(2014版)电子技术本科电气化专业网上作业题

1、东北农业大学网络教育学院电子技术II本科网上作业题半导体器件一、 判断题 1晶体管由两个PN结组成，所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( ) 2因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。( ) 3二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。( ) 4N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。( ) 5二极管是根据PN结单向导电的特性制成的，因此二极管也具有单向导电性。( ) 6当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动

2、形成的。( ) 7二极管的电流电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。( ) 8若晶体管发射结处于正向偏置，则其一定处于截止状态。( )9空穴和自由电子一样，都是载流子。( ) 10在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。( ) 11常温下，硅晶体管的UBE07V，且随温度升高UBE增加。( ) 12稳压二极管的稳定电流是指稳压管工作时允许通过的最大电流。超出此值，稳压管将损坏。( ) 13P型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。( ) 14在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。( ) 15

3、在P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。( ) 16当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。( ) 17一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( ) 18晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。( ) 19当外加电压为零时，PN结的结电容最小。( ) 20当反向电压小于反向击穿电压时二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( ) 21工作在导通状态下的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。( ) 22晶体管

4、的环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。( ) 23当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且UCE小于BUCEO时，晶体管就能安全工作。( ) 24二极管的正向特性曲线较陡，因此能起到稳压作用。( ) 25二极管电压电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。( ) 26当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。( ) 27基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。( ) 28无论是哪种类型的晶体管，当工作于放大区时，B极电位总是高于E极电位，C极电位也总是高于B极电位。( ) 29一般说来，晶体管的交流电流放大系数

5、随温度的变化而变化，温度升高，则增大。( ) 30稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。（ ）31晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，IB愈小，输入电阻愈小。( ) 32晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成，故E极和C极可以互换使用。( ) 33晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，RBE、rbe都减小。( ) 34晶体管的穿透电流ICEO是由多数载流子产生的，其大小不随温度而变化。( ) 二、 选择题1当PN结两端加正向电压时，在PN结内参加导电的是( A )。A多数载流子 B少数载流子C既有多数载流子又有

6、少数载流子2如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管( B )。A正常 B已被击穿 C内部断路3当晶体管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于( C )。A饱和状态 B放大状态 C截止状态4当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( B )。A饱和状态 B放大状态 C截止状态5晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将( C )。A随基极电流的增加而增加 B随基极电流的增加而减小C与基极电流变化无关，只决定于Ucc和Rc6NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc9V，UB07V，UE0V，则该晶体管的工作状态是( B ) A饱和 B正常放大 C截止7当环境温度升高时，半导体的电阻将(

7、B )。 A增大 B减小 C不变8二极管的正极电位是20V，负极电位是10V，则该二极管处于( A )。 A反偏 B正偏 C不变9在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( B )。 A大电阻 B接通的开关 C断开的开关10用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN型晶体管，各电极对地的电位分别是：U12V，U26V，U327V，则该晶体管各脚的名称是( B )。 A1脚为C，2脚为B，3脚为E B1脚为E，2脚为C，3脚为BC1脚为B，2脚为E，3脚为C A饱和状态 B放大状态 C截止状态11点接触型二极管比较适用于( B ) A大功率整流 B小信号检波 C大电流开关12面接触型二极管比较适用

8、于( A )。 A大功率整流 B高频检波 C小电流开关13如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( C )半导体。 AN型 BP型 C本征14当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于( B )。 A很小的电阻 B很大的电阻 C短路15二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为( C )。 A齐纳击穿 B雪崩击穿 C热击穿 16对PN结加反偏电压时，参与导电的是( B )。A多数载流子 B少数载流子 C既有多数载流子，也有少数载流子17载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为( B )。 A漂移运动 B扩散运动18两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式

9、串联起来，最多可得到的稳压值是( C )。 A二种 B三种 C四种 D五种19NPN型和PNP型晶体管的区别是( C )。 A由两种不同的材料硅和锗制成 B掺入的杂质不同 CP区和N区的位置不同 D电流放大倍数不同 20场效应管是通过改变( B )来控制漏极电流的。 A栅极电流 B栅源电压 C源极电压 D源极电流 21二极管中电流( B )，晶体管中从C极到E极的电流( A )，场效应管的漏极电流( C )。 A穿过两个PN结 B穿过一个PN结 C不穿过PN结 D穿过三个PN结 22用万用表红表笔“十”接触某正品晶体管的一只管脚，黑表笔“”分别接触另两只管脚时，测得的电阻均较小，则说明该晶体管

