霍尔式传感器

1、第二节 霍尔式传感器霍尔式传感器是基于霍尔效应原理而将被测量， 如电流、磁场、位移、压力、 压差、转速等转换成电动势输出的一种传感器。 虽然它的转换率较低， 温度影响 大，要求转换精度较高时必须进行温度补偿， 但霍尔式传感器结构简单， 体积小， 坚固，频率响应宽（从直流到微波），动态范围（输出电动势的变化）大，无触 点，使用寿命长，可靠性高，易于微型化和集成电路化，因此在测量技术、自动 化技术和信息处理等方面得到广泛的应用。、工作原理与特性一）霍尔效应金属或半导体薄片置于磁场中， 当有电流流过时， 在垂直于电流和磁场的方 向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。假设薄片为 N 型半导体，磁

2、感应强度为 B的磁场方向垂直于薄片，如图 5-6 所示，在薄片左右两端通以电流 I （ 称为控制电流 ） ，那么半导体中的载流子 （电 子） 将沿着与电流 I 的相反方向运动。由于外磁场 B 的作用，使电子受到图 5-6 霍尔效应原理图磁场力 FL（洛仑兹力 ）而发生偏转，结果在半导体的后端面上电子有所积累而 带负电， 前端面则因缺少电子而带正电， 在前后端面间形成电场。 该电场产生的 电场力 FE阻止电子继续偏转。当 FE与 FL 相等时，电子积累达到动态平衡。这时， 在半导体前后两端面之间 （即垂直于电流和磁场的方向 ） 建立电场，称为霍尔电场 EH，相应的电势就称为霍尔电势 UH。若电子

3、都以均一的速度 v 按图示方向运动，那么在 B 的作用下所受的力 FL evB，其中 e 为电子电荷量， e1.60210-19C。同时，电场 EH作用于电子的力 FH - eEH，式中的负号表示力的方向与电场方向相反。设薄片长、宽、厚分别为 l、b、d，则 FH- eUH/ b。当电子积累达到动态平衡时 FLFH0，即 vBUH/ b。 而电流密度 j =- nev，n 为 N型半导体中的电子浓度， 即单位体积中的电子数， 负 号表示电子运动速度的方向与电流方向相反。所以 I =jbd =- nevbd，即 v=-I/（ nebd） 。将 v代入上述力平衡式，则得(5-2)式中 RH 霍尔系

4、数，RH-1/ ne（m3C-1），由载流材料物理性质所决定；kH灵敏度系数， kHRH/ d（VA-1T-1），它 与载流材料的物理性质和几何尺寸有关， 表示在单位 磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势的大小。如果磁场和薄片法线有 角，那么5-3)具有上述霍尔效应的元件称为霍尔元件。 霍尔式传感器就是由霍尔元件所组 成。金属材料中自由电子浓度 n 很高，因此 RH很小，使输出 UH 极小，不宜作霍 尔元件。如果是 P 型半导体，载流子是空穴，若空穴浓度为 p，同理可得 UH IB/ped。因RH（其中为材料电阻率； 为载流子迁移率， =v/E ，即单 位电场强度作用下载流子的平均速度） ，一

5、般电子迁移率大于空穴迁移率， 因此 霍尔元件多用 N型半导体材料。霍尔元件越薄（即 d 越小）， kH就越大，所以通 常霍尔元件都较薄。薄膜霍尔元件厚度只有 1m左右。二）霍尔元件霍尔元件的外形如图 5-7a 所示，它是由霍尔片、 4 根引线和壳体组成，如 图 5-7b 所示。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为 4 20.1mm3 ），在 它的长度方向两端面上焊有 a、b 两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色 导线。其焊接处称为控制电流极（或称激励电极），要求焊接处接触电阻很小， 并呈纯电阻，即欧姆接触（无 PN结特性）。在薄片的另两侧端面的中间以点的 形式对称地焊有 c、d 两根霍尔

6、输出引线，通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔 电极，要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比要小于 0.1 ，否则影响输出。 霍尔元件的壳体是用非导磁金属，陶瓷或环氧树脂封装。目前最常用的霍尔元件材料是锗（ Ge）、硅（ Si ）、锑化铟（ InSb）、砷化 铟（ InAs ）和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的 In （AsyP1-y）型固熔体（其中 y 表示百分比）等半导体材料。其中 N 型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能 和线性度都较好。 N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同 N 型锗，但其 电子迁移率比较低， 带负载能力较差， 通常不用作单个霍尔元件。 锑化铟对温度 最敏感，尤其在低

