电子技术基础试题

1、。电子技术根底试题库第四版第一章：半导体二极管一、填空题1、 根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 、和三类。导体、绝缘体、半导体2、PN节具有特性，即加正向压时 ，加反向压时 。单向导电特性、导通、截止3、 硅二极管导通时的正向管压降约 V,锗二极管导通时的正向管压降约 V。、4、 使用二极管时，应考虑的主要参数是 、。最大整流电流、最高反向工作电压5、 在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常 于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较小、好6根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 、和 类。导体,绝缘体，半导体7、PN结具有 性能，即加正向电压时 PN结，加反向电压时

2、的PN结。单向导电性，导通，截止二，判断题1、半导体随温度的升高，电阻会增大。N2、二极管是线性元件。N3、不管是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0. 3V左右。N4、二极管具有单向导电性。Y5、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。N6、二极管加正向压时一定导通N7、 晶体二极管是线性元件。N&一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。丫三、选择题1、PN结的最大特点是具有CA、导电性 E、绝缘性 C、单相导电性2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管CA、立即导通E、到0 . 3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通3、当环境温度升

3、高时，二极管的反向电流将AA、增大 E、减少 C、不变 D、先变大后变小4、 半导体中传导电流的载流子是o CA、电子B、空穴C、电子和空穴5、P型半导体是BA、纯洁半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的四、综合题1如图，设晶体二极管的正向压降为 ，当UA分别为+5V、-5V、0V时，求UB。5分 1-22、电路如下图，判断二极管是导通还是截止，假设导通，那么求流过二极管的电流?10K Q10V20V第二章；半导体三极管及放大电路一，填空题1、 某晶体三极管的 UCE不变，基集电流Ib=30uA时，lc=1.2mA,那么发射极电流I e=mA如果Ib增大到50uA时，I c增加到2 mA，那么发

4、射极电流Ie=mA三极管的电流放大系数B=。、402、 三极管基集电流l B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有 作用。 电流放大3当三极管的发射结 ，集电结是时，工作在放大区；发射结 集电结，工作在饱和区；发射结 或集电结时，工作在截止区。加正向压正偏、加反向压反偏、加正向压正偏、加正向压正偏、加反向压反偏或零偏、加反向压反偏、4三极管的穿透电流I CEQ随温度的升高而 ,硅三极管的穿透电流比锗三极管的 。增大、小5 放大电路按三极管连接方式可分为 ，禾口;共基极、共射极、共集电极、6放大电路设置静态工作点的目的是 。防止失真7利用 通路可估算放大器的静态工作点；

5、利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻，输出电阻和电压放大倍数。直流通路、交流通路8对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 些，以增大带负载的能力。大、小9放大电路产生非线性失真的根本原因是 静态工作点选择不当10影响放大电路静态工作点稳定的因素有 波动, 因老化而发生变化和 变化等，其中的影响最大。电源电压、晶体管、环境温度、温度11多级放大电路常用的级间耦合方式有 ，和。阻容耦合、变压器耦合、直接耦合12通常用法判别正反应还是负反应。瞬时极性法13在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入 负反应。为了提高电路的输入电阻，应该引入 负反应。为了稳定输

6、出电压，应该引入 负反应。直流、串联、电压14直流负反应能稳定放大器的静态工作点、非线性失真15功率放大器的主要任务是 _ _放大器和放大器三类。 输出足够大的功率、甲类、乙类、甲乙类放大器按放大信号的频率可分为 直流放大器、高频放大器、低频放大器 二，判断题三极管有两个PN节，因此它具有单向导电性。 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。 放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。 在共射集放大电路中，输出电压和输入电压同相。 放大器具有能量放大作用()N变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器。 造成放大器工作点不稳定的主要因数是电源电压

7、波动。 放大器静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。1、2、6、7、8、9、，交流负反应能改善放大器的。功率放大器按功放管工作点的位置不同可分为放大器,等。10、 负反应可以使放大倍数提高。()N11、 负反应可提高放大器放大倍数的稳定性。(12、 负反应可以消除放大器非线性失真。() 效率高。(CQ= 0,所以静态功率几乎为零,13、负反应对放大器的输入电阻和输出电阻都有影响。14、乙类功率放大器静态时，1三、选择题1、 三极管的()作用是三极管最根本和最重要的特性。AA、电流放大 E、电压放大C、功率放大 D、电压放大和电流放大2、 NPN型三极管处于放大状态时，各极电压关系是()A

8、A、U cUbUe E、UcUeUb C、U cVUbVUe D、U cVUeVUb3、 放大器的静态是指()AA、输入信号为零E、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零4、 放大器输出信号的能量来源是()AA、电源 E、晶体三极管C、输入信号D、均有作用5、 放大器的电压放大倍数在时增大BA、负载增加E、负载减小 C、负载不变 D、电压升高6、 当放大电路设置适宜的静态工作点时，如参加交流信号，工作点将BA、沿直流负载线移动E、沿交流负载线移动C、不移动 D、沿坐标上下移动7、 电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是。AA、增大电阻FB B、减小电

