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1、会计学1MEMS制造技术制造技术第1页/共30页测 试 切 割 刻 蚀 光 刻薄膜制备 掩膜制造掺 杂 封 装 硅片第2页/共30页第3页/共30页第4页/共30页第5页/共30页第6页/共30页第7页/共30页第8页/共30页第9页/共30页第10页/共30页第11页/共30页第12页/共30页第13页/共30页第14页/共30页第15页/共30页n刻蚀圆形通道nCaution: HF is a weak acid, but it is deathful.第16页/共30页第17页/共30页第18页/共30页第19页/共30页第20页/共30页 各向异性腐蚀机理：在有些溶液中单晶硅的腐蚀速率

2、取决于晶体取向，即在某种晶体取向上硅的腐蚀速率非常快，而在其他方向上腐蚀速率又非常慢。 最常用的（100）/（111）腐蚀速率比最大的是KOH腐蚀液。用KOH腐蚀液腐蚀单晶硅晶体其在三个常用晶面方向上的腐蚀速率情况是（100）（110）（111）。（100）/（111）的最大腐蚀速率可达4001 （111）晶面是KOH刻蚀的阻挡面，即刻蚀遇到（111）就停止下来，形成各向异性刻蚀。第21页/共30页n湿法刻蚀的优缺点操作简单碱金属与IC不兼容相对安全和无毒不够灵活第22页/共30页第23页/共30页干法刻蚀具有分辨率高、各向异性腐蚀能力强、腐蚀的选择比大，以及能进行自动化操作等优点。因此，干法刻蚀在体微加工中将逐渐占有重要地位。干法刻蚀的过程可分为以下几个步骤 ：（1）腐蚀性气体粒子的产生；（2）粒子向衬底的传输（3）衬底表面的腐蚀；（4）腐蚀反映物的排除。干法腐蚀的种类有物理方法：离子腐蚀（溅射）Ion Etching(IE),离子束腐蚀Ion Beam Etching(IBE)；化学方法：等离子体腐蚀 Plasma Etching(PE)干法刻蚀简介第24页/共30页第25页/共30页平行板反应器的结构原理平行板反应器的结构原理 第26页/共30页离子束腐蚀装

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