n型半导体とp型半导体.doc

1、n 型半導体 p 型半導体素(Si) (Ge)電気伝導度金属伝導度小、結晶半導体呼。金属半導体電気伝導度温度依存性全異、金属電気伝導度温度上昇伴減尐対、半導体電気伝導度温度上昇伴急増。 Si Ge 定性的同性質示、以下 Si 説明。図 原子核外電子配列Si 原子第 14 族元素最外殻 4 個電子。Si 原子電子共有生化学結合、共有結合構造結晶。偏析現象利用 (CZ)法浮遊帯溶解 (FZ)法、高純度格子欠陥尐 Si 単結晶。結晶、温度低電気運担体 ()電気通、一方、温度上昇電子熱励起結晶内動電子 (伝導電子 )電気通。半導体真性半導体 。真性半導体、共有結合切出電子孔 (空孔 )利用電子動。電場

2、空孔運動+e 正電荷粒子運動同等、仮想的粒子正孔 ( )呼、実体荷電粒子扱。真性半導体同数伝導電子正孔存在、電場互逆方向移動電気運。図、 不純物半導体模型族原子加場合高純度 Si 結晶第 15 族元素 (例、P)加、元素 Si 。P 最外殻 5 個電子、最近接 Si 共有結合形成電子個余。余電子 P 束縛、尐熱伝導電子電気伝導寄与。 半導体n 型半導体呼。n 型半導体伝導電子数多、伝導電子多数、正孔小数。図、 不純物半導体模型族原子加場合次、第 13 族元素 (例、素B) Si 結晶加場合考、B 最外殻個電子、Si 最近接 Si 共有結合形成電子個不足。、他共有結合寄与電子、熱B 近捕。結果正

3、孔、正孔電気伝導寄与。半導体 P 型半導体 呼。P型半導体正孔数多、正孔多数、伝導電子小数。型型前型、型、混。原子価電子5 個。原子他原子同様結合電子個余。余電子、価電子同様、自由電子 。一方、素混。素原子価電子個。素原子他原子同様結合電子1 個不足。電子不足場所 。（又正孔）不足場所周原子電子入安定状態、別場所不足。結晶全体、常、電子居場所余状態。、不足安定繰返、自由電子同様電子移動見。、 電子移動移動自由 。混結晶型 半導体。素混結晶型 半導体。N 略、 P 略。自由電子自由、電荷運、電流流役目、（ carrier ）呼。P 型半導体作混入3 価原子、（acceptor）呼。N 型半導体作

4、混入5 価原子、（ donor ）呼。型半導体（ P） Si 原子入（置換）、電子一過剰。電子、 価電子帯入軌道、伝導帯軌道入、自由動回。結晶中添加準位 呼状態Si禁止帯中。準位伝導帯下、熱容易励起、電子伝導帯行。自由電子、半導体電気通。自由電子与（ donor ）添加、自由電子数多半導体N 型半導体 。型半導体価（B） Si 原子入（置換）、最外殻電子個、一欠如状態。空軌道隣原子電子容易移動、空使電子移動。尐大、電子動、正電荷動。正電荷正孔（ hole ）、電子同様電気伝導寄与。、正孔移動電子空場所埋進、一般自由電子移動速度小。従、 正孔電気伝導使素子PNP型P FET 、一般、 NPN型N FET 動作速度遅。結晶中添加、準位価電子帯上、熱価電子帯電子容易準位励起、価電子帯電子空穴 正孔 。電子受容添加、 正孔多半導体型半導体。真性半導体、 p 型半導体、n 型半導体本資料個人学習用制作、内容信憑性保証。真性半導体原子（Si）最外殻電子個持、原子電子共有最外殻個電子持形結合。結型半導体型半導体合安定 原子価原子（B：素）注原子価原子（P：）注、 入、最外殻個電子持状 入 、最外殻電子余状態電気（