半导体物理试卷a答案.doc

1、一、名词解释（本大题共5题每题 4分，共 20分）1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。2. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。3. 空穴：当满带顶附近产生 P0 个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，可等效为 P0 个具有正电荷 q 和正有效质量 mp，速度为 v(k)的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空穴。4. 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴

2、，超过热平衡浓度的电子 n=n-n0 和空穴 p=p-p0 称为过剩载流子。5.费米能级、化学势答：费米能级与化学势： 费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化， 等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。 这时的化学势等于系统的费米能级。 费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、 能级零点选取有关。 费米能级标志了电子填充能级水平。 费米能级位置越高， 说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。二、选择题（本大题共5题每题 3分，共

3、 15分）1对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ）A. 平衡载流子浓度成正比B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比D. 非平衡载流子浓度成反比2有 3 个硅样品，其掺杂情况分别是：含铝 110-15 -3乙含硼和磷各 -17-3丙含镓 -17cm-3cm.1 10cm.1 10室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ）甲乙丙B. 甲丙乙C. 乙甲丙D. 丙甲乙3有效复合中心的能级必靠近 ( A )禁带中部B.导带C.价带D.费米能级4当一种 n 型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C）A.1/n0B.1/nC.1/p0D.

4、1/p5以下4 种半导体中最适合于制作高温器件的是（D ）A. SiB. GeC. GaAsD. GaN三、填空：（每空 2 分，共 20 分）1）半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge 和 Si 材料，其原子均通过共价键四面体相互结合， 属于金刚石结构；与 Ge 和 Si 晶格结构类似， 两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成闪锌矿和纤锌矿等两种晶格结构。2)如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k 不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为直接禁带半导体， 否则称为间接禁带半导体， 那么按这种原则分类， GaAs 属于 直接 禁带半导体。3)半导体载流子在输运过程中，会受到

5、各种散射机构的散射，主要散射机构有 晶格振动散射、 电离杂质散射 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。4)半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：带间电子 -空穴直接复合和通过禁带内的 复合中心 进行复合。5) 反向偏置 pn 结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为 pn 结击穿，主要的击穿机理有两种：雪崩 击穿和隧道 击穿。三、简答题（ 15 分）1）当电子和空穴的浓度是空间和时间的函数时，它们随时间的变化率将由载流子的扩散、漂移及其产生和复合所决定，由电子数、空穴数的守恒原则，试写出载流子随时间的净变化率（p ）和（n ），并加以说明。（6

6、分）tt解：载流子随时间的净变化率（p ）和（n ）为ttp ( p)D p2 pp ( p )Gpttp（每个式子 2 分，说明 2 分）n ( n)nD n2 nn (n )Gttn右边第一项为扩散项，第二项为漂移项，第三项为产生，第四项为复合。注意为电场，是几何空间坐标的函数，该式为连续性方程.2）请描述小注入条件正向偏置和反向偏置下的pn 结中载流子的运动情况， 写出其电流密度方程，请解释为什么 pn 结具有单向导电性？（9 分）解：在 p-n 结两端加正向偏压VF, VF 基本全落在势垒区上，由于正向偏压产生的电场与内建电场方向相反，势垒区的电场强度减弱，势垒高度由平衡时的qVD 下

7、降到 q(VD-VF)，耗尽区变窄，因而扩散电流大于漂移电流， 产生正向注入。过剩电子在 p 区边界的结累，使 xTp 处的电子浓度由热平衡值n0p 上升并向 p 区内部扩散，经过一个扩散长度Ln 后，又基本恢复到 n0p。在-xTp 处电子浓度为 n(-xTp)，同理，空穴向 n 区注入时，在 n 区一侧 xTn 处的空穴浓度上升到p(xTn)，经 Lp 后，恢复到 p0n。反向电压 VR 在势垒区产生的电场与内建电场方向一致，因而势垒区的电场增强，空间电荷数量增加，势垒区变宽，势垒高度由qVD 增高到q(VD +V R).势垒区电场增强增强， 破坏了原来载流子扩散运动和漂移运动的平衡， 漂

8、移运动大于扩散运动。这时，在区边界处的空穴被势垒区电场逐向 p 区，p 区边界的电子被逐向 n 区。当这些少数载流子被电场驱走后， 内部少子就来补充， 形成了反向偏压下的空穴扩散电流和电子扩散电流。（5 分）电流密度方程：jDj sexpqVkB T1（2 分）正向偏置时随偏置电压指数上升，反向偏压时，反向扩散电流与它正比于少子浓度，数值是很小的，因此可以认为是单向导电。V 无关，（2 分）四、计算题（共 3 小题，每题 10 分，共 30 分）1. 已知室温时锗的本征载流子浓度 ni 2.1 1013 cm 3 ，均匀掺杂百万分之一的硼原子后，又均匀掺入 1.442 1017cm-3 的砷，

9、计算掺杂锗室温时的多子浓度和少子浓度以及 EF 的位置。（10 分）解：硼的浓度： NA 4.42 1016 cm-3。有效施主杂质浓度为： ND=(14.42-4.42)1016 cm-3=1017 cm-3室温时下杂质全部电离， 由于有效杂质浓度远大于本征载流子浓度2.4 1013cm-3，锗半导体处于饱和电离区。多子浓度 n0ND 1017cm-3少子浓度 p0=ni 2/n0=(2.4 1013)2 /1017=5.76 109(cm-3)费米能级： EF=EC+k0Tln(N D /NC)=EC+0.026ln1017/(1.1 1019)=EC - 0.122(eV)2、掺有 1.

10、1 1015 cm-3 硼原子和 91014 cm-3 磷原子的 Si 样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。（10 分）解：对于 Si：ND =9 1014cm-3；NA1.1 1015cm-3；T300K 时 ni =2.4 1013cm-3.多子浓度 : n0N DN A2 1014 cm 3；p0ni2(2.41013 ) 2cm312cm3少子浓度 :n0210142.88 101118.01 .cmnq n pq pn0 q n2 1014 1.6 10 1939003. 由电阻率为 4.cm 的 p 型 Ge 和 0.4.cm的 n 型 Ge 半导体组成一个p-n 结，计算在室温（ 300K）时内建电势 V D 和势垒宽度 x D。已知在上述电阻率下， p 区的空穴迁移率p16502/. ,n区的电子迁移率n3000cm2 / V .S ，Ge的cmV S本征载流子浓度 ni2.5 1013 / cm3 ，真空介电常数08.85 10 12 F / m, s16.（10 分）解： n111153（ 2nq n nnq n0.4 1.6 10194.34 10 cmn3600分）p1pqpp14117009.191014 cm 3（2 分）ppqp1.6 10 19