9、阻Rb C、电阻Rb不变&影响放大器工作点稳定的主要因素是。CA、B值B、穿透电流C、温度D、频率9、 当温度升高时，会造成放大器的。AA、Q点上移，容易引起饱和失真 B、Q点下移，容易引起饱和失真C、Q点上移，容易引起截止失真 D、Q点下移， 容易引起截止失真10、 某多级放大器电路由三级根本放大器组成，以知每级电压放大倍数为Au ，那么总的电压放大倍数为 .B3A、3Aj B、Au C Au11、 欲使放大器净输入信号消弱，应采取的反应类型是。DA、串连反应 B、并联反应 C、正反应 D、负反应12、 放大电路采用负反应后，以下说法不正确的选项是AA、放大能力提高B、放大能力降低 C、通频

10、带变宽D、非线性失真小13、 射极输出器是典型的放大器。AA、电压串联负反应 B、电流串联负反应 C、电压并联负反应 D、电流并联负反应14、给乙类功率放大器电路设置适当的静态工作点，其目的是。CA、消除饱和失真 B、减小放大倍数 C、消除交越失真四、综合题1、测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图，在图中标出各管的管脚极性，并说明三极管的管型。2、测得某放大电路中三极管各管脚间电压如图，问 型还是PNP型？1、2和3各脚分别是什么电极？该管是硅管还是锗管？是NPN3、如图示电路，JCc=15V , FB=300K,艮=3K, R=6K,晶体管 B=50,求1 、静态工作点。2、放大电路的输

11、入、输出电阻。3 、空载和有载时的电压放大倍数。FC=3K, FE=2K, R_=6K, UCc=16V，晶体管 B=50,求1、静态工作点。3 、空载和有载时的电压放大倍数。Rl第三章；集成运算放大器及其应用u.和一填空题1产生零点漂移的原因有，温度变化、电源电压波动、元件参数变化 2衡量差动放大电路性能优劣的主要指标是 共模拟制比3集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级、偏置电路4利用和概念分析工作在线性区的集成运放电路，可大大简化分析和计算过程。虚短、虚断5理想集成运放电路工作在非线性区，当upu n时，u。=，当u pVu n时，u。=,;而两个输入、和几局部组成。端的电流i p=

12、i n=+ Um、-Uom、06单门限电压比拟器中的集成运放工作在开环、非线性应用、7双门限电压比拟器是在单门限电压比拟器中引入了 电路抗干扰的能力。正反应、门限电压二，判断题1、直接耦合放大器级数越多，零点漂移越小。2、共模拟制比越小，差动放大电路的性能越好。状态，属于应用。,在两种输出状态下有各自的,从而提咼了3、集成运算放大器是具有高放大倍数的直接耦合放大电路。4、集成运算放大器的偏置电流越大越好。N5、“虚短概念在集成运算放大器的非线性应用中依然成立。6、电压比拟器是集成运放的线性应用。7、比拟器能实现波形的变换。Y8、利用电压比拟器可将矩形波变换成正弦波。三、选择题直流放大器级间常采

13、用耦合方式。阻容B、变压器C、直接D、光电 选用差动放大电路的原因是差动放大电路可以 克服零点漂移 B、提高输入电阻 C、提高放大倍数 集成运放在运算电路中，工作在状态。C开环 B、闭环 C、深度负反应 在单门限比拟放大器中，集成运放工作在 放大B、开环放大 C、闭环放大1、A、2、A、3、A、4、A、四、综合题)。AD、减小输出电阻状态。B6、如图、假设 Uii =-2v , Ui2=3v, Ui3=4v, Ui4 =-5v，求 u。的值。WkCl33tnLL7、如图示，求集成运放电路的输出电压u。需k匕-5QkQUo o-第四章；正弦波振荡电路一，填空题1 正弦波振动器由 、 和 组成，其

14、中 是为了满足震荡的相位平衡条件， 是为了满足震荡的幅度平衡条件， 是为了实现单一频率的正弦波振动。放大电路、反应电路、选频电路、反应电路、放大电路、选频电路 二，判断题1、振荡器一般分为正反应振荡器和负反应振荡器。 N2，只要具有正反应，就能产生自激振荡N3，振荡器为了产生一定频率的正弦波，必须要有选频网络Y三、选择题1、振荡电路维持等幅震荡的条件是。DA、AF1 B、AF=1 C、AF 12、 电路形成自激振荡的主要原因是在电路中。 AA、引入正反应B、引入负反应 C、电感线圈的作用D、电容的作用3、LC振荡器的振荡频率取决于DA、反应元件的参数 B、正反应的强度 C、三极管的放大系数 D

15、、选频网络的参数4，电容三点式正弦波振荡器属于振荡器 BA . RC B . LCC . RLD石英晶体第五章，直流稳压电路一、填空题1、将变成的过程叫整流交流电，直流电2、 直流电源一般由和组成。电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路3、 在单相半波整流电路中、变压器次级电压有效值为200V, 那么负载电压将是 V904、 在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,那么流过每只二极管的电流是A105、整流二极管的冷却方式有和三种。自冷、风冷、水冷6、滤波电路中，滤波电容和负载，滤波电感和负载。串联、并联7、电容滤波适应与场合，电感滤波适应与场合。小电流、大电流8、并联稳压电路是利用稳压管

