生产和模块设计

47、、制造和测试均为IGBT模块的核心生产工序。（1）IGBT芯片、快恢复二极管芯片的设计IGBT芯片由于其工作在大电流、高电压、高频率的环境下，对芯片的可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降（控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂。快恢复二极管芯片是二极管芯片中的高端产品，需要对芯片的终端结构及有源区结构根据应用的要求进行优化设计，在保证芯片具有承受高电压、大电流能力的同时，还需要维持低于200纳秒的反向恢复时间及低的反向恢复损耗。（2）IGBT芯片、快恢复二极管芯片的生产IGBT芯片和快恢复二极管芯片生产步骤多，需要的生产设备较多，生产的组织

48、、控制、设备调试等工作庞杂，如果缺乏相关经验需要较长时间的摸索才能掌握芯片的设计和生产工艺。（3）IGBT模块的设计、制造和测试IGBT模块的设计包括机械结构设计、电路布局设计、热设计、电磁设计等，一款IGBT模块的开发需要进行机-电-热-磁等方面的优化并兼顾模块生产工艺的可实现性等方面的因素。IGBT模块制造是指根据特定的电路设计，将两个或以上的IGBT芯片和快恢复二极管芯片贴片到DBC板上，并用金属线键合连接，然后进行灌封，以满足芯片、线路之间的绝缘、防潮、抗干扰等要求，最后将电路密封在绝缘外壳内，并与散热底板绝缘的工艺。IGBT模块由于集成度高，模块内部不同器件之间通常只间隔几毫米的距离

49、，又需要能承受较大的电压和电流及可能存在的恶劣运行环境，因此在产品设计和工艺实现时需要考虑绝缘、耐压、散热、抗干扰、电磁兼容性等诸多因素，产品在设计和生产过程中需要用到电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科的知识。要能大批量地生产出可靠性、稳定性高的IGBT模块，需要经过长时间的经验积累，才能了解器件和材料的特性，掌握生产工艺。以贴片流程为例，就涉及到芯片位置的确定、不同材料的热膨胀系数及其特性、回流炉回流曲线及其他参数的设置等，这些生产工艺往往需要经过长期的研发试验才找到较为合适的方案。由于国外企业起步较早，制造经验较为丰富，其制造工艺普遍领先于国内企业。三、行业发展可行性分析1、新

50、兴行业加速IGBT未来市场在国际节能环保的大趋势下，IGBT下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域发展迅速，对IGBT模块需求逐步扩大，新兴行业的加速发展将持续推动IGBT市场的高速增长。（1）新能源汽车行业IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用，是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。根据中汽协发布的产销数据，2018年，新能源汽车产量及销量分别为127万辆和125.6万辆，同比分别增长59.9%和61.7%，产量及销量连续三年位居全球第一。2016年11月国务院印发的“十三五”国家战略性新兴产业发展规划的通知指出，到2020年，新能源汽车实现当年产销2

51、00万辆以上，累计产销超过500万辆，对应2017-2020年新能源汽车产量每年平均40%的增速。根据美国WardsA统计，2017年全球汽车销量超过9000万辆，随着新能源汽车替代率逐步上升，将持续拉动IGBT模块市场的需求。（2）变频白色家电行业具有变频功能的白色家电最核心的部件之一是其内部的“变频器”，而IGBT模块作为变频器的核心元器件，其高频开闭合功能能够带来以下优点：1、较小的导通损耗和开关损耗；2、出色的EMI性能，可通过改变驱动电阻的大小满足EMI需求的同时保持开关损耗在合理范围内；3、强大的抗短路能力；4、较小的电压尖峰（对家电起到保护作用）。中国作为全球最大的

52、家电市场和生产基地，亦孕育着大规模的IGBT市场。以空调行业为例，中国作为全球最大的家电市场和生产基地，亦孕育着大规模的IPM市场。产业在线数据显示，2018年家用空调产量达14,952.9万台，销量达15,054.5万台，同比增长6.24%，其中内销9,258.7万台，同比增长4.32%，出口5,795.9万台，同比增长9.47%。随着节能环保的大力推行，具有变频功能的白色家电将具有广阔的市场前景。变频白色家电的推广不仅仅能够促进IGBT模块市场的持续扩张，更能够给IGBT模块提供稳定的市场需求。（3）新能源发电行业新能源发电主要以光伏发电和风力发电为代表。根据国家能源局数据显示，2017年

53、，我国光伏发电装机容量继续保持快速增长，新增装机53.06GW，连续五年位居世界第一，同比增长53.6%，根据中国能源局官网，截至2019年6月，中国风电装机193GW，占总装机容量的10.5%，光伏装机136GW，占总装机容量的7.4%。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器或风力发电逆变器将其整流成直流电，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。IGBT模块是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT模块行业持续增长的又一动力。2、国内IGBT行业竞争格局（1）外国企业占据绝大部分市场目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据，虽然我国I

54、GBT市场需求增长迅速，但由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚，IGBT模块至今仍几乎全部依赖进口，市场主要由欧洲、日本及美国企业占领。同时，国内企业由于芯片供应主要源于国外，制约性较强，因此发展较为缓慢。（2）国内企业正力求突破由于IGBT行业存在技术门槛较高、人才匮乏、市场开拓难度大、资金投入较大等困难，国内企业在产业化进程中一直进展缓慢。随着全球制造业向中国的转移，中国已逐渐成为全球最大的IGBT市场，IGBT国产化需求已是刻不容缓。在市场需求的吸引下，一批具备IGBT相关经验的海外华人归国投身IGBT行业，同时国家大量资金流入IGBT行业，我国IGBT产业化水平有

55、了一定提升，部分企业已经实现量产。3、进入本行业的主要障碍IGBT作为新兴的功率半导体器件，应用前景广阔，虽然国内政策上一直鼓励IGBT相关产业的发展，但是由于产品认证周期比较长，真正在产业化上取得突破，得到用户认可的国内企业目前还较少，主要是由于本行业存在较高的进入壁垒。（1）技术壁垒1）芯片设计IGBT芯片是IGBT模块的核心，其设计工艺极为复杂，不仅要保持模块在大电流、高电压、高频率的环境下稳定工作，还需保持开闭和损耗、抗短路能力和导通压降维持平衡。快恢复二极管芯片在IGBT模块中与IGBT芯片配合使用，需要承受高电压、大电流的同时，要求具有极短的反向恢复时间和反向恢复损耗。企业只有具备

56、深厚的技术底蕴和强大的创新能力，积累丰富的经验和知识储备，才能在行业中立足。因此，行业内的后来者往往需要经历一段较长的技术摸索和积累，才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。2）模块设计及制造工艺IGBT模块对产品的可靠性和质量稳定性要求较高，生产工艺复杂，生产中一个看似简单的环节往往需要长时间摸索才能熟练掌握，如铝线键合，表面看只需把电路用铝线连接起来，但键合点的选择、键合的力度、时间及键合机的参数设置、键合过程中应用的夹具设计、员工操作方式等等都会影响到产品的质量和成品率。IGBT模块作为工业产品的核心器件，需要适应不同应用领域中各种恶劣的工作环境，因此对产品质量的要求较高。如电焊机行业，考虑到逆变电焊机工作环境较为恶劣，使用负荷较重，在采购核心部件IGBT模块时会优先考虑模块的耐久性，因此芯片参数和模块制造工艺的可靠性是生产IGBT模块的核心。而且IGBT和下游应用结合紧密，往往需要研发人员对下游应