第三章 集成电路中的有源无源元件_第1页
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1、一个典型的二极管截面图和符号图一个典型的二极管截面图和符号图集成电路中的二极管集成电路中的二极管(1)DtVVDSIIePNNNPPNPNNNPNPNP多发射极多发射极NPN晶体管晶体管NNNNPPEB(E)C(B)S(C)VBEVBCBEC0饱和区正向工作区反向工作区截止区123/10011001100110(1)11(1)(1)(1)(1)01BEBESCEBCSRVVtESFRSRVVtCSFSFSRVVtSSSFIIIIIIIIeIeIeFRSFSRESICSISSI： NPN管正向运行时共基极短路电流增益管正向运行时共基极短路电流增益： NPN管反向运行时共基极短路电流增益管反向运行

2、时共基极短路电流增益： PNP管正向运行时共基极短路电流增益管正向运行时共基极短路电流增益： PNP管反向运行时共基极短路电流增益管反向运行时共基极短路电流增益: E、C、S极反向饱和电流极反向饱和电流与与 的关系：的关系：1F对于给定的对于给定的BJT， 为一常数为一常数1111REFBFRRCFIIIII/(1)BEtVVFESIIe/(1)BCtVVRCSIIe/(1)(1)BEtBCtVVVVEESR CSIIeIe可得：可得：ICVCE饱和区放大区共射组态共射组态BJT管的输出特性曲线管的输出特性曲线/(1)V VtDSIIeDSI为反向饱和电流为反向饱和电流（1）SBD：教材教材P

3、37SBD电路符号电路符号BCE肖特基箝位晶体管（肖特基箝位晶体管（SCT）结构图）结构图ICVCE饱和区放大区共射组态共射组态BJT管的输出特性曲线管的输出特性曲线GateDrainSourcen+n+LeffLDrawnLDp-substrateSGDPolyOxideNMOSEnhancementPMOSEnhancementNMOSDepletionEnhancement:增强型增强型Depletion:耗尽型耗尽型教材中的教材中的NMOS耗尽型：耗尽型：IdsVds0线性区饱和区击穿区漏源极压降漏源极压降漏源极电流漏源极电流jLRXWLWXjXj:扩散深度，扩散深度，L：长度，：长度，W：宽度：宽度：电阻率电阻率1jRRX口LW时：时：R与方块大小无关，所以有：与方块大小无关，所以有：LRRW口教材教材P50100 200/SBR 口5050kR口p+p+n+n-pn+n+p-SiO2BECBuried Layer Metalpn-Isolationpn-Isolati

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