单结晶体管触发电路解析

1、单结晶体管触发电路 浏览 2695 发布时间 2009-03-20 单结晶体管触发电路之一 图 1 ( a)是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。可从电阻R1 上取出脉冲电压 ug。 (b) 电压波形 (a) 张弛振荡电路 图 1 单结晶体管张弛振荡电路 假设在接通电源之前，图 1(a) 中电容 C上的电压 uc 为零。接通电源 U 后，它就经 R向电 容器充电，使其端电压按指数曲线升高。电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极 E 和 第一基极 B1 之间。当 uc 等于单结晶体管的峰点电压 UP 时，单结晶体管导通，电阻 RB1 急剧减小(约 20)，电容器向 R1 放电。由于电阻 R1 取得较

2、小，放电很快，放电电流在 R1 上形成一个脉冲电压 ug，如图 1(b) 所示。由于电阻 R 取得较大，当电容电压下降到单 结晶体管的谷点电压时，电源经过电阻 R 供给的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单 结晶体管截止。 电源再次经 R向电容 C充电，重复上述过程。于是在电阻 R1 上就得到一个 脉冲电压 ug 。但由于图 1( a )的电路起不到如后述的 “同步 ”作用， 不能用来触发晶闸管。 单结晶体管触发电路之二 单结晶体管触发电路如图 2 所示，带有放大器。晶体管 T1 和 T2 组成直接耦合直流放大电 路。T1是 NPN型管， T2 是PNP型管。 UI 是触发电路的输入电压，由各

3、种信号叠加在一起 而得。 UI 经 T1 放大后加到 T2 。当 UI 增大时， IC1 就增大，而使 T1 的集电极电位 UC1， 即 T2 的基极电位 UB2 降低， T2 更为导通， IC2 增大，这相当于晶体管 T2 的电阻变小。 同理， UI 减小时， T2 的电阻变大。因此， T2 相当于一个可变电阻，随着 UI 的变化来改变 它的阻值，对输出脉冲起移相作用，达到调压的目的。 输出脉冲可以直接从电阻 R1 上引出，也可以通过脉冲变压器输出。 图 2 单结晶体管触发电路 因为晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小， 为了防止反向击穿， 联二极管 D1 ，可将反向电压隔开，而并联 D2

4、，可将反向电压短路。 单结晶体管触发电路之三 单相半控桥式整流电路 在脉冲变压器副边串 图 3 由单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路 单结晶体管触发电路输出的脉冲电压的宽度，主要决定于电容器放大电的时间常数 。R1或 C太小，放电快，触发脉冲的宽度小，不能使晶闸管触发。因为晶闸管从 阻断状态到完全导通需要一定时间，一般在 10uf 以下，所以触发脉冲的宽度必须在 10uf 以上。如选用 C0.1 1uF ， R1=250 100，就可得到数十微秒的脉冲宽度。但是，若 闸管的要求。 图3 中的电阻 R2是作温度补偿用的。 因为在 UP UBBUD的式中，分压比 几乎不随温度 而变，而 UD 将

5、随温度上升而略有下降。这样， UP就要随温度而变，这是不希望的。当接入 R2（及 R1）后， UBB是由稳压电源的电压 UZ经 R2 、RBB、 R1 分压而得，而 RBB随温度上升而 增大，因此在温度上升后， RBB 增大，电流 图 4 电压波形 通过变压器将触发电路与主电路接在同一电源上，所以每当主电路的交流电源电压过零 值时，单结晶体管上的电压 UZ 也过零值，两者同步。在 UZ过零值时，单结晶体管基极间的 电压 UBB也为零。如果这时电容器上还有残余电压，必然要向R1 放电，很快放掉，以保证 电容器在每一半波之初从零开始充电。 这样，才能使每半周产生第一个脉冲的时间保持不变， 即 ，从而使晶闸管的导通角和输出电压平均值保持不变。 因此，变压器不仅是个整流变压器，而且还起同步作