《模拟电子技术》习题集

1、模拟电子技术习题集 一、 填空题1. 半导体是一种导电能力介于 和 之间的物质。2. 半导体的导电类型分 型和 型半导体。3. 在判别硅、锗晶体二极管时，当测出正向电压为时就认为此二极管为锗二极管；当测出正向电压为时，就认为此二极管为硅二极管。4. N型半导体主要依靠 载流子导电。5. P型半导体主要依靠 载流子导电。6. PN结加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。PN结加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。7. PN结具有 性能，即加正向电压时结 ，加反向电压时结 。8. 当温度升高时，PN结的反向电流会。9. 用万用表欧姆挡测量二极管好坏时，测量的正反向阻值间相差越 越好

2、。10. 二极管按结构分类，可分为 、 、 三种。11. 硅稳压二极管是一种具有 作用的特殊二极管。12. 硅稳压二极管的动态电阻rz越 其稳压性能越好。13. 用硅稳压二级管组成稳压电路时，电路中稳压管必须与负载 联。14. 晶体三极管有 型和 型两种。15. 当温度上升时，晶体三极管的ICEO会 ，值 ，BE 。16. 三极管具有电流放大作用的外部条件必须使 结正向偏置， 结反向偏置。17. 晶体三极管的 区与 区由同一类型材料组成， 区掺杂最重， 区掺杂最轻。18. 当三极管饱和时，它的发射结必是 偏置，集电结必是 偏置。19. 硅三极管ICEO比锗管小得多，硅管的热稳定性比锗管要 。2

3、0. NPN 型三极管各电极电位关系是VCVBVE，该管工作于 状态。 21. PNP型三极管各电极电位关系是VCVBVE ，该管工作于 状态。22. 晶体三极管三个极电流之间的关系式为IE 。23. 晶体三极管输出特性中的三个区分别叫 区、 区和 区。24. 判断图1-10所示三极管的工作状态，其中也有损坏状态的可能。25. 在电路中测得各三极管对地电位如图111所示，判断三极管工作状态26. 在一个放大线路板内测得某只三极管三个极的静态电位分别为V1=6V，V23V，V3=3.7V可以判断1脚为 极，2脚为 极，3脚为 极，此管为 型管，由 材料制成。27. 在一个放大线路板内测得某只三极

4、管三个极对地电压分别为V1=6.2V， V26V，V3=9V，可以判断1脚为 极，2脚为 极，3脚为 极，此管为 型管，由 材料制成。28. 阻容耦合放大电路中，耦合电容的作用是 和 。29. 放大电路未加入信号时的工作状态称为 态。30. 放大电路未加入信号时晶体管各级的直流电压、电流的数值称电路的 工作点。31. 放大电路加上输入信号时的工作状态称为 态。32. 放大电路中直流成分通过的路径称为 通路。33. 放大电路中交流成分通过的路径称为 通路。34. 放大电路有三种连接方式，分别为 、 和 。35. 共射放大路，增大基极电阻Rb，其它参数不变，则偏流IBQ ，静态工作点向 移动。36

5、. 共射电路中，减小集电极电阻Rc，其它参数不变，则负载线的斜率 。37. 共射电路，增大直流电源Vcc，其它参数不变，负载线将向 变化。38. 交流负载线与直流线都通过 点。39. 某电路的交流负载线与直流负载线重合，可知此电路的负载电阻RL= 。40. 由于晶体管特性曲线的非线性引起的失真称为 失真。41. 共射电路，点过高易产生 失真。42. 共射电路，点过低易产生 失真。43. 放大电路的输出电阻越小，带负载能力越 。44. 射极输出器的电压放大倍数Av 。45. 射极输出器的输出电压与输入电压的相位相 。46. 射极输出器的输入电压 ri较 。47. 射极输出器的输出电阻ro较 。4

6、8. 射极输出器可用来作为多级放大器中的 级、 级和 级。49. 造成单级放大电路的放大倍数在高频段下降的原因是由于晶体管的PN结之间的 和电路的 影响。50. 放大电路的放大倍数 |Av| 与频率f的关系曲线称为 特性曲线。51. 放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.707倍时，对应的高端频率称为 频率。52. 放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.707倍时，对应的低端频率称为 频率。53. 上限频率和下限频率之间的范围叫 。54. 多极放大电路通频带比单级放大电路的通频带要 。55. 多级放大电路的级间耦合方式有 、 、 和 四种。56. 当输入信号时，若能保证信号不失真，放大器的

