可控硅参数说明精

1、符号说明:VRRM-反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在 可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压100V。反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。V RSM-反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在 可控硅上的交流电压。VDRM断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定 值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压国标规定重复频率为50H,每次持续时间 不超高10mso规定断态重复峰值电压 V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大 瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压

2、UbOoIT(AV/IF(AV-通态/正向平均电流；在环境温度+40C和额定结温下，导通角不小 于170阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。I T(RMS, I F(RMS 1态/正向方均根电流；是指在额定结温，允许流过器件的 最大有效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不超过 对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM-通态/正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额 定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t-表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时间，表示可控硅 的发热特性。P GM-

3、门极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；P G(AV -门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；di/dt-通态电流临界上升率；指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电流上 升率(如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO-绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。Tj-工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的 PN结温度。Tjm-额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高 PN结温度。Tstg-储存温度;能保证可控硅正常工作的储存温度。Md-安装力矩/电极连接力矩；在安装过程中超过此规定，将造成可控硅的损坏。IDRM-断态重复峰值电流；为晶闸管在阻断状态下，承

4、受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压 VRRM时，流过元件的正反向峰值漏电流，该参数在器 件允许工作的最高结温Tjm下测出。IRRM-反向重复峰值漏电流；为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出V TM / V FM 通态/正向峰值电压；指器件通过规定正向峰值电流IFM或通态峰值电流ITM时的峰值电压也称峰值压降，该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器 件的通态电流额定能力。VGT-门极触发电压;在额定结温、在阳极和阴极加上正向电压（一般为6V时, 使元件从阻断状态转为导通状态，

5、控制极所需要的最大的直流电压。也就是说当触发电路输出的的直流触发电压不小于Vg就能保证该型号的元件均能可靠的触发而导通。VG D门极不触发电压；在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时，保证元件处于阻断状态所能加在门极上的最大直流电压。I GD-不触发电流；在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时，保证元件处于阻断状态所能允许的，加在门极上的最大触发电流。IGT-门极触发电流；在额定结温、在阳极和阴极加上一定正向电压 （一般为6V 时，保证元件从阻断状态到导通状态，加在门极上的最大触发电流。dv/dt-断态电压临界上升率；指在额定结温的门极断路的情况下，不导至可控硅 从断态到通态转换的外加电压最大上升率IH-维持电流;在门极断路时。规定环境温度和元件导通条件下 ，要保持元件能 处于