士兰明芯中文简介

1、 热烈欢迎浙江省商务厅、杭州市外经局、开发区招商局领导和专家莅临指导！ 杭州士兰明芯科技有限公司杭州士兰明芯科技有限公司简简 介介20132013年年3 3月月报告提纲报告提纲q士兰明芯背景与现状士兰明芯背景与现状q产品简介产品简介q士兰明芯特点与优势士兰明芯特点与优势 q士兰明芯未来发展规划士兰明芯未来发展规划o 士兰明芯背景与现状士兰明芯背景与现状成立于成立于20042004年年9 9月，位于杭州经济技术开发区。注册资本金月，位于杭州经济技术开发区。注册资本金7 7亿元人民币，由上市公司杭州士兰微电子股份有限公司亿元人民币，由上市公司杭州士兰微电子股份有限公司（SH.600460)SH.6

2、00460)独资成立。独资成立。目前产品应用：户内外彩屏、景观照明、通用照明。目前产品应用：户内外彩屏、景观照明、通用照明。现有员工现有员工500余人，其中销售、管理、技术人员约余人，其中销售、管理、技术人员约120余人。余人。月产能达到月产能达到6万片万片2英寸外延片，其中英寸外延片，其中15000片用于白光照明。片用于白光照明。 外延炉(MOCVD)主要生产设备主要生产设备德国德国AIXTRON (爱思强爱思强)公司公司-15台台美国美国VEECO （维易科）公司（维易科）公司 -8台台 v白光照明用高亮蓝光白光照明用高亮蓝光LED芯片芯片高亮蓝光高亮蓝光LED芯片芯片GaN 基 LED产

3、品Blue LEDBlue LED Epitaxial WaferEpitaxial WaferGreen LED Green LED Epitaxial WaferEpitaxial WaferBlue LED ChipGreen LED ChipAlInGaP 红光 LED 产品High Brightness High Brightness Red LED ChipRed LED ChipHigh Power Blue LED Chip现有产品现有产品 p n 抗抗ESDESD水平高（水平高（2000V HBM2000V HBM） 电极粘附可靠电极粘附可靠 色彩分档细致（色彩分档细致（2.

4、5nm2.5nm） 亮度亮度10mcd10mcd分档分档 漏电流小，漏电流小，10V10V小于小于0.50.5AA 电流电流5mA-20mA5mA-20mA色差小于色差小于3nm3nm 芯片尺寸芯片尺寸200200m、230230m、250250m、280280mm、300300mm、320320mm任选任选n p n n 抗抗ESDESD水平高（水平高（2000V HBM2000V HBM） 电极粘附可靠电极粘附可靠 色彩分档细致（色彩分档细致（2.5nm2.5nm） 亮度亮度20mcd20mcd分档分档 漏电流小，漏电流小，10V10V小于小于0.50.5AA 电流电流5mA-20mA5m

5、A-20mA色差小于色差小于5nm5nm 芯片尺寸芯片尺寸200m、 230m、250m 、280280mm、300300mm、320320mm任选任选n n p 抗抗ESDESD水平高（水平高（2000V HBM2000V HBM） 电极粘附可靠电极粘附可靠 色彩分档细致（色彩分档细致（2nm2nm） 亮度亮度30mcd30mcd分档分档 漏电流小，漏电流小，10V10V小于小于0.50.5AA 电流电流5mA-20mA5mA-20mA色差小于色差小于1nm1nm 芯片尺寸芯片尺寸280280mm 用于白光照明的用于白光照明的LED芯片芯片小功率白光芯片小功率白光芯片8x12mil20mA-

6、6lm8x20mil20mA-7lm10 x16mi20mAl-7lm10 x23mil20mA-8lm中功率白光芯片中功率白光芯片14x28mil100mA-40lm20 x40mil150mA-50lm大功率白光芯片大功率白光芯片45x45mil350mA-130-140lm蓝色发光二极管芯片蓝色发光二极管芯片S SL L- -NWIT0812NWIT0812-V-V#WW#I I# 蓝色发光二极管芯片蓝色发光二极管芯片描述描述尺寸尺寸发光区面积178 x 278芯片面积200 x 300 (10)芯片厚度83 (5)N电极=80P电极=80电极间距15电极材料Al*说明：2000V是ES

7、D测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为800V全测合格 。项项目目符符号号条条件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值单单位位正向电压VFIF=20mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏电IRVR=10V-0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mAP11416毫瓦P21618P31820P42022 封装成封装成白光达白光达到到6lm以上以上描述描述尺寸尺寸发光区面积234 x 387芯片面积254 x 407 (10)芯片厚度100

8、(5)N电极=75P电极=75电极间距15电极材料Al*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格 。S SL L- -N NWIT1016WIT1016-V-V#WW#I I# 项项目目符符号号条条件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值单单位位正向电压VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=10V-0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mA-毫瓦P324-26P426-28P528-30 封装成封装成白光