10、是( B )。 ANPN型 BPNP型 C不能确定 A本征半导体 BN型半导体 CP型半导体 23在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( B )。 A温度 B杂质浓度 C原本征半导体的纯度 24PN结加上反向电压时，其PN结的宽度(或空间电荷区)会( B )。 A变窄 B变宽 C不变 25用万用表欧姆挡测试二极管的正、反向电阻时，如果用手捏紧测试笔和管子引线的接触处，这种测试方法引起显著误差的是( B )。 A正向电阻 B反向电阻 C正、反向电阻误差同样显著 D无法判断 26使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过?( CD ) A电流放大系数 B反向饱和电流ICBO C反向击穿电压B UCEO

11、D耗散功率PCM三、 填空题1半导体是一种导电能力介于（导体 ）与（绝缘体 ）之间的物质。2N型半导体主要靠（自由电子 ）来导电， P型半导体主要靠（空穴 ） 来导电。 3PN结具有 （单向导电 ） 性能，即加正向电压时，形成的正向电流 （大 ）；加反向电压时，形成的反向电流 （小 ） 。4PN结的正向接法是P型区接电源的（正）极，N型区接电源的（负 ）极。5二极管的电压电流关系可简单理解为（正向 ）导通，（反向 ）截止的特性。导通后，硅管管压降约为（0.7V ），锗管管压降约为 （0.3V ） 。6N型半导体中的多数载流子是 （电子 ） ，少数载流子是（空穴 ）。7晶体管的三个电极分别称为

12、（发射 ） 极、（基 ） 极和（集电 ）极，它们分别用字母（E ）、（ B）和（C ）来表示。8为了使晶体管正常工作在放大状态，发射结必须加（正向 ）电压，集电结必须加（反向 ） 电压。9晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做 （ 集电结） ，另一个叫做（ 发射结）。10晶体管有 （PNP ） 型和（NPN ） 型两种，硅管以 （NPN ） 型居多，锗管以 （PNP ） 型居多。11晶体管具有电流放大作用的外部条件是：（发射 ）结正向偏置；（集电 ） 结反向偏置。12晶体管发射极电流IE、基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是（IEIB+IC ）。ICIB叫做（交流电流

13、放大系数 ），用字母（ ）表示。13硅晶体管的饱和电压降为（0.3V ），锗晶体管的饱和电压降为（0.1V ）。14硅晶体管发射结的导通电压约为（ 0.7V ），锗晶体管发射结的导通电压约为 （0.3V ） 。15当晶体管截止时，它的发射结必须是（反向 ）偏置或（零 ）偏置。16当晶体管的UCE一定时，基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为 （输入特性 ）曲线；当基极电流IB一定时，集电极与发射极间的电压UCE与集电极电流IC的关系曲线称为 （ 输出特性 ）曲线。17晶体管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 （减小 ）；而电流放大系数太大时，又会使晶体管的性能 （ 稳不定

14、）。18晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在（放大 ）状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在（ 饱和 ）状态和（截止 ）状态。19在判别锗、硅二极管时，当测出正向压降为（ 0.3V ）时，将认为此二极管为锗二极管；当测出正向压降为（ 0.7V半 ）时，将认为此二极管为硅二极管。20NPN型晶体管的发射区是 （ N ）型半导体，集电区是（N ）型半导体，基区是 （ P ）型半导体。21有一个晶体管继电器电路，其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。若晶体管的电流放大系数50，要使继电器开始动作，晶体管的基极电流至少应为（ 0.12mA ）。222AP系列二极管是

15、由（ 锗 ）材料做成的，其工作温度较（低 ）；2CP、2CZ系列二极管是由（硅 ）材料做成的，其工作温度较（高 ）。23晶体管的输入特性曲线和二极管的（ 正向电流电压 ）关系特性相似，晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻，它是（ UBE的增量 ）和（ IB的增量 ）的比值。24当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫做（ 反向击穿 ）现象。25二极管的直流电阻(即静态电阻)定义表达式为（ RUI ），如果工作点上移，直流电阻值将（减小 ）。26二极管的交流电阻(即动态电阻)定义表达式为（r=UI ），如果工作点改变，交流电阻值（也要改变 ） 。27晶体管的穿

