单晶硅电池生产工艺ppt课件

1、1 化学清洗化学清洗原片分拣去损伤层制造绒面盐酸清洗2 分散刻蚀分散刻蚀分散制结刻蚀去边去PSG层3 制减反膜制减反膜PECVD设备4 印刷电极印刷电极5 烧结烧结 6 分选分选印刷正极印刷背场 印刷负极 把正负极和硅片烧在一同以便导电APCVD设备或手工喷涂 印刷视频 清洗工艺1 原片分拣 1根据电阻率把电池分类。硅片常见电阻率分类0.5-6，0.5-3 ，3-6 。 2把藏片，厚片，薄片，缺损片，厚度不均匀片取出2 去损伤层：Si+2NaOH30%+H2O Na2SiO3 +2H2 ， 原叫减薄原来硅片太厚，300m,目前18020 m 。思索：为什么硅片厚度会由300降低到180？3 制

2、绒 Si+2NaOH(0.8%-1.3%)+H2O Na2SiO3 +2H2 ，溶液中加有酒精或异丙醇，添加各向异性引子，加速构成金字塔。85左右，时间10-50分钟 4 盐酸洗V浓盐酸：V水=1:6 或盐酸37%双氧水30%混合洗II号清洗液 V浓盐酸： V双氧水：V水=1：1：6 85左右，清洗5-20分钟。盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、 Ag+、Cd2+、Hg2+等金属离子构成可溶于水的络合物。5 HF洗VHF:V水=1：10，室温, 5-10分钟。有些厂家不用。两张多晶硅绒面显微照片分散POCl3在高温下600分解生成五氯化磷PCl5和五氧化二磷P2O5，其反响

3、式如下假设氧气充足， PCl5能和氧继续反响生成Cl2和P2O5。为了防止产生PCl5，应通入适量氧气。等离子刻蚀硅分散后硅片外表有磷硅玻璃产生。SiO2混合P和P2O5。用HF清洗掉外表的磷硅玻璃。HF和水体积比1:10 偏磷酸 P2O5+H2O-2HPO3H3PO4-HPO3+H2OOHHCTiOHOHHOCTi5244245244OHTiOTiOH22442颜色颜色厚度埃厚度埃颜色颜色厚度埃厚度埃颜色颜色厚度埃厚度埃硅本性0-200很淡蓝色1000-1100蓝色2100-2300褐色200-400硅本性1100-1200蓝绿色2300-2500黄褐色400-500淡黄色1200-1300

4、浅绿色2500-2800红色550-730黄色1300-1500橙黄色2800-3000深蓝色730-770橙黄色1500-1800红色3000-3300蓝色770-990红色1800-1900淡蓝色930-1000深红色1900-2100氮化硅膜的颜色与厚度的对比表氮化硅膜的颜色与厚度的对比表红外加热灯管 卤钨灯纵向温度分布曲线 横向温度的稳定性延续和非延续放片温区1温区2温区3温区4温区5温区6温区7150200300400560640875一个烧结炉的温区温度2.3去磷硅玻璃去磷硅玻璃3制减反膜制减反膜4.1背电极印刷背电极印刷4.2背场印刷背场印刷4.3正面电极印刷正面电极印刷5烧结烧

5、结 清洗前检测(据厚度、 电阻率等分拣，分拣仪器)刻蚀结果检测(万用表)减反膜检测(椭偏仪)2.2刻蚀机刻蚀机3清洗结果检测(反射仪, 显微镜) 水质监测(电导率仪) 化学品称量(普通电子秤)1清洗机一套清洗机一套2.1分散炉分散炉2分散结果检测(方块电阻测试仪) 环境监测(尘埃粒子计数器)6分选分选炉温测试仪 欧姆接触测试仪浆料用量称量(高精度电子秤)4印刷印刷液氮和液氧储罐液氮和液氧储罐CF4储罐储罐硅烷氨气储罐硅烷氨气储罐 + 硅烷熄灭塔硅烷熄灭塔1 车间环境要求 分散要求最高，10000级，即每立方英尺中粒径0.5微米的粒子不超越10000个。美国联邦规范209E，国际规范为ISO14

6、644。建议把车间一切工序净化等级设置为10000级。2 地域大气环境 1尘埃粒子与净化本钱；空气循环送风。 2钠离子对半导体器件的危害 洛杉矶每立方大气中1013钠离子。 直径0.1微米的NaCl粒子，潮解后会扩展为直径50微米的圆面积，相当于64k存储器一半的面积。 钠等金属离子在硅资料中是有效的复合中心，它们会降低电池的电性能。钠离子的可挪动性会降低组件的寿命，是组件衰减过快。 做一个优秀的技术人员需求具备的东西：1 熟习所用到的一切的化学品的物理化学性质。HF，H2SO4，双氧水，盐酸，氢氧化钠，酒精，异丙醇，三氯氧磷，去离子水，硅烷，氨气，四氟化碳2 尽能够掌握每个工序的细节比如印刷3 熟习所用到的器具及资料的物理化学性质比如片架花篮