7、温范围内温度系数大， 但在室温时其霍尔系数较大。 砷化铟的 霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。 In （AsyP1-y）型固熔体的 热稳定性最好。图 5-7c 为霍尔元件符号，图 d 是它的基本电路。、霍尔元件的误差及其补偿由于制造工艺问题以及实际使用时所存在的各种影响霍尔元件性能的因素， 如元件安装不合理、 环境温度变化等， 都会影响霍尔元件的转换精度， 带来误差（一）霍尔元件的零位误差及其补偿霍尔元件的零位误差包括不等位电动势、寄生直流电动势等。1. 不等位电动势 U0 及其补偿不等位电动势是零位误差中最主要的一种。当霍尔元件在额定控制电流 （ 元 件在空气中温升 10所对应

8、的电流 ） 作用下，不加外磁场时，霍尔输出端之间的 空载电势， 称为不等位电动势 U0。U0产生的原因是由于制造工艺不可能保证将两 个霍尔电极对称地焊在霍尔片的两侧，致使两电极点不能完全位于同一等位面 上，如图 5-8a 所示。此外霍尔片电阻率不均匀或片厚薄不均匀或控制a） 两电极点不在同一等位面上 b） 等位面歪斜电流极接触不良都将使等位面歪斜（见图 5-8 b），致使两霍尔电极不在同 一等位面上而产生不等位电动势。一般要求 U0，所以式(5-4 ) 可简化为(5-5)根据式( 5-5 )选择输入回路并联电阻 RP，可使温度误差减到极小而不影响 霍尔元件的其它性能。实际上 RP 也随温度而变

9、化，但因其温度系数远比 值小， 故可以忽略不计。2合理选取负载电阻 RL 的阻值霍尔元件的输出电阻 Ro 和霍尔电势 UH都是温度的函数(设为正温度系数)， 当霍尔元件接有负载 RL(如放大器的输入电阻)时，在 RL 上的电压为式中 Ro0温度为 t 0时的霍尔元件输出电阻。其它符号含义同上。为使负载上的电压不随温度而变化，应 使 dUL/d（ t -t 0）=0，即得可采用串、并联电阻的方法使上式成立来补偿温度误差。 但霍尔元件的灵敏 度将会降低。3采用恒压源和输入回路串联电阻当霍尔元件采用稳压电源供电， 且霍尔输出开路状态下工作时， 可在输入回 路中串入适当的电阻来补偿温度误差。其分析过程

10、与结果同式（ 5-5 ）。4采用温度补偿元件（如热敏电阻、电阻丝等）这是一种常用的温度误差的补偿方法，尤其适用于锑化铟材料的霍尔元件， 图 5-11 示出了几种不同连接方式的例子。热敏电阻 Rt 具有负温度系数， 电阻丝具有正温度系数。 图 a、b、c 中霍尔元件材料为锑化铟， 其霍尔输出具有负温度系数。 图 d 为用 Rt 补偿霍尔输出具有正温度系数的温度误差。使用时要求这些热敏元件尽量靠近 霍尔元件，使它们具有相同的温度变化。5霍尔元件不等位电动势 U0 的温度补偿U0受温度的影响， 可采用如图 5-12 所示的桥路补偿法。 图中 RP用来补偿 U0。 在霍尔输出端串入温度补偿电桥， Rt

11、 是热敏电阻。桥路输出随温度变化的 补偿电压与霍尔输出的电压相加作为传感器输出。 细心调节， 在40范围内补 偿效果很好。应该指出，霍尔元件因通入控制电流 I 而有温升，且 I 变动，温升改变，都 会影响元件的内阻和霍尔输出。 为使温升不超过所需值， 必须对霍尔元件的额定 控制电流加以限制， 尤其在安装元件时要尽量做到散热情况良好， 只要有可能应 选用面积大些的元件，以降低其温升。若将硅霍尔元件与放大电路、 温度补偿电路等集成在一起制成集成霍尔传感 器，则具有性能优良、使用方便、体积小、成本低、输出功率大和输出电压高等 优点，是应用最为广泛的集成传感器之一。、应用一）霍尔式位侈传感器保持霍尔元件的控制电流恒定， 而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿 x 方向移动如图 5-13 所示。则输出的霍尔电势为式中 k 位移传感器的灵敏度。霍尔电势的极性表示了元件位移的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁图 5-13 霍尔式位移传感器原理示意图场梯度越均匀， 输出线性度就越好。 为了得到均匀的磁场梯度， 往往将磁钢的磁 极片设计成特殊形状，如图 5-14b 所示。这种位移传感器可用来测量 0.5mm的 小位移，特别适用于微位移、机械振动等测量。若霍尔元件在均匀磁场内转动， 则产生与转角的正弦函数成比例的霍尔电压，因此可用来测量角位移。（