16、透电流ICEO是在基极开路时，由（集电极 ）流向（ 发射极 ）的电流。它是由（ 少数载流子 ）产生的，随温度的增高（ 而增大 ）。28 晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时（UCE ）的（最大 ）允许电压值，BUCEO随温度的增高（而减小 ）。29晶体管的集电极最大允许电流UCM是指下降到（最大 ）值的（ 一半 ）时的IC值，它是晶体管工作电流的上限。30在半导体中，自由电子带 （负 ）电，空穴带 （正 ）电。31反向电压引起反向电流急增时的PN结处于（击穿 ）状态，该状态是（稳压 ）二极管的稳压工作状态。32使晶体管处于放大状态的偏置状况是：（ 发射 ）结正偏，（ 集电 ）结

17、反偏。33使晶体管处于放大状态的偏置状况是：发射结正偏，集电结反偏。其特点是（ 集电极电流 ）受（ 基极电流 ）的控制，且IC=（IB ），具有（恒流 ）输出特性。34场效应管的三个管脚分别称为（栅极 ）、（ 源极 ）和（漏极 ）。它的输入电阻（ 很大 ），这是晶体管与之无法比拟的特点。35场效应管中参与导电的载流子，只能是电子或空穴中的一种，NMOS管的载流子是（电子 ），PMOS管的载流子是（空穴 ）。四、 计算题1 如图所示，设V为理想二极管，反向电流为零。试求：Iv、Uv。二极管V反偏截止 IV0mA 根据KVL得 10 IV R十UV UV10V2某二极管的正向电压为1V时电流为40

18、mA，这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为08V时的电流变化为20mA，则二极管的交流内阻是多少? RUI10.0425 rUI0.80.02403 分别计算如图 (a)、(b)所示的电路电压UAB值(V为理想二极管)。 (a)二极管反偏截止，回路电流为零，3k电阻上无压降，UAB6V (b)二极管正偏导通，理想二极管的正向管压降为零，UAB6V4在如图所示电路中，V1、V2、V3均为理想二极管。A、B两端的等效电阻及RAB应为多少? V1、V2导通，V3截止RAB(R1/ R3)十R4十R555在晶体管放大电路中，测得IC2mA，IE2.02mA，求IB和各为多少? IBIE

19、IC2.0220.02mA IE/IB1006在如图所示电路中，已知VA2.3V，V1、V2为硅管，其管压降为0.7V，试估计VB等于几伏?UAB等于几伏? V1和V2正偏导通，管压降0.7VVBVA十20.72.3十1.43.7VUABVA一VB2.3一3.7一1.4V7 如图所示电路中二极管为理想的，试判断二极管的工作状态并求VO。 (a)V导通，VO3V(b)V截止，VO6V (c)V1导通，VO0V 0，V2截止 (d)V2优先导通，VO3V，V1截止五、 作图题 1如图所示电路中，已知ui为幅值8V的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。2如图所示电路中，已知ui为幅值8V

20、的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。3如图所示电路中，已知ui为幅值8V的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。4如图为限幅电路，在其输入端加上幅值为10V的矩形波，试绘出输出端的波形。5如图所示电路中，交流信号为u10sint(V)，试画出电阻两端的电压波形。6试画出NPN型晶体管的内部结构示意图，并标明各引脚与两个PN结的名称。单级交流放大电路 一、判断题 （1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ ） （2）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（ ） （3）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。（ ） （4）放大电路必须加上合适的直流

21、电源才能正常工作。（ ） （5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（ ）二、分析与计算1.试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能。 （c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。2.按要求填写下表。电路名称连接方式（e、c、b）性能比较（大、中、小）公共极输入极输出极R iR o其它共射电路ebc大大小大共集电路cbe小大大小共基电路bec大小小大频带宽3.分别改正各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要

22、求保留电路原来的共射接法和耦合方式。（a）将VCC改为VCC 。 （b）在VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。 （d）在VBB支路加Rb，在VCC与集电极之间加Rc。 4. 电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ0.7V。利用图解法分别求出RL和RL3k时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。 解：空载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。带载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。 5. 电路

23、如图所示，已知晶体管b50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC12V，晶体管饱和管压降UCES0.5V。 （1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路解：设UBE0.7V。则2 基极静态电流 （2）由于UBE0V，T截止，UC12V。（3）临界饱和基极电流 实际基极电流 由于IBIBS，故T饱和，UCUCES0.5V。 （4）T截止，UC12V。（5）由于集电极直接接直流电源，UCVCC12V6.电路如图所示，晶体管的b80，=100。分别计算RL和RL3k时的Q点、Ri 和Ro。解：在空载和带负载情况下，电路的静态电

