PIE工艺整合工程师个问答题PPT学习教案

1、会计学1PIE工艺整合工程师个问答题工艺整合工程师个问答题21.何谓何谓PIE? PIE的主要工作是什的主要工作是什么么?第1页/共106页32. 200mm，300mm Wafer 代表何意义代表何意义?第2页/共106页43.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片的硅片(wafer)工艺？未来北京的工艺？未来北京的Fab4(四厂四厂) 采用多少采用多少mm的的wafer工艺？工艺？第3页/共106页54.我们为何需要我们为何需要300mm?200mm300mm8 81212200mm300mm8 81212第4页/共106页688 die200-mm

2、 wafer232 die300-mm waferIncrease in Number of Chips on Larger Wafer Diameter目的：降低成本目的：降低成本第5页/共106页75.所谓的所谓的0.13 um 的工艺能力的工艺能力(technology)代表的代表的是什么意义？是什么意义？第6页/共106页8 6.0.35um0.25um0.18um0.15um0.13um 的的technology改变又代表的是什么意义？改变又代表的是什么意义？第7页/共106页97.一般的硅片一般的硅片(wafer)基材基材(substrate)可区分为可区分为N,P两种类型（两种类

3、型（type）,何谓何谓 N, P-type wafer?第8页/共106页108.工厂中硅片（工厂中硅片（wafer）的制造过）的制造过程可分哪几个工艺过程程可分哪几个工艺过程(module)？第9页/共106页11ImplantDiffusionTest/SortEtchPolishPhotoCompleted waferUnpatterned waferWafer startThin FilmsWafer fabrication (front-end) 光刻占成本第10页/共106页129.一般硅片的制造常以几一般硅片的制造常以几P几几M 及光罩层及光罩层数数(mask layer)来代

4、表硅片工艺的时间长短，来代表硅片工艺的时间长短，请问几请问几P几几M及光罩层数及光罩层数(mask layer)代表代表什么意义？什么意义？第11页/共106页1310.Wafer下线的第一道步骤是形成下线的第一道步骤是形成start oxide 和和zero layer? 其中其中start oxide 的目的的目的是为何？是为何？第12页/共106页1411.为何需要为何需要zero layer?第13页/共106页1512.Laser mark是什么用途是什么用途? Wafer ID 又代表什么意义又代表什么意义?第14页/共106页1613.一般硅片的制造一般硅片的制造(wafer p

5、rocess)过程包含哪些主要部分？过程包含哪些主要部分？第15页/共106页1714.前段（前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部）的工艺大致可区分为那些部份份?第16页/共106页1815.STI 是什么的缩写是什么的缩写? 为何需要为何需要STI?第17页/共106页1916.AA 是哪两个字的缩写是哪两个字的缩写? 简单说明简单说明 AA 的用途的用途?第18页/共106页2017.在在STI的刻蚀工艺过程中，的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？要注意哪些工艺参数？第19页/共106页2118.在在STI 的形成步骤中有一道的形成步骤中有一道liner oxide（线（线形

6、氧化层）形氧化层）, liner oxide 的特性功能为何？的特性功能为何？第20页/共106页22第21页/共106页2319.一般的阱区离子注入调整电性一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤可分为那三道步骤? 功能为何？功能为何？第22页/共106页2420.一般的离子注入层次（一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤）工艺制造可分为那几道步骤?第23页/共106页2521.Poly（多晶硅）栅极形成的（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些步骤大致可分为那些?第24页/共106页2622.Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注

7、意哪些地方？要注意哪些地方？第25页/共106页2723.何谓何谓 Gate oxide (栅极氧化层栅极氧化层)?第26页/共106页28栅极电压Gate(栅极)漏极电压Drain 漏极Gate oxide 栅极氧化层Substrate 基材Source源极基本器件示意图基本器件示意图(Device)栅极电压Gate(栅极)漏极电压Drain 漏极Gate oxide 栅极氧化层Substrate 基材Source源极基本器件示意图基本器件示意图(Device)第27页/共106页2924.源源/漏极漏极(source/drain)的形成的形成步骤可分为那些步骤可分为那些?第28页/共106

8、页3025.LDD是什么的缩写是什么的缩写? 用途为何用途为何?N-WellPPN-WellPPLDD离子植入N-WellPP形成SpacerN-WellP+P+N+/P+高浓度离子植入N-WellPPN-WellPPN-WellPPLDD离子植入N-WellPPLDD离子植入N-WellPP形成SpacerN-WellP PP形成SpacerN-WellP+P+N+/P+高浓度离子植入N-WellP+P+P+N+/P+高浓度离子植入第29页/共106页3126.何谓何谓 Hot carrier effect (热载流子效应热载流子效应)?第30页/共106页3227.何谓何谓Spacer?

9、Spacer蚀刻时蚀刻时要注意哪些地方？要注意哪些地方？第31页/共106页3328.Spacer的主要功能的主要功能?第32页/共106页3429.为何在离子注入后为何在离子注入后, 需要热处理需要热处理( Thermal Anneal)的工艺的工艺?第33页/共106页3530.SAB是什么的缩写是什么的缩写? 目的为何？目的为何？第34页/共106页3631.简单说明简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些工艺的流层中要注意哪些?P-WellCO SailcideN+N+有RPO保护的地方不会形成 SalicideP-WellCO SailcideN+N+有RPO保护的地方不会形成 Sali

10、cide第35页/共106页3732.何谓硅化物何谓硅化物( salicide)?第36页/共106页3833.硅化物硅化物(salicide)的形成步骤的形成步骤主要可分为哪些主要可分为哪些?第37页/共106页3934.MOS器件的主要特性是什么？器件的主要特性是什么？第38页/共106页4035.我们一般用哪些参数来我们一般用哪些参数来评价评价device的特性？的特性？第39页/共106页4136.什么是什么是Idsat? Idsat 代表什么意义？代表什么意义？第40页/共106页4237.在工艺制作过程中哪些工艺在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到可以影响到Idsat?第41页/共1