7、静态工作点可以选得 些。57. 若要求放大器有最大不失真输出，静态工作点应选择在负载线的 位置。58. 测量放大器的静态工作点的仪器是 。59. 测量放大器的电压放大倍数的仪器是 。60. 如图幅频特性曲线，请在图2-1标出上限频率fH,下限频率fL及通频带B。61. 两级放大电路，已知第一级AV1=100,第二级AV2=50,则总电压放大倍数Av= 。62. 两级放大电路，已知第一级Ri11K，第二级Ri2=1.5K，则总的输入电阻Ri= 。63. 两级放大电路，已知第一级输出电阻r01=6K,第二级输入电阻r02=3K,则总的输出电阻ri= 。64. 图22所示幅频特性，f L处的电压放大

8、倍数Avi是Avm的 倍。65. 如图23所示电路：由波形可知此电路已出现 失真，苦要消除该失真，应调节元件 使其 。 66. 欲使放大电路退出饱和失真，可以调节基极电阻Rb使其。67. 温度升高，共射电路的工作点易进入区。68. 图所示电路，已知三极管为硅管，电路正常工作三极管各极对地直流电压为：Vc= V；B= V；VCE= V；VBE= V。 69. 图2-4所示的电路，若Rb2(20K)短路，则各级直流电压：Vc= V；B= V；VCE= V；VBE= V。70. 图2-4所示电路，若Rb2断开，则各极直流电压（已知=10）：Vc= V；B= V；VCE= V；VBE= V。71. 为

9、了使放大器输出波形不失真，除需要设置 外；且输入信号幅度要 。72. 对于一个放大器来说， 一般希望其输入电阻 些；以减轻信号源的负担。希望输出电阻 些，以增大带负载的能力。73. 共发射极电路的输出电压与输入电压相位相 ，所以该电路有时被称为 。74. 多级放大器中， 级的输入电阻是 级的负载； 级的输出电阻是 级的信号源内阻； 级放大器输出信号是 级放大器的输入信号电压。75. 在Vds为某一定值时，使增强型场效应管开始有漏极电流Id时的Vds称为 。76. 晶体三极管称为 型晶体管，场效应管称为 型晶体管。77. 晶体三极管为 控制元件，场效应管为 控制元件。78. N沟道场效应管导电载

10、流子为 。79. P沟道场效应管导电载流子为 。80. 场效应管在使用中，决不能让 极悬空。81. 场效应管导电移特性曲线图3-3（a）所示，判别以下内容：该管为 沟道 型，VP或（VT） ；Idss= mA。82. 图3-3（b）所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为 沟道 型，Vp(或VT)= V，Idss= mA。83. 一场效应管漏极特性如图3-2所示，试分析此管：（1）管型为 沟道 型。(2)夹断电压或开启电压为 伏，Idss= ；gm= 。84. 一场效应管漏极特性如图31所示，则（1）该场效应管管型为 ；（2）夹断电压Vp或开启电压VT ；（3）Idss= 。85. 直接

11、耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会愈 。86. 为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级均采用 电路。87. 评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的 特性和 特性。88. 差动放大器中，Re对 信号呈现很强的负反馈作用；对 信号则无负反馈作用。89. 在差动放大电路中，常用晶体三极管作为 来代替电阻Re。90. 用于放大 信号和 信号的放大器称为直流放大器。91. 运算放大器实际上是一个集成的多级放大器，常由 级、 级和 级三部分组成。92. 集成运放的输入级一般采用 电路，以便获得较大的 比，抑制 。93. 集成运放的中间级主要进行 工作，常采用 和 措施来完成这一任

12、务。94. 集成运放的的输出级一般采用 ，以获得较强的 能力95. 集成运放有 个输入端，分别称为 和 。96. 在集成电路中，恒流源有两个用途，一是给电路 ；二是作为放大器的 使用。97. 图42为基本镜象电流源，已知：Vcc=15V,三极管均为硅管。（1）现要求镜像电流源输出电流为1mA，则R的数值R= 。（2）欲将该基本电流源改为微电流源，请在图上标出改动方案。 98. 图52为理想运放组成的反馈电路，该电路的反馈级态为 反馈。99. 图41为完全对称的差放电路，已知Vi1=5mV，Vi2=10mV，=50，Rc=6K，Rb=2K，rbc=1K，则：共模输入信号Vic=（ ）mV；差模输