16、的变化，引起限流电阻的变化，到达稳压的目的。电流、电压9、带放大环节的串联稳压电路包括 和 几局部。调整管、比拟放大电路、基准电源、取样电路，判断题1、 单相桥式整流电路的整流二极管承受的最大反向电压为变压器次级电压的2、 单相桥式整流电路在输入交流电的每个半周期内都有两只二极管导通。3、 三相整流电路中，承受正向电压的二极管一定导通。N4、 三相桥式整流电路中，每个整流原件中流过的电流值是负载电流值的5、 整流电路接入电容滤波后，输出直流电压下降N6、 稳压二极管按材料分为硅管和锗管。 N7、 串联型稳压电路中调整管的作业相当于一只可变电阻 Y三、选择题1、整流电路的输出电压应属于 CA 平

17、直直流电压 B 交流电压 C 脉动直流电压 D 稳恒直流电压2、单相半波整流电路输出电压平均值为变压器次级电压有效值的2 倍。 N Y1/6 。 N倍 BA、0.9 B 、 0.45 C 、0.707 D 、 13、单相桥式整流电路中有一只二极管断路、那么该电路 B/CA、不能工作B、仍能工作C、输出电压降低 D、输出电压升高4、以下电路中，输出电压脉动最小的是 DA、单相半波整流 B单相桥式整流 C三相半波整流D三相桥式整流5、 每个整流元件中流过负载电流平均值的1/3 的电路是 AA三相桥式整流B单相半波整流 C单相桥式整流D都不是6、 在滤波电路中，与负载并联的元件是AA、电容B、电感C

18、、电阻D开关7、 单相桥式整流电路中接入电容滤波后，二极管的导通时间BA、变长B、变短C、不变D变化不一定8、稳压管是利用其伏安特性的特性进行工作的 BA、反向B、反向击穿 C、正向起始 D、正向导通9 在硅稳压管稳压电路中、稳压管与负载BA、串联B、并联C、有时串联、有时并联D混联10 串联稳压电路的调整管工作在CA截至区B、饱和区C、放大区D、任意区四、综合题1、单相半波整流电路中，变压器一次侧电压 U=220V,变比n=10，负载电阻R=10K试计算 整流输出电压。 二极管通过的电流和承受的最大反向电压。22、在三相半波整流电路中，负载电阻为 10欧，假设要求负载电流为 100安，试求

19、！变压器次级电压有效值 2 二极管承受的最大反向峰值电压3流过二极管的平均电流第六章；晶闸管及应用电路一、填空题1、晶闸管的三个电极分别为， ， 阳极、阴极、门极2、一般容量在4KW以下的可控整流装置多采用可控整流，对大功率的负载采用可控整流单相、三相3、在电阻性负载三相半控桥式可控整流电路中，180、 1204 过电流保护通常采用快速熔断器5、过电压保护主要有 。 阻容吸收回路、压敏电阻1 移相范围是来进行。、保护。6、单结晶体管的发射极和第一基极电阻随发射极电流增大而 减小，判断题多 晶闸管和二极管一样具有反向阻断能力，但没有正向阻断能力 晶闸管触发导通后门极仍具有控制作用 N单相半波可控

20、整流电路中、控制角越大，直流输出压越大。 三相半波可控整流的移相范围和导通角都是 电阻性负载三相半波可控整流中，控制角为 晶闸管承受过电压和过电流的能力很强、选择题1、2、3、4、5、6、，晶闸管最大导通角是N150 度。60 度时，输出压刚好维持连续。 N 1、单向晶闸管的管芯由层杂质半导体组成A、 1 B 、 2 C 、 3 D 、 42 普通晶闸管甴中间 P 层引出的电极是 BA、阳极 B、门极 C、阴极 D无法确定3、 晶闸管具有什么 性 BA、单向导电B、可控的单向导电 C、电流放大D、负阻效应4、 晶闸管的导通角越大，那么控制角 AA 越小 B 、越大 C 、不改变 D 、不一定5

21、在可控整流电路中，输出电压随控制角的变大而BA变大B变小 C不变D没规律6、单结晶体管的发射极电压高于电压就导通AA、峰点 B、额定C谷点D平安7、单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管的工作的CA截止区E放大区C负阻区D任意区四、综合题1、单相半波可控整流电路中，变压器次级电压有效值为2 2 0 V负载电阻5欧，控制角为 和负载中的平均电流。60，求输出电压平均值2、在电阻性负载三相半控桥式整流电路中，变压器次级相电压为2 2 0 V控制角45度，负载 出直流电压平均值，负载中电流平均值，及流过晶闸管的电流。0欧，试计算输第七章；门电路及组合逻辑电路一、填空题1、逻辑电路的两种逻辑体制中，正逻辑的高电平用用表示，低电平用1、0、0、12、逻辑函数的表示方法有逻辑函数式、真值表、逻辑电路图3、 常用的逻辑电路是和 译码器、编码器二，判断题多1、与门的逻辑功能是