电子能谱学低能离子散射谱PPT学习教案

1、会计学1电子能谱学低能离子散射谱电子能谱学低能离子散射谱2第1页/共52页3第2页/共52页4第3页/共52页5第4页/共52页6第5页/共52页7第6页/共52页8第7页/共52页9第8页/共52页10第9页/共52页11第10页/共52页12第11页/共52页13第12页/共52页14第13页/共52页15第14页/共52页16根据能量守恒和动量守恒导出的 对于常用的90度散射来说，上式简化为：能量标度就变成了表面上靶原子的质量标度。测出2,进而确定样品的表面组成 第15页/共52页17第16页/共52页18第17页/共52页19第18页/共52页20第19页/共52页21图4是He从多晶

2、体金的散射谱。图中给出了四种不同的入射能量。第20页/共52页22第21页/共52页23每个原子后面都有一个入射离子无法进入的区域(遮蔽锥)。在遮蔽锥的边沿会对入射束起聚焦增强作用,称遮蔽锥的聚焦效应。入射角(入射束与样品表面法线夹角)越大,遮蔽锥越大。利用遮蔽效应,可以研究表面原子结构。 第22页/共52页24第23页/共52页25如图816所示，在Zn面尽管锌原子层下面就是硫原子层，但只要适当地选择入射角度，ISS谱上只见到锌的谱线而不见硫谱线。 第24页/共52页26第25页/共52页271KeV He+离子在箔上的离子散射谱 )接地)样品不接地)样品不接地同时使用电子中和枪 1.图1中

3、在19处另有一较强和较宽的离子峰,该峰的能量与质量比基本无关,它是+离子轰击时表面发射的二次离子峰 2.1是+离子在样品2表面的谱.887处的散射离子峰不见了,表面发射的二次离子峰则移到了大约555处.我们推测这种峰位移是样品荷电效应所致3.当继续增大灯丝电流和增加中和低能电子时,溅射二次离子峰和散射的+离子峰不再移动,见图1 第26页/共52页28第27页/共52页291. 硫镍峰值比与硫的覆盖率的关系 2. 覆盖率与ISS结果有线性关系第28页/共52页30第29页/共52页31第30页/共52页32第31页/共52页33第32页/共52页34第33页/共52页35第34页/共52页36第

4、35页/共52页37第36页/共52页38第37页/共52页39第38页/共52页40第39页/共52页41第40页/共52页42第41页/共52页43第42页/共52页44第43页/共52页45第44页/共52页46Ni3Ti(0001)表面暴露CO前后的ISS谱 AES:Ni/Ti3.1说明在AES采样深度范围内基本没有Ni或Ti的偏析 使用4He+作入射源,入射离子能量为500eV,散射角为135 ISS: No TiSputteredCO吸附第45页/共52页47第46页/共52页481.数据表明,新鲜催化剂主要由、24、2和少量2组成。2.催化剂在300、1 3310-5的2气氛中将催化剂还原4预处理后,再次对催化剂进行表征。3.数据表明,经还原处理的催化剂近表面区仍然富集和以及在预处理过的催化剂上存在2,反应时,2转换为。反应过程引起存在于还原催化剂上的膜的团聚作用。该催化剂在合成乙醇中是活性催化相 ()插入到超高真空系统中;()在300、2气氛中预处理4;()用