24、流、rbe均相等，它们分别为 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为 RL5k时，静态管压降、电压放大倍数分别为 7. 已知所示电路中晶体管的b 100，rbe=1k。 （1）现已测得静态管压降UCEQ6V，估算Rb约为多少千欧；（2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？ 解：（1）求解Rb （2）求解RL： 8. 在所示电路中，设静态时ICQ2mA，晶体管饱和管压降UCES0.6V。试问：当负载电阻RL和RL3k时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于ICQ2mA，所以UCEQVCCICQRc6V。空载时，输入信号增大到一定幅值，电路

25、首先出现饱和失真。故 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 9. 电路如图所示，晶体管的b100，=100。 （1）求电路的Q点、Ri和Ro； （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析： 动态分析： （2）Ri增大，Ri4.1k；减小，1.92。 10. 电路如图所示，晶体管的b80，rbe=1k。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL和RL3k时电路的和Ri； （3）求出Ro。解：（1）求解Q点： （2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL时 RL3k时 （3）求解输出电阻： 11. 电路如图所示，晶体管的b60，=100。 （1

26、）求解Q点、Ri和Ro；（2）设10mV（有效值），问？若C3开路，则？解：（1）Q点： 、Ri和Ro的分析： （2）设10mV（有效值），则 若C3开路，则 12. 已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。解：（1）求Q点：根据电路图可知， UGSQVGG3V。从转移特性查得，当UGSQ3V时的漏极电流 IDQ1mA 因此管压降 UDSQVDDIDQRD5V。 （2）求电压放大倍数： 多级放大电路一、判断。 （1）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。( ) （2）互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) （3）运放的输入失调电压UIO是

27、两输入端电位之差。( ) （4）运放的共模抑制比 ( ) （5）有源负载可以增大放大电路的输出电流。( ) （6）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( ) （7）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（ ）（8）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（ ） （9）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（ ） （10）放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。（ ） （11）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（ ） （12）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）

28、 （13）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ）（14）功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。（ ） 二、选择（1）选择合适电路组成两级放大电路，要求输入电阻大于10M，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，第二级应采用( )。 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是( )。 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数（4）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻

29、Re，将使电路的( )。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大（5）互补输出级采用共集形式是为了使( )。 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强（6）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大( ) 。 A交流功率 B直流功率 C平均功率（7）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为( ) 。 A1W B0.5W C0.2W（8）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( ) 。 A BICM CBUCEO DPCM （9）通用型集成运放适

30、用于放大( )。 A高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号（10）集成运放制造工艺使得同类半导体管的( )。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C参数一致性好（11）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用( )。 A共射放大电路 B. 共集放大电路 C共基放大电路（12）欲得到电流电压转换电路，应在放大电路中引入( ) 。 A电压串联负反馈 B电压并联负反馈 C电流串联负反馈 D电流并联负反馈（13）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入( )。 A电压串联负反馈 B电压并联负反馈 C电流串联负反馈 D电流并联负反馈（14）对于放大电路，所谓开环是指(

31、 )。 A无信号源 B无反馈通路 C无电源 D无负载（15）直流负反馈是指( )。 A直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B只有放大直流信号时才有的负反馈 C在直流通路中的负反馈（16）交流负反馈是指( )。 A阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B只有放大交流信号时才有的负反馈 C在交流通路中的负反馈三、分析与计算 1. 设图中所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出、Ri和Ro的表达式。 2. 图中所示电路参数理想对称，12，rbe1rbe2rbe。 （1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式； （2）写出RW的滑动端在最右端时Ad的表达式，比较两个结果有什么不同。 3

32、. 电路如图所示，T1管和T2管的均为40，rbe均为3k。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入电压uIC=？差模输入电压uId=？输出动态电压uO=? 4. 电路如图所示，晶体管的=50， =100。 （1）计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位； （2）用直流表测得uO=2V，uI=？若uI=10mv，则uO=？ 5. 电路如图所示，T1T5的电流放大系数分别为15，b-e间动态电阻分别为rbe1rbe5，写出、Ri和Ro的表达式。 6.电路如图所示。已知电压放大倍数为100，输入电压uI为正弦波，T2和T3管的饱和压降UCES=1V。试问：