9、达白光达到到7lm以上以上描述描述尺寸尺寸发光区面积180 x 485芯片面积203 x 508 (10)芯片厚度100 (5)N电极=75P电极=75电极间距15电极材料Al*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格 。S SL L- -N NWIT0820WIT0820-V-V#WW#I I# 项项目目符符号号条条件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值单单位位正向电压VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=10V-0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450-W 6457.5

10、-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mA-毫瓦P324-26P426-28P528-30 封装成封装成白光达白光达到到7lm以上以上描述描述尺寸尺寸发光区面积228 x 555芯片面积250 x 577 (10)芯片厚度100 (5)N电极=75P电极=75电极间距15电极材料Al*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格 。S SL L- -N NWIT1023WIT1023-V-V#WW#I I# 项项目目符符号号条条件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值单单位位正向电压VFIF=20mAV12.83.4伏特反

11、向漏电IRVR=10V-0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=20mA-毫瓦P426-28P528-30P630-32 封装成封装成白光达白光达到到8lm以上以上描述描述尺寸尺寸发光区面积330 x 690芯片面积357 x 712 (10)芯片厚度120 (10)N电极=90P电极=90电极间距20电极材料Al*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为1000V全测合格 。S SL L- -MMWIT1428WIT1428-V-V#WW#I

12、I# 项项目目符符号号条条件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值单单位位正向电压VFIF=100mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=5V-0.5微安主波长DIF=100mAW1445-447.5纳米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=100mA - 毫瓦P5100-110P6110-120P7120-130P8130140 封装成封装成白光达白光达到到40lm以上以上描述描述尺寸尺寸发光区面积493 x 1001芯片面积508 x 1016 (10)芯片厚度120 (5)N电极=100P电极=100电极间距60 电极材料Al*说明：2

13、000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为1000V全测合格 。S SL L- -MMWIT2040WIT2040-V-V#WW#I I# 项项目目符符号号条条件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值单单位位正向电压VFIF=150mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=5V-0.5微安主波长DIF=150mAW1445-447.5纳米W2447.5-450-W 6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=150mA - 毫瓦P5120-130P6130-140P7140-150P8150160 封装成封装成白光达白光达到到50lm以上以上描

14、述描述尺寸尺寸发光区面积1102 x 1102芯片面积1133 x 1133 (10)芯片厚度150 (5)N电极=110P电极=110电极间距120电极材料Al*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为500V全测合格 。S SL L- -MMWIT4545WIT4545-V-V#WW#I I# 项项目目符符号号条条件件最小最小值值典型典型值值最大最大值值单单位位正向电压VFIF=350mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏电IRVR=5V-2微安主波长DIF=350mAW1445-447.5纳米W2447.5-450-W

15、6457.5-460W 7460-462.5光功率 pIF=350mA毫瓦P2260280P3280300P4300320封装成封装成白光达白光达到到130lm以上以上垂直结构垂直结构LEDLED功率芯片功率芯片可以实现可以实现10W/mm2输入，输入电流最大可以达到输入，输入电流最大可以达到3A，光效达到，光效达到120lm/W。研发成果获得研发成果获得2012年度年度“杭州市科技进步一等奖杭州市科技进步一等奖”及及“浙江省科技进步三浙江省科技进步三等奖等奖” 。研发产品研发产品知识产权情况知识产权情况授权：授权：发明专利发明专利8项项实用新型专利实用新型专利4项项外观专利外观专利2项项申请

16、：申请：中国发明专利中国发明专利69项项国际发明专利国际发明专利2项项主要客户主要客户深圳九州深圳九州 JiuZhou Optoelectronics Co., Ltd深圳雷曼深圳雷曼 Ledman Optoelectronics Co., Ltd深圳艾比森深圳艾比森 ShenZhen Absen Industry Co., Ltd佛山国星佛山国星 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd上海三思上海三思 Shanghai Sansi technology Co., LTD深圳国冶星深圳国冶星 Shenzhen Guoyexing Optoelect

17、ronics Co., Ltd长春希达长春希达 Changchun Cedar Electronics Technology Co., LTD 深圳洲明深圳洲明 Shenzhen unilumin Group Co., Ltd深圳瑞丰深圳瑞丰 Shenzhen Refond Optoelectronics Co., Ltd佛山蓝箭佛山蓝箭 Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd深圳锐拓深圳锐拓 Shenzhen Retop LED Display Co., LTD 深圳日上深圳日上 Shenzhen Rishang Optoelectronics Co., Ltdo士兰明芯特点与优势士兰明芯特点与优势l丰富的集成电路产业经验，严格监控生产流程，保证产品质量丰富的集成电路产业经验，严格监控生产流程，保证产品质量 l良好的基础