半导体器件习题及答案

1、第 1 章 半导体器件、是非题 ( 注:请在每小题后 内用 表示对 ,用表示错1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。2、3、4、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。 在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体带正电， N型半导体带负电。 ( )(P型半导体。5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。(6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。8、施主杂质成为离子后是正离子。 (受主杂质成为离子后是负离子。 ( ) 10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用

2、下形成的。 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 12、由于 PN结交界面两边存在电位差，所以，当把9、)PN结两端短路时就有电流流过。 (13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外， 击穿特性。( )还可以描述二极管的反向15、通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 16、有人测得某晶体管的 UBE=0.7V ，I B=20A，因此推算出 rbe=U BE/IB=0.7V/20 17、有人测得晶体管在 UBE=0.6V ，IB=5A，因此认为在此工作点上的 rbe 大约为 () A

3、=35k 。(26mV/I B=5.2k18、有人测得当 UBE=0.6V ，IB=10A。考虑到当 UBE=0V 时 IB=0 因此推算得到rbeUBE 0.6 0 60(k )I B10 0。二、选择题(注: 在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处, 多选或不选按选错论 ). 1 、在绝对零度( 0K)时，本征半导体中A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数载流子。2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生3、4、A. 负离子 B. 空穴 C.半导体中的载流子为N型半导体中的多子是正离子D. 电子- 空穴对。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D.

4、电子和空穴。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子10、在下图 1.10 所示电路中， 电流的大小将是 图 1.11V=5V不变。当温度为 20OC时测得二极管的电压 U D=0.7V 。当温 度上生到为 40OC时, 则 UD的大小将是 A. 仍等于 0.7V B. 大于 0.7V C. 小于 0.7V D. 不能确定12、设图 1.11 电路中保持 V=5V不变， 当温度为 20时测得二极管的电流 I=2mA。当温度上升 到 40 时，则 I 的大小将是。 A. I=2mA B.13、图 1.13 中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流图 1.1011、图 1.11 所示电

5、路中电源图 1.13I 2mA0.1mA, 反向击穿电压为 5V, 击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流等于 A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA14、二极管的主要特性是 A. 放大特性 B. 恒温特性 C. 单向导电特性D. 恒流特性15、在下图 1.15 所示电路中， D1D3 为理想二极管， 的灯是 。 A. b B. c C. aA、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮16、二极管电路如下图 1.16 所示， 判断图中二极管是导通还是截止后， 可确定电路的输出电压 Vo 为。 （ 设二极管的导通压降 0） A.5.6V B.-4.3V C.-5

6、V D.6V5、P 型半导体中的多子是 。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子6、在杂质半导体中， 多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷7、当 PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层 。当 PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变。（ A 115%B1大于8、二极管正向电压从 0.7V 增大 15%时，流过的电流增大15% C1小于 15%）当流过二极管的电流一定， 而温度升高时， 二极管的正向电压 （

7、A2增大 B2减小； C2基本不变）9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线 。（ A1上移 B1下移 C1不变）说明此时反向电流 。（ A2减小 B2增大 C2不变） .当电源 V=5V时，测得 I=1mA。若把电源电压调整到 V=10V，则 I=2mA B.I2mA D. 不能确定17、18、19、20、图 1.15图 1.16二极管电路如上图图 1.17图 1.181.17 所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电( 设二极管的导通压降为 0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V 二极管电路如上图 1.18 所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确

8、定电路的输出电压 Vo 为压 Vo 为。(设二极管的导通压降为 0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V电路如下图 1.19 所示。试估算 A 点的电位为A. 6.7VB. 6V C. 5.7VD. 6.7V。(设二极管的正向压降为 0.7V 。)已知如下图 1.20 所示电路中 V A 0V， 的值为 。(设二极管的正向压降为VB 5V，分析二极管的工作状态后，可确定V oC.4.3V D.0.7V图 1.190.7V 。) A.5VB.-4V21、设硅稳压管 DZ1 和1.21(a)中电路的输出电压V o为；可求出图 1.21(b)中电路的输出电压 Vo 为；可A.0

9、.7VB.1.4V C.5VD.7V E.8VG.13VH.17V F.11.6V图 1.21(c)图 1.21(d)图 1.22(a)图 1.22(b)求出图 1.21(c)中输出电压 V o为；可求出图 1.21(d)中输出电压 Vo为22、已知 DZ1、DZ2的稳压值分别为 6V 和 7V，且具有理想的稳压特性， 可求得图 1.22(a)路中， 输出电压为 ；可求得图 1.22(b)中输出电压为A. 1VB. 5VC. 6VD. 13VE. 7V23、二极管的双向限幅电路如右图所示。设vi 为幅值大于直流电源 VC1（= VC2）值的正弦波，二极管为理想器件。A. a) B. b) C.

