激光烧蚀法制备一维纳米线解析

1、激光烧蚀法制备一维纳米线一、激光烧蚀:一维纳米材料是在碳纳米管的基础上发展起来的 ,各种新颖的一维纳米材料相继被发现。一维纳 米结构具有的许多独特性能不仅为人们研究材料 的电子、光学、输运性质、机械等性能与量子尺 度的关系提供了好的物质模型，而且也为纳米结 构的合成和组装提供了新的机遇。一维纳米材料 的可控制备、性能研究和应用对于促进纳米科技 领域的发展有十分重要的作用，有助于发现新的 效应，发展新的器件，以至于形成新的产业。:激光烧蚀法是用一束高能激光辐射靶材表面,使其表 面迅速加热融化蕎结晶生长的一种制备 I一定密度的蒸发 粒子和高温区域材料的方法。图1激尢烧蚀広示总图图2激尢烧蚀法制条的

2、納来线的形稅图YOUR SITE HERE图3纳米催化剂制备纳*线的示怠图 VLS生长纳米线（管）中存在着两个过程： 一是气态原子在气液界面不断解离溶入液态催化剂中； 二是过饱和溶质在液固界面以界面能最低的方式不断析出该过程中气、液和三相共存，故被称为VLS生长。OKre图3絞悴化硅纳米线生长示克图f厂l . “、二液的mraei从GeAu二元相图可看 出当温度高于最低共熔 点（363X?）时.Gt和Au 将形成液相合金（I ） 由于液相表面的吸附系 数大来自气相的（2将 优先在G&Au的液相合 金表面沉积当3在Go Au的液相合金中过饱和 时纳米线将在固液 界面处析出（UIIbGe纳米线的z

3、 （液同1：氏过程及GeAu兀相图Gc纳米晶体的生长Ge纳米晶体的成核 镜观察Ge纳米线的八（液固L氏过秤三、一维纳米线的影响因素激光强度:激发的等离子体气焰的状态；F:生长腔压力:决定内部气体的密度，影响热梯度及生长的速率和方向；:气流流速:决定蒸发后等离子体的流动速度，影响纳米线在 核上进一步生长的方向和速率；:生长时间:影响纳米线的生长大小，过长也会使副产品增多生长温度:一般高温可以减少生成纳米线时产生的缺陷。YOUR STTE HEREKig J. Gnkd SiSWwynhpvcdh) Imktmnixn nhapcsU) HdiSiSW having:pikh akxyof BOM

4、iedSiS WRfbi coiled SiSH wtlb pilch make than UK (0 A comfiltcuM ooikd SiW. (d| Hcht shjfvJ S A tHurn cuUcd StNW四、总结与展望激光烧蚀法与VLS生长机制结合起来制备 一维纳米材料，一维纳米材料的半径、长度、 形貌等受激光烧蚀法的工艺参数的控制。进一步研究纳米线的生长机理以及激光工艺参 数与制备结果的关系，在此基础上找到能大量 生产的制备工艺，以便能用于工业化生产。YOUR SITE HERE参考文献r 11 Yi-Han Yang, Sheng-J la Wu, Hui-Shan Chiu et al. Catalytic Growth of Silicon Nano wires Assisted by Laser Ablation|Jl.J. Phys. Chem. 2004.108, 846-852.|2|裴立宅届元洪.硅纳米线的制各与生长机理|川.材料科学与工程学报 20(M.92:922-92.:出農立宅.硅纳米线