13、入信号Vid=（ ）mV；共模输出电压Voc=( )mV，差模输出电压Vod=( )mV。100. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为80，反馈系数为0.02，该电路闭环放大倍数为 。101. 某电压串联负反馈放大电路，开环增益为Ao=104，反馈系数为0.001，则闭环增益为 。102. 能使输出电阻降低的是 反馈。103. 能使输出电阻提高的是 反馈。104. 能使输入电阻提高的是 反馈。105. 能使输入电阻降低的是 反馈。106. 能使输出电压稳定的是 反馈。107. 能使输出电流稳定的是 反馈。108. 能稳定直流工作点的是 反馈。109. 在差动放大电路中，能抑制共模信号的是 反馈。

14、110. 图51为理想运放组成的反馈电路，其反馈组态为 反馈。111. 举出若要提高多级放大电路的输入电阻，可以采取的三种措施（其中必须到少有一种为某种方式的反馈）。 、 、 。112. 串联负反馈宜于与 内阻的信号源配合。113. 并联负反馈宜于与 内阻信号源配合。114. 一个负反馈电路应采用哪种级态，需要根据电路要求，考虑 和 。115. 理想运算的Aod= ;Rid= ;Ro= ;Kcmr= .116. 方波信号经过 电路可以变成三角波信号。117. 三角波经过 电路可以变成方波。118. 比例运算电路输入电流基本上等于渡过反馈电阻的电流，而电阻小。119. 比例运算电路的输入电阻大，

15、 比例运算电路的输入电阻小。120. 图61为反相求和电路，若R1=R2=10K，Rf=5 K，V1=2V，V2=3V，则Vo= 。 121. 图62为差动式减法电路，若R1=R=10 K，R2=R4=20 K，此时，如果想使Vo为OV，则V1= 。122. 图63所示电路为理想运放，它能实现 运算，它的电压放大倍数为 。 123. 图64所示电路为理想运放，它能实现 运算，它的电压放大倍数为 。124. 由于 和 可得到“虚短”的概念；由于 和 可以得到“虚断”的概念。125. 图63中，R1=100K，Rf=50K，R2=33K，Vi=0.3V，则Vo= 。126. 图64中，R1=100

16、K，Rf=50K，R2=33K，Vi=0.3V ，则Vo= 。127. 图65所示电路，写出输入输出电压关系式：(a)Vo= ；(b)Vo= 。128. 图66所示电路，设理想运放已经调零，且已知其输出电压最大幅度为15V，Vo= ；当m悬空Vi=1V，Vo= ；当m、n接通，Vi=1V时，Vo= ；当m、n接通时Vi=1V时，Vo= 。129. 图91所示为直流稳压源的构成框图，试根据各输出电压的波形，在方框图内填写该部分电路的名称。130. 通过改变加触发脉冲的时刻，就可改变晶闸管的 ，使负载上的直流电压平均值随之改变，达到可控整流的目的。131. 整流滤波电路中，滤波电容越 ，输出电压V

17、o越高，纹波越 。132. 整流电路加滤波电容后的输出电压平均值比不加电容滤波时要 。133. 常用的基本滤波元件有 和 两种，构成电路时， 必须与负载串联， 必须与负载并联。134. 串联型稳压电路由 、 、 和 四部分组成。135. 使单结晶体管由截止突变为导通的电压称为 ；使单结晶体管由导通突变为截止的电压称为 。136. 图923所示电路，它输出的脉冲电压宽度取决于电容器C的 即为截止的电压称为 。 137. 滤波是通过电容限制 变化的作用和电感限制 变化的作用来实现保留整流后的直流成分，滤掉交流成分，达到输出平稳的目的。138. 阻容滤波形式较适用于负载电流 且负载 的场合。139.

18、 硅稳压管并联型稳压电路，测得电路输出电压为0.7V，说明是 原因。140. 稳压电路使直流输出电压不受 或 的影响。141. 硅稳压管稳压电路中串联电阻R既有 作用还有 作用。142. 如果负载电流为20A，则流过每一个二极管的电流是 A。143. 单相桥式整流电路中，任意一个二极管脱焊交出现 问题；任意一个二极管反接将出现 问题；若四个二极管均反接将 。144. 在单相桥式整流电路中，如果电源变压器副边电压有效值为220V，则负载直流电压是 V。145. 整流电路按交流电源的相数可分为 和 两种，按输出电压（或电流）的波形可分为 和 两种。146. 二极管整流电路的工作原理，是利用二极管具