10、 c) D. d)24、在同一测试电路中，分别测得 A、B和 C 三个二极管电流如下表所示。二极管的性能则可画出 vo 的波形为 。最好的是 A. a) B. b) C. c管号加 0.5V 正向电压时的电流加反向电压时的电流a)0.5mA1Ab)5mA0.1 Ac)2mA5A25、一个硅二极管在正向电压 UD=0.6V 时，正向电流 ID=10mA。若 UD增大到 0.66V（ 即增加 10%）， 则电流 ID。 A. 约为 11mA（也增加 10%）； B. 约为 20mA（增大 1 倍）；C. 约为 100mA（增大到原先的 10 倍）； D. 仍为 10mA（基本不变） 。26、用万用

11、表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指 NPN型还是 PNP型） 与三个电极时以测出 最为方便。C. 各极电流，反向饱和电流 ICBO，正向结电压A. 中极间电阻 B. 各极对地电位27、温度升高时，晶体管的电流放大系数UBE 。 A. 变大 B. 变小 C. 不变28、温度升高时， 晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。A. 上移 B. 下移 C. 左移 D. 右移 E. 增大 F. 减小 G. 不变29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。A 发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏C 发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，

12、集电结正 偏30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下1.30 图所示，该晶体管的类型是 。 A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 D.PNP 型锗管31、某三极管各个电极的对地电位如图1.37 所示，可判断其工作状态是 。A. 饱和 B. 放大 C. 截止D2V6V1.3V图 1.30已损坏32、三极管的穿透电流 ICEO是集 - 基反向饱和电流的倍. A. a B.1+ C. 33、三极管工作在饱和区时， b-e 极间为，b-c 极间为；工作在放大区时， b-e极间为， b-c 极间为。 A. 扩散电流 B. 漂移电流34、某三极管的极限参数 PCM=1

13、50mW ，ICM=100mA ，V(BR)CEO=30V 。若它的工作电压 VCE=10V ， 则工作电流 IC不得超过 mA ( A.100ma B. 15mA C. 1mA )；若工作电压 VCE=1V ，则工作电流不得超过mA ( A.100mAB. 15mA C. 1mA )；若工作电流 IC=1mA ，则工作电压不得超过V(A. 30V B. 10VC. 1V)。三、计算题1.写出图 3.1 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD0.7V。图 3.12.已知稳压管的稳压值 UZ 6V ，稳定电流的最小值 IZmin 5mA 。求图 3.2 所示电路中 UO1 和 UO2 各为

14、多少伏。3 电路如图 3.3 所示，已知 ui10sint（v），试画出 ui与 uO 的波形。设二极管正向导通电压可 忽略不计。图 3.3uO 的波5 电路如图 3.5（ a）所示，其输入电压 uI1 和 uI2 的波形如图（ b）所示，二极管导通电压UD 0.7V 。试画出输出电压 uO 的波形，并标出幅值。图 3.56 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V 。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？3.7 所示电路中稳压管的稳定电压 U Z 6V ，最小稳定电流 IZ

15、min 5mA ，最大稳定电7 已知图 流 I Zmax 25mA。?为什么？I Zmin 路（1）分别计算 UI为10V、15V、35V 三种情况下输出电压 UO的值； （ 2）若 U I 35V 时负载开路，则会出现什么现象8 已知稳压管的稳定电压 UZ6V ，稳定电流的最小值 5mA ，最大功耗 PZM 150mW 。试求图 3.8 所示电 中电阻 R 的取值范围。图 3.89.在图 3.9 所示电路中，发光二极管导通电压UD 1.5V，正向电流在 5 15mA 时才能正常工作。试问：（1）开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R 的取值范围是多少？图 3.910 电路如图 3

16、.10（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压 UZ3V，R 的取值合适， uI的波形如图 （ c）所示。试分别画出 uO1和 uO2 的波形。11.有两只晶体管，一只的 200，ICEO200A；另一只的 100， ICEO 10 A ，其它参 数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？12 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 3.12 所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它 们是硅管还是锗管。13.已知两只晶体管的电流放大系数 分别为 50 和 100，现测得放大电路中这两只管子两个电 极的电流如图 3.13 所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。图 3.1314

17、电路如图 3.14 所示，晶体管导通时 UBE0.7V ， 情况下 T 的工作状态及输出电压 uO 的值。=50。试分析 VBB为0V、1V、1.5V 三种图 3.1415.电路如图 3.15 所示，试问 大于多少时晶体管饱和？16 电路如图 3.16 所示，晶体管的 50，|U BE| 0.2V ，饱和管压降 |U CES| 0.1V ；稳压管的稳 定电压 UZ 5V ，正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI0V 时 uO？当 uI 5V 时 uO？图 3.1617 分别判断图 3.17 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图 3.17第 1 章 半导体器件习题答案、判断题

18、123456 7 8 9101112131415 16 17 18选择题1B2D3D4A5B6C A 7A E B D 8B1B2 9B1B210C11C12. C13. B14.C15. B 16. C 17. B 18. D 19. D 20. C21G B C A22. A C23. A24.B25. C 26. B 27. A A B 28. C A E 29. B30A31. D32. B33. A A A B34. B A A三、计算题1.UO11.3V，UO20，UO31.3V，UO42V，UO51.3V，UO6 2V。2.U O16V ，UO25V。3. ui和 uo的波形如图

19、 T3.3T3.4T3.34.波形如解图 T3.4 所示。5.波形如图 3.5 所示6.（1）两只稳压管串联时可得（ 2）两只稳压管并联时可得7.（1）当 UI 10V 时，若以稳压管未击穿。故 U O1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。0.7V 和 6V 等两种稳压值。UOUZ6V，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所RLR RLUI3.33V当 UI15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以UOUZ6V同理，当 UI35V 时， UOUZ6V。（2） IDZ （UI UZ） R 29mA I ZM 25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。8.稳压管的最大稳定电流： IZM PZM /U Z 25mA电阻 R 的电流为 IZM IZmin , 所以其取值范围为：R UI UZ0.361.8kIZ9.（1）