电子元件老化筛选工艺规程

1、本安用电子元件老化筛选工艺规程1 范围1.1 本工艺适应于防爆电器产品中本安用锗、硅半导体二极管、三极管、集成电路、电容器 元件的老化筛选。1.2 本工艺适用于进厂检验合格的元件进行老化筛选。2 引用标准2.1 GB4032 半导体分立器件GB4936.1 半导体分立器件总规范GB4938 半导体分立器件接收和可靠性3 设备、仪器、工具3.1 晶体管老化台3.2 晶体管特性图示仪3.3 晶体二极管测试仪3.4 万用电桥3.5 电容测试仪3.6 电热鼓风干燥箱3.7 交流稳压器3.8 万用表4 高温储存4.1 目的 使具有潜在缺陷的器件（如污染、引线不良、氧化缺陷等）提前失效，加以清除。4.2

2、储存温度a)锗二、三极管：85 士 2Cb)硅二、三极管：85 3Cc)集成电路：85 2C4.3 储存时间 24h4.4 试验方法4.4.1 初试4.4.1.1 标准测试条件a) 环境温度：25 5Cb) 相对湿度：45%75%c) 大气压力：86106kpa4.4.1.2 技术要求 按器件电参数规范测试a) 二极管V BR ：击穿电压。IK ： 反向电流。b) 三极管ICBO ：集电极 基极反向击穿电流。V ( er) ceo：集电极一发射极反向击穿电压。Vce(sat):集电极一反向饱和压降。IC VCE :共射极输出特性曲线。Hfe :共射极静态电流放大系数。c) 稳压二极管UZ:稳定

3、电压IZ ： 稳定电流d) 电阻器 选择筛选的电阻器测量阻值的误差范围不得超过 5%。e) 集成电路选择能预示器件早期失效的参数，作为筛选参数。 注：集成电路种类、规格繁多，差异较大，根据实际应用情况选测主要参数。f) 电容器电解电容量允许误差为2 0% ，无极电容电容量允许误差为5%。4.4.2 试验步骤4.4.2.1 将初测合格的器件装入专用金属盒,放入烘箱 ,把温度调到规定值 .1h.4.4.4.2 温度达到规定值时开始计算时间 ,48h 后取出器件 ,并在室温下恢复应不少于4.4.2.3 重复 4.4.1 条的测试步骤 .5 常温静态功率老化5.1 目的在较长时间内对器件连续施加一定的

4、电压力,通过电 热应力的综合作用 ,来加速器件内部的物理 化学反映的过程 .促使器件内部各种潜在的缺陷及早暴露,以剔除早期失效的器件 .5.2 试验要求5.2.1 二极管5.2.1.1 检波、开关、 整流二极管的正向电功率的老化，应取额定正向电流的 1.5 倍，老化时 间为 48h 。5.2.1.2 稳压二极管的反向电功率老化，应以其额定功率的2 倍进行，老化时间为 48h。5.2.2 三极管5.221当PCM w 500mw时，在0.6BVCEO电压下，按额定功率的1.2倍老化，老化时间 48h.5.222当1w PCM 500mw时，在0.6BVCEO电压下，按额定功率的1.5倍老化，老化

5、时间48h.5.223当PCM 1w时，在0.5ICM电流下，按额定功率老化时间，时间为12h。此时应按产品技术条件规定加装散热片。5.2.2.4 当使用晶体管热敏参数快速筛选设备对上述器件进行老化时，其老化时间及试验方法，按设备的相应规定进行。5.3 试验方法5.3.1 初测按 4.4.1 的步骤进行。5.3.2 试验步骤5.3.2.1 按晶体管老化台说明书要求， 将该设备各开关， 预置在规定位置。 （包括： NPN、PNP 转换，电压极性、电压范围等） 。5.3.2.2 插好三极管（数量不够时允许有空位） .5.3.2.3 上述准备工作完成以后，接通老化台电源。5.3.2.4 按老化条件要

6、求调好所施加的电压，并开始计算时间。5.3.2.5 达到老化时间后切断老化实验台电源。5.3.2.6 重复 4.4.1 的步骤。6 注意事项6.1 常温静态功率老化过程中，应随时监测电压、电流数值，以保证老化条件的稳定。6.2 在初测及复测时，要防止因失效的半导体器件引起仪表过载。6.3 试验时，如果热源温度失控，就可能破坏或损伤器件，因此， 热源应装备重复的过热控 制来限制最高温度。7 验收规则7.1 由质检部接到检验通知单后进行。 首先检查元件是否为本公司的合格供方， 出厂产品是 否有合格证明等。7.2 电解电容的出厂期不得超过一年。7.3 所有元件抽样检查， 抽样率 5%，初测时被抽取的样品总数经检测合格率低于98%的， 则判定该批总体不合格。 否则判定该批总体为合格品。 经电热老化后的样