19、有 的特性来实现的。147. 当加在差放电路两个输入端的信号大小 和方向 时称为差模输入。148. 当加在差放电路两个输入端的信号大小 和方向 时称为共模输入。149. 在差动放大器中，双端输出时其电压放大倍数是单管放大器的电压放大倍数 。150. 在差动放大器中，单端输出时其电压放大倍数是单管放大器的 。151. 晶闸管具有 阻断和 阻断的特性。152. 使晶闸管导通的条件是：在阳极上加 电压，在控制极上必须是 电压。153. 晶闸管和二极管都是整流元件，但有明显的区别，其结构上的区别是：二极管 个PN结 个电极；晶闸管具有 个PN结 个电极。154. 晶闸管和二级管都是整流元件，但有明显区

20、别。其性能上的区别是：二极管具有 导电特性；晶闸管具有 导电特性。155. 可控制整流电路中，控制角a角与导通角的关系为 。156. 单相桥式可控整流电路中，有桥式 、桥式 和桥式 三种常用形式。157. 晶闸管可控整流电路，是利用晶闸管有 和 和特性来实现的。158. 单相桥式可控整流电路中，若有一只晶闸管内部断路，此时电路输出的直流电压是原来的 。159. 电感性负载可控整流电路中，在负载两端反向并联二极管，其作用是：为感性负载产生的自感电动势所维持的电流提供 的通道，使晶闸管及时 ，避免负载两端出现 电压。=160. 开关型稳压电路中，调整管工作在 状态，因而 小、 高，符合电子设备小型

21、化的要求。161. 功率放大电路的任务是向负载输出足够 ，它是通过三级管的放大作用将 能量转换而来的。162. 对功率放大电路的要求是 大、 高、 小。163. 功率放大器中采用输出变压器，主要是利用它的 作用，以获得最佳的 ，从而使负载得到尽可能大的 。164. 推挽功放电路中，两边的晶体管要求它们的导电类型 、各个参数 。165. 对于互补对称功率放大器中两边的晶体管（均是单管），要求它们的导电类类型 、各个参数 。166. 如图72所示的是带推动级的OTL功放电路，在正常情况下，A点静态电压应等于 ；当输入电压Ui处于半周时，在各个晶体管中 导通、 截止，电容器C2 电。 167. 某理

22、想OTL功放电路正、负电源的电压Ec=9V，R1=4,则最大输出功率为 ；相应的电源供给功率为 。168. 某OCL功放电路正、负电源的电压Ee=Ee=12V，功放管的饱和压降Vces=2V，负载RL=8，则其最大输出功率Pcm= ；相应的效率= 。169. 产生正弦波振荡的条件有两个，一个是 平衡条件；一个是 平衡条件。170. 在正弦振荡器中，为了满足自激振荡相位条件，需要 电路；为了获得单一频率的正弦波，需要 电路；为了补充振荡过程中能量的消耗，维持等幅振荡，需要 电路；为了获得稳定的正弦波信号需要 电路。171. 判断电路是否满足振荡的相位条件常采用 方法。172. 为了获得稳定的等幅

23、振荡，振荡器中常引入 反馈。173. 石英晶体在并联型晶体振荡器中相当于 元件。174. 石英晶体在串联型晶体振荡器中相当于 元件。175. 根据产生振荡的波形不同，振荡器通常可分 和 两大类。176. 正弦波振荡器按反馈网络性质，可分为 和 两大类。177. 正弦波振荡器中，输出电压的频率是由 电路的谐振频率决定的。178. LC振荡器多用在 频振荡器中，其振荡频率fo= ；RC振荡器多用在 频振荡器中，其振荡频率fo= 。179. 选频电路含有石英晶体谐振器的正弦波振荡器称为 振荡器，其基本电路类型有 型和 型两种。180. 石英晶体振荡器的优点除了体积小、重量轻、可靠性高之外，最主要的则

24、是振荡频率非常 ，广泛用于计算机、彩电、电子钟表等要求 较高的设备中。181. PN结加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。182. PN结加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。183. 由于放大倍数对不同频率的放大量及相移不同，使输出信号的组合信号与输入信号的组合信号不同，从而造成的信号失真为 失真，它包括 失真和 失真。184. 有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是3mA、0.5mA、6mA在外加相同数值的正向电压时，电流分别是10mA、30mA、15mA，比较而言 管性能最好。185. 工作在放大区的某晶体管当IB从10mA增大到20mA时，IC从1mA增大到