33、（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？ （2）若Ui10mv(有效值)，则Uo？若此时R3开路，则Uo=？若R3短路，则Uo=？ 7. 电路如图所示，已知1=2=3=100。各管的UBE均为0.7V，试求IC2的值。 8. 已知一个集成运放的开环差模增益Aod为100dB，最大输出电压峰-峰值Uopp14V，分别计算差模输入电压uI（即uPuN）为10V、100V、1mV、1V和10V、100V、1mV、1V时的输出电压uO。 9. 如图所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。已知集电极C0与C1所接集电区的面积相同，C2所接集电区的面积是C0的两倍，ICO/IB= 4，

34、e-b间电压约为0.7V。试求解IC1、IC2各为多少。 10. 电路如图所示，T管的低频跨导为gm，T1和T2管d-s间的动态电阻分别为rds1和rds2。试求解电压放大倍数Au=uO/uI的表达式。 11. 电路如图所示，T1与T2管的特性相同，所有晶体管的均相同，Rc1远大于二极管的正向电阻。当uI1uI20V时，uO0V。（1）求解电压放大倍数的表达式；（2）当有共模输入电压时，uO=？简述理由。 12. 在所示电路中，已知T1T3管的特性完全相同，2；反相输入端的输入电流为iI1，同相输入端的输入电流为iI2。试问： （1）iC2? （2）iB2? （3）Aui=uO/(iI1iI2

35、)？ 13.所示电路是某集成运放电路的一部分，单电源供电，T1、T2、T3为放大管。试分析： （1）100A电流源的作用； （2）T4的工作区域(截止、放大、饱和)；（3）50A电流源的作用； （4）T5与R的作用 14.判断所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数或。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 15. 电路如图所示，试说明电路引入的是共模负反馈，即反馈仅对共模信号起作用。 16. 已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Auf20，其基本放大电路的电压放大倍

36、数Au的相对变化率为10，Auf的相对变化率小于0.1，试问F和Au各为多少？ 17. 电路如图所示。试问：若以稳压管的稳定电压UZ作为输入电压，则当R2的滑动端位置变化时，输出电压UO的调节范围为多少？ 18. 已知负反馈放大电路的 。 试分析：为了使放大电路能够稳定工作（即不产生自激振荡），反馈系数的上限值为多少？ 19. 电路如图所示。 （1）试通过电阻引入合适的交流负反馈，使输入电压uI转换成稳定的输出电流iL； （2）若uI05V时，iL010mA，则反馈电阻RF应取多少？ 20. 在所示电路中，已知A为电流反馈型集成运放，试问： （1）中频电压放大倍数； （2）上限截止频率。集成运

37、算放大器的应用 一、判断。（1）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（ ） （2）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（ ） （3）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（ ） （4）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（ ） （5）因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的F0，单管共集放大电路的A0，满足正弦波振荡的相位条件AF2n（n为整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。（ ） （6）在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。（ ） （7）只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。（ ） （8）一般

38、情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。（ ） （9）如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。（ ）（10）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。（ ）二、选择。（1）欲实现Au100的放大电路，应选用（ ） 。 A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路 D. 微分运算电路 （2）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（ ） 。A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路 D. 微分运算电路 （3）制作频率为2 MHz

39、20MHz的接收机的本机振荡器，应选用（ ） 。 A. RC桥式正弦波振荡电路 B. LC正弦波振荡电路 C. 石英晶体正弦波振荡电路 （4）制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（ ）。 A. RC桥式正弦波振荡电路 B. LC正弦波振荡电路 C. 石英晶体正弦波振荡电路 （5）当信号频率ff0时，RC串并联网络呈（ ）。 A容性 B阻性 C感性三、填空（1）已知输入信号的频率为10kHz12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（ ） 滤波电路 。（2）为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ ）滤波电路 。（3）（ ） 运算电路可实现Au1的放大器。（4）（ ） 运算电路可实现Au0的放大

40、器。（5）（ ） 运算电路可实现函数YaX1bX2cX3，a、b和c均大于零。（6）（ ） 运算电路可实现函数YaX1bX2cX3，a、b和c均小于零。四、分析与计算。1. 已知所示电路中的集成运放均为理想运放，试求解电路的运算关系。2. 电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为14V，填表。uI/V0.10.51.01.5uO1/VuO2/V 3. 设计一个比例运算电路， 要求输入电阻Ri20k， 比例系数为100。4. 试求图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。5. 电路如图所示。 （1）写出uO与uI1、uI2的运算关系式； （2）当RW的滑动端在最上端时，若uI110mV，uI