25、2mA，它的约为 。186. 工作在放大状态的晶体管，流过发射结的主要是 电流，流过集电结的主要是 电流。187. 在图中集电极电阻Rc的作用是 188. a、放大电流 b、调节IBu c、防止输出信号交流对地短路把放大了的电流转换成电压 d、调节ICu189. 在图中，当用直流表测得VcE=Va时，有可能因为 ，当VcE=0.3V时有可能因为 ：190. a、Rb开路 b、R1短路 c、Rc开路 d、Rb过小191. 由于放大倍数对不同频率的放大量及相移不同，使输出信号的组合信号与输入信号的组合信号不同，从而造成的信号失真为 失真，它包括 失真和 失真。192. 有A、B、C三个二极管，测得

26、它们的反向电流分别是3mA、0.5mA、6mA在外加相同数值的正向电压时，电流分别是10mA、30mA、15mA，比较而言 管性能最好。193. 工作在放大区的某晶体管当IB从10mA增大到20mA时，IC从1mA增大到2mA，它的约为 。194. 工作在放大状态的晶体管，流过发射结的主要是 电流，流过集电结的主要是 电流。195. 为获得一电压控制电流源，应选 反馈电路196. 为获得一电流控制电压源，应选 反馈电路197. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在 ；高频区电压增益下降的原因是由于存在 （A、耦合电容的旁路电容，B、三极管的极间电容和分布

27、电容，C、三极管的非线性特性）198. 单极阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，电压增益的幅值比中频下降了 db（3，5，6），高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为 和 （40，-45，90，180）199. 在单级阻耦合放大电路的波特图中，高频区的斜率为 ，低频区的斜率为 ，附加相移的斜率为 （+20db/十倍频，-20db/十倍频，+45/十倍频，-45/十倍频）200. 多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益 （提高、减小、不变），通频带 （变宽、变窄、不变），高频区附加相移 （变大，变小，基本不变）。201. 多极放大器的放大倍数增多而 ，但其通频段将随级数增

28、多而 202. 多级放大器的输入电阻是 ，输出电阻是 。203. 电流源电路是一个 （A、双口网络，B、单口网络），它是利用三极管输出特性的 （A、放大区，B、饱和区，C、截止区），其特点是输出电流 ，直流等效电阻 ，交流等效电阻 （A、恒定，B、不太大，C、很大）204. 在双端输入的差分放大电路中，射极电阻对 信号无影响，对 信号具有抑制作用，故Re越大， 电压增益越小，共模抑制比较大；用电流源代替Re后，电路的 电压增益更小，理想时，共模抑制比趋于无穷大。（A、差模，B、共模）205. 由于场效应管的输入电阻很大，由它构成差分放大电路可减小 ；采用复合管差分放大电路可进一步减小 ；采用有

29、源负载差分放大电路可提高电路的 （A、输入偏置电流，B、电压增益）206. 场效应管利用外加电压产生的 （A电流，B电场）来控制漏极电流的大小，因此它是 （A电流，B电压）控制器件。207. 结型场效应管在放大电路中利用栅源极间所加的 （A正向，B反向）电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻 （A大于 B、小于）MOS管输入电阻。208. 场效应管漏极电流由 （A少子 B多子 C两种载流子）的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由 （A电子 B空穴 C电子和空穴）的漂移运动形成。MOS管中的漏极电流 （A穿过PN结 B穿过衬底 C不穿过PN结）P沟道增强型MOS管的开启电压为 （A正值 B负

30、值）。N沟道增强型MOS管的开启电压为 （A正值 B负值）二、 判断题1. 三极管饱和时，集电极电流不再随输入电流增大而增大。（ ）2. P型半导体的多子是空穴，所以P型半导体带正电。3. N型半导体多子是自由电子，所以N型半导体带负电。4. 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加。5. 在本征硅内掺入数量的五价元素磷，即能形成N型半导体。6. 放大电路选用三极管时，应选用和ICEO均大的三极管。7. 放大电路应选用较大，ICEO较小的三极管。8. 硅稳压二极管在电路正常工作时的正确接法应将稳压二极管加反向电压。9. 稳压管的稳定电流IZ若大于实际通过稳压管的电流，则稳压效果不好。1

31、0. 晶体三极管由两个PN结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来当做晶体三极管使用。11. 硅整流二极管2cz53，当环境温度从25上升到100时,它的正向伏安特性曲线将向左移。12. 硅稳压管稳压电路适用于负载电流较小，对电压稳定度要求不高的场合。13. ICBO的大小反映了集电结的好坏，ICBO越小越好。14. N型半导体参与导电的载流子只有自由电子。15. 三极管使用中，当ICICM时，三极管必然损坏。16. 发射结处于正向偏置的三极管，其一定是工作在放大状态。17. 在图11所示电路中断开或接上晶体二管D对电流表读数没有影响。 18. 用万用表识别二极管的极性时，若测的是晶体管的正

32、向电阻，那么，与标有“+”号的表棒相连的是二极管正极，别一端是负极。19. 阻容耦合放大电路能放大直流信号。20. 阻容耦合放大电路只能放大交流信号。21. 交流负载线比直流负载线陡。22. 当RL=时，直流和交流负载线重合。23. 共射电路减小基极偏置电阻Rb可降低工作点。24. 共射电路增大集电极电阻RC有利于电路退出饱和状态。25. 共射电路增大直流电源V cc的值有利于电路退出饱和状态。26. 共射电路增大基极电阻Rb有利于电路退出截止状态。27. 在不失真的前提下，静态工作点低的电路静态功耗小。28. 用微变等效电路法能求静态工作点。29. 微变等效电路法的前提是电路已经有了合适的静

33、态工作点。30. 放大电路的输出电阻RO越大，带负载能力越强。31. 温度升高共射电路的工作点易进入截止区。32. 温度升高，共射电路的工作点易进入饱和区。33. 用直流电压表能测量交流电压放大器的输出电压值。34. 交流电压放大器的输出电压只能用电子电压表测量。35. 用电子电压表能测量放大电路的静态电压值。36. 射级输出器的输出电压与输入电压的大小近似相等。37. 射级输出器没有电压放大作用。38. 射级输出器没有电流放大作用。39. 共基极电路既有电压放大也有电流放大。40. 射极输出器因输入电阻高，常用于多级放大器中作输入级。41. 射极输出器因输入电阻小，常用于多级放大器中作输出级

34、。42. 射级输出器的输出电阻比共射电路高。43. 射级输出器的输入电阻比共射电路高。44. 多级放大电路的通频带比单级电路要窄。45. 共射电路的电压放大倍数比射级输出器高。46. 两级放大电路，已知第一级AV1=100，第二级AV2=50，则总电压放大倍数AV=150。47. 两级放大电路，已知第一级Ri1=1千欧，第二级Ri2=1.5千欧，则输入电阻Ri=2.5千欧。48. 两级放大电路，已知第一级Ro1=6千欧，第二级Ro2=3千欧，则输出电阻等9千欧。49. 阻容耦合放大电路中，信号工作频率越高耦合电容应选得越大。50. 利用微变等效电路，可以方便地计算小信号输入时的静态工作点。51

35、. 实际放大电路常用分压式电流负反馈偏置电路，是因为它能提高输入阻抗。52. 在放大电路的微变等效电路中，三极管的rbe与放大电路输入电阻Ri含义相同。53. 晶体三极管的输入电阻比场效应管大。54. 场效应管是一种电流控制的放大器件，工作原理与三极管相同。55. 结型场效应管的VGS可正可负或为零。56. N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴。57. 场效应管的最大优点是具有较高的输入电阻。58. N型沟道增强型场效应管只有当VGSVT时才开始导电。59. 场效应管共源放大电路所采用的自给栅偏压电路，只适用于增强型场效应管。60. 栅极分压式偏置电路适用于各种类型的场效应管。

36、61. 在测量仪器中，常用场效应管的源极输出器作为输入级，是因为其放大倍数很高。62. 有的场效应管的漏极可以和源极交换作用，而不影响其工作性能。63. 交流放大器中没有零漂现象，直流放大器中存在零漂现象。64. 差动放大器的差动放大倍数愈大，共模抑制比愈小，其性能愈好。65. 在多级直耦放大器中，减小每一级的零点漂移都具有同等意义。66. 线性集成运放实际上是一种多级直流放大器，它和适当的外加辅助电路配合，可构成各种运算放大器。67. 差动式直流放大电路有四种接法，输入电阻取决于输入端的接法，而与输出端无关。68. 具有恒流源的单端输出差动放大电路共模抑制比很高，但增加了零点漂移。69. 直

37、接耦合放大器只能放大直流信号，不能放大交流信号。70. 差动放大电路单端输出方式比双端输出方式共模抑制特性好。71. 优质的差动放大电路对共模信号的放大能力极强。72. 差动电路有四种接法，放大倍数取决于输出端的接法，而与输入端的接法无关。73. 差动式直流放大器有四种接法，输出电阻只取决于输出端的接法而与输入端的接法无关。74. 在深度负反馈条件下，f 1/F，它与反馈系数有关，而与放大器开环时的放大倍数无关，因此可以省去放大通路。75. 在深度负反馈条件下，f 1/F，与管子的参数几乎无关，因此可以任意选用晶体管来组成放大电路，管子的参数也就没有什么意义了。76. 负反馈只能改善反馈环路内