41、220mV，则uO？ （3）若uO的最大幅值为14V，输入电压最大值 uI1max10mV，uI2max20mV，最小值均为0V，则为了保证集成运放工作在线性区，R2的最大值为多少？ 6. 试分别求解各电路的运算关系。 7. 在所示电路中，已知R1RR100k，R2Rf100k，C1F。 （1）试求出uO与 uI的运算关系。 （2）设t0时uO0，且uI由零跃变为1V，试求输出电压由零上升到6V所需要的时间。8. 画出利用对数运算电路、指数运算电路和加减运算电路实现除法运算的原理框图。 9. 为了使所示电路实现除法运算， （1）标出集成运放的同相输入端和反相输入端； （2）求出uO和uI1、u

42、I2的运算关系式。 10. 试说明所示各电路属于哪种类型的滤波电路，是几阶滤波电路。11. 设一阶LPF和二阶HPF的通带放大倍数均为2，通带截止频率分别为2kHz和100Hz。试用它们构成一个带通滤波电路，并画出幅频特性。12. 试分别求出所示各电路的电压传输特性。13. 判断所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。设图（b）中C4容量远大于其它三个电容的容量。 14. 电路如图所示，试求解： （1）RW的下限值； （2）振荡频率的调节范围。 15. 所示电路为正交正弦波振荡电路，它可产生频率相同的正弦信号和余弦信号。已知稳压管的稳定电压UZ6V，R1R2R3R4R5R，C1C2C。 （

43、1）试分析电路为什么能够满足产生正弦波振荡的条件； （2）求出电路的振荡频率； （3）画出和的波形图，要求表示出它们的相位关系，并分别求出它们的峰值。 16. 试分别指出所示两电路中的选频网络、正反馈网络和负反馈网络，并说明电路是否满足正弦波振荡的相位条件。 17. 在所示电路中，已知R110 k，R220 k，C0.01F，集成运放的最大输出电压幅值为12V，二极管的动态电阻可忽略不计。 （1）求出电路的振荡周期；（2）画出uO和uC的波形。 18. 电路如图所示，已知集成运放的最大输出电压幅值为12V，UI的数值在uO1的峰峰值之间。 （1）求解uO3的占空比与UI的关系式；（2）设UI2

44、.5V，画出uO1、 uO2和 uO3的波形。 19. 试分析所示各电路输出电压与输入电压的函数关系。 20.电路如图所示。 （1）定性画出uO1和 uO的波形； （2）估算振荡频率与uI的关系式。直流稳压电源 一、判断题(1) 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。（ ）(2) 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。（ ） （3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（ ） （4）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为。（ ） （5）当输入电

45、压UI和负载电流IL变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。（ ） （6）一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。（ ） （7）整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（ ） （8）电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。（ ） （9）在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（ ） （10）对于理想的稳压电路，UO/UI0，Ro0。（ ） （11）线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。（ ） （12）因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ） （13）在稳压管

46、稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流；（ ） （14）在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。（ ）二、选择题 （1）整流的目的是 。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （2）在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 。 A. 输出电压约为2UD B. 变为半波直流 C. 整流管将因电流过大而烧坏 （3）直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 （4）滤波电路应选用 。A. 高通滤波电路 B. 低通滤波电路 C. 带通滤波电路

47、 （5）若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用 。 A. 电容滤波稳压管稳压电路 B. 电感滤波稳压管稳压电路 C. 电容滤波串联型稳压电路 D. 电感滤波串联型稳压电路 （6）串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 。 A. 基准电压 B. 采样电压 C. 基准电压与采样电压之差 （7）开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 。 A. 调整管工作在开关状态 B. 输出端有LC滤波电路 C. 可以不用电源变压器 （8）在脉宽调制式串联型开关稳压电路中，为使输出电压增大，对调整管基极控制信号的要求是 。 A. 周期不变，占空比增大 B. 频率增大，占空比不变 C. 在一个周期内，高电平时间不变，周期增大三、填空题 1、在下图所示电路中，调整管为 ，采样电路由 组成，基准电压电路由 组成， 比较放大电路由 组成， 保护电路由 组成；输出电压最小值的表达式为 ，最大值的表达式为 。四、分析与计算题1. 在下图所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电压UZ为6V，最小稳定电流IZmin为5mA，最大稳定电流IZmax为40mA；输入电压UI为15V，波