38、的放大性能，对反馈环路之外无效。77. 若放大电路的负载固定，为使其放大倍数稳定，可以引入电压负反馈也可以引入电流负反馈。78. 负反馈能减小放大电路的噪声，因此无论噪声是输入信号中混合的还是反馈环路内部产生的，都能使输出信号的信噪比得到提高。79. 在负反馈放大电路中，放大器的放大倍数愈大，闭环放大倍数愈稳定。80. 放大电路中引入串联负反馈可以提高输入电阻，因此选用较小的偏置电阻Rb1和 Rb2仍可得到较大的输入电阻。81. 放大电路中引入电流负反馈可以提高输出电阻，因此选用较小的集电极电阻Rc ，仍可得到较大的输出电阻。82. 负反馈可以展宽通频带，因此可以用低频管代替高频管，只要加以足

39、够的负反馈就行了。83. 采用电压反馈时，负载电阻不宜太小。84. 采用电流反馈时，负载电阻不宜太大。85. 处于线性工作状态下的集成运放，反相输入端可按“虚地”处理。86. 由于理想运放具有“虚短”的概念，所以可以将运放两输入端短路。87. 由于理想运放具有“虚断”的概念，可将运放两输入端断路。88. 微分运算电路可把三角波变换成方波。89. 电压跟随器是同相比例运算电路的特殊情况，其放大倍数等于1，且具有输入电阻高，输出电阻小的特点。90. 根据“虚短”的概念可知，运放的净输入电压V-V+=0，所以输出电压也是0。91. 差动式电路在集成电路中作为输入级主要用于抑制零漂移。92. 集成运放

40、构成信号运算电路时，处于开环状态。93. 理想的集成运放，其输出电阻为。94. 长时间积分电路必须采用低失调，低漂移及高稳定电容来提高精确度。95. 反相比例运算电路由于存在较大的共模电压，故对运放的共模抑制比要求较为严格。96. 反相比例运算电路属于电压串联负反馈。97. 同相比例运算电路属于电压并联负反馈。98. 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为“虚地”点，流过反馈电阻的电流基本等于各输入电流之和。99. 反相求和电路与同相比例电路一样，各输入信号电流几乎等于零。100. 判断图92所示三个整流电路中各输出电压的极性（在图上标出“+”或“”） 101. 单相整流电路中，输出直流电压

41、大小与负载大小无关。102. 单结晶体管有三个电极，所以它是由两个PN结构成的半导体器件。103. 单结晶休管导通后，只要适当减小发射结电压并使VEVP，它就由导通突变为截止。104. 在串联型稳压电路中，作为调整管的三极管是始终工作在放大状态的，因而管耗大，效率低，且需要大块的散热器。105. 从单结晶体管的等效电路可见，若将一个二极管的负极接在两个串联电阻的中间就可以代替单结晶体管使用。106. 单结晶体管触发电路中采用一个和主电路电源同步的梯形直流电源供电以保证触发电路和主电路同步。107. 单相半波整流电路中，加电容滤波和不加电容滤波两种情况下整流管承受的反向电压无差别。108. 电容

42、滤波时，若电容太大，可能会损坏整流二极管。109. 晶闸管一经导通后，控制极就失去控制作用。110. 在晶闸管中，控制极电流是小的，阳极电流是大的，因此晶闸管也具有电流放大作用。111. 欲使已导通的晶闸管关断，只须去掉加在控制极上的触发电压即可。112. 硅稳压管并联稳压电路中可将R电阻短路。113. 在硅稳压管电路中，稳压管必须和负载电阻串联。114. 硅稳压管并联型稳压电路适合于负载电流较小，对电压稳定度要求不高的场合。115. 当负载和输出直流电压相同时，采用桥式整流电路对整流二极管反向耐压的要求比在采用全波整流电路时低。116. 在变压器副边电压有效值相同情况下，桥式整流电路输出直流

43、电压比半波整流电路输出直流电压高1.2倍。117. 电感滤波适合于负载电流较大的场合。118. 电容滤波适用于一些大功率整流设备和负载变化大的场合。119. 图9-7所示电路判断正误：（1）、图中的C,L均能起滤波作用。（2）、B图中的C能起滤波作用。（3）、A图中若将C，L位置对换则均能起滤波作用。 120. 只要满足相位平衡条件，且|AF|1,则可产生自激振荡。121. 负反馈电路不可能产生自激振荡。122. 只要具有正反馈，就能产生自激振荡。123. 对于正弦波振荡器，只要满足相位平衡条件，即使放出倍数很大，也不可能产生自激振荡。124. 振荡器和放大器一样，都是能量转换器，因此都需要外

44、接输入信号才能工作。125. 正弦波振荡器由放大电路和正反馈回路两部分组成，而且二者之一必须具有选频功能。126. PN结外加正向电阻时，表现为很大的电阻，而外加反抽电压时，表现为较小的电阻（ ）127. 三极管内部结构为两个PN结对接，所以可用二个二极管对接即可当作三极管使用（ ）128. 三极管对于饱和状态时，两个PN结处于正偏，当两年PN结均处于反偏，时三极管处于截止状态。129. 工作在数字电路的三极管是处于线性放大工作状态（ ）130. 三极管输入电阻rbe与静态电流IE的大小有关，因而rbe是直流电阻.131. 放大电路的静态是指：（1） 输入端开路时的状态；（2） 输入交流信号且

45、幅值为零时的状态。132. 放大电路的三种组态：（1） 都有电压放大作用；（2） 都有电流放大作用；（3） 都有功率放大作用；（4） 只有共发射极电路有功率放大作用。133. 负反馈方框中的基本放大电路只考虑了正向传输，而反馈网络只考虑了反向传输，因此计算结果有一定的误差。134. 负反馈方框图中的基本放大电路只考虑了正向转输，就是把反馈支路断开而成。135. 负反馈方框图中的基本放大电路只考虑了正向转输，是去掉反馈网络又考虑反馈网络的负载效应的新的开环放大电路。136. 在深度负反馈的条件下，.因此，不须选择稳定的电路参数。137. 当输入信号是一个失真的正弦波时，加入负反馈后能使失真得到改

46、善。138. 共集电极（或共漏极）放大电路，由于,故没有反馈。139. 无论放大电路出现何种噪声输出，加入负反馈后即可以减小其噪声输出电压。140. 在负反馈放大电路中，越大越容易产生自激振荡。141. 负反馈放大电路只须满足下述条件就将产生自激振荡。(1)反馈量与净输入量幅值相等；(2)反馈量与净输入量同极性；(3).142. 开环幅频特性过0dB时的斜率为-20dB/十倍频程，系统是稳定的。143. 在电压跟随器电路中，虽然F=1，也不会产生自激振荡。144. 采取下述措施可以消除高频自激振荡。（1） 在回路时间常数最大的环节加C或RC串联网络；（2） 改变，使其为0.01即可；（3） 加

47、RC去耦电路。145. 若将基本积分电路中，接在集成运放负反馈支路的电容换成二极管，便可得到基本的对数运算电路。146. 若将基本微分电路中，接在输入回路的电容换成二极管，便可得基本的指数运算电路。147. 若希望滤波电路的输出电阻很小（如0.05）,则应采用无源LC滤波电路。148. 有源滤波电路通常由集成运话和电阻、电容组成。149. 如果模拟乘法器的两个输入电压分别与被测电路的电压、电流成正比那么，乘法器的输出电压将与被测功率成正比。因此，乘法器可用来测量功率。150. 带通滤波器的Q值越大，它的通带宽就越窄（设它的中心频率f0不变）151. 低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波

48、器的通带下限频率152. 互补对称功放电路在失真较小时而效率又较高是由于（1） 采用甲类放大（2） 采用乙类放大（3） 采用甲乙类（接近乙类）放大153. 功放电路通常采用的分析方法是：（4） 由于功放电路电压增益高，频带宽，常采用型等效电路进行分析。（5） 由于输出信号幅值大，利用三极管特性曲线进行图解分析154. 由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态，因此，在选择三极管时必须特别注意以下参数。（1）（2）fT（3）PCM和ICM（4）V(BR)CEO155. 有一OTL电路，其电源电压VCC=16V，RL=，在理想情况下可得到最大输出功率为16W。156. 在反相比例运算电路中，当用C代R1时，即构成基本微分电路，而用C代Rf则构成基本积分器。157. 积分电路可将方波变换为三角波，而微分电路可将三角波变换为方波。158. 微分电路可将方波变换为尖顶波。159. 与同相加法电路比较，反相加法电路共模输入电压较高，且调节不大方便，因此应用较少