11、06页4338.什么是什么是Vt? Vt 代表什么意义？代表什么意义？第42页/共106页4439.在工艺制作过程中哪些工艺在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到可以影响到Vt?第43页/共106页4540.什么是什么是Ioff? Ioff小有什么好处？小有什么好处？第44页/共106页4641.什么是什么是 device breakdown voltage?第45页/共106页4742.何谓何谓ILD? IMD? 其目的为何？其目的为何？IMDMetal-1CT第46页/共106页4843.一般介电层一般介电层ILD的形成由那些层次组成？的形成由那些层次组成？第47页/共106页4944.一般介

12、电层一般介电层IMD的的形成由形成由那些层次组成？那些层次组成？做平坦化。做平坦化。第48页/共106页5045.简单说明简单说明Contact (CT)的形成步骤有那些的形成步骤有那些?第49页/共106页5146.Glue layer（粘合层）的沉积所处的（粘合层）的沉积所处的位置、成分、薄膜沉积方法是什么？位置、成分、薄膜沉积方法是什么？第50页/共106页5247.为何各金属层之间的连接大多为何各金属层之间的连接大多都是采用都是采用CVD的的W-plug(钨插塞钨插塞)?第51页/共106页5348.一般金属层一般金属层(metal layer)的形成工艺是的形成工艺是采用哪种方式采用

13、哪种方式?大致可分为那些步骤大致可分为那些步骤?第52页/共106页5449.Top metal和和inter metal的厚度，线宽有何不的厚度，线宽有何不同同?第53页/共106页5550.在量测在量测Contact /Via（是指（是指metal与与metal之间的连接）的之间的连接）的接触窗开的好不好时接触窗开的好不好时, 我们是利用什么电性参数来得知的我们是利用什么电性参数来得知的?第54页/共106页5651.什么是什么是Rc? Rc代表什么意义？代表什么意义？第55页/共106页5752.影响影响Contact (CT) Rc的主要的主要原因可能有哪些原因可能有哪些?第56页/共

14、106页5853.在量测在量测Poly/metal导线的特性时导线的特性时, 是利用什么是利用什么电性参数得知电性参数得知?第57页/共106页5954.什么是什么是spacing?如何量测如何量测?第58页/共106页60 55.什么是什么是 Rs?第59页/共106页61 56.影响影响Rs有那些工艺有那些工艺? 第60页/共106页6257.一般护层的结构是由哪三层组成一般护层的结构是由哪三层组成?第61页/共106页6358.护层的功能是什么护层的功能是什么?第62页/共106页64第63页/共106页6560.工艺流程结束后有一步骤为工艺流程结束后有一步骤为WAT，其目的为，其目的为

15、何何? 第64页/共106页66 61.WAT电性测试的主要项目有那些电性测试的主要项目有那些?第65页/共106页6762.什么是什么是WAT Watch系统系统? 它有什么功能它有什么功能?第66页/共106页6863.什么是什么是PCM SPEC?第67页/共106页6964.当当WAT量测到异常是要如何处理量测到异常是要如何处理?第68页/共106页7065.什么是什么是EN? EN有何功能或用途有何功能或用途?第69页/共106页7166.PIE工程师每天来公司需要工程师每天来公司需要Check哪些项目哪些项目(开开门五件事门五件事)?第70页/共106页7267.WAT工程师每天来

16、公司需要工程师每天来公司需要Check哪些项目哪些项目(开门五件事开门五件事)?第71页/共106页7368.BR工程师每天来公司需要工程师每天来公司需要Check哪些项目哪些项目(开开门五件事门五件事)?第72页/共106页7469.ROM是什么的缩写是什么的缩写?读写功能特性耗电速度组成DRAM具有读写功用随机存取记忆体(Random access memory)电力消失后更不存在已记忆的资料处理速度较SRAM慢一个电晶体一个电容SRAM具有读写功用随机存取记忆体(Random access memory)电力消失后更不存在已记忆的资料处理速度最快一般是6个电晶体EPROM 具有读写功用只

17、读记忆体(Read only memory)电力消失后仍然存在已记忆的资料ROM只能读不能写只读记忆体(Read only memory)电力消失后仍然存在已记忆的资料第73页/共106页75 70.何谓何谓YE?第74页/共106页7671.YE在在FAB中所扮演的角色？中所扮演的角色？第75页/共106页7772.YE工程师的主要任务？工程师的主要任务？第76页/共106页7873.如何如何reduce excursion?第77页/共106页7974.如何如何improve base line defect?第78页/共106页8075.YE 工程师的主要工作内容？工程师的主要工作内容？

18、第79页/共106页81 76.何谓何谓Defect?过程中引起的晶格缺陷。过程中引起的晶格缺陷。第80页/共106页82 77.Defect的来源？的来源？第81页/共106页8378.Defect的种类依掉落位置区分可分为的种类依掉落位置区分可分为?第82页/共106页8479.依对良率的影响依对良率的影响Defect可分为可分为?第83页/共106页85 80.YE一般的工作流程一般的工作流程?第84页/共106页8681.YE是利用何种方法找出缺陷是利用何种方法找出缺陷(defect)?第85页/共106页8782.Defect result file包含那些信息包含那些信息?第86页

19、/共106页8883.Defect Inspection tool 有哪些型式？有哪些型式？第87页/共106页89 84.何谓何谓 Bright field?第88页/共106页90 85.何谓何谓 Dark field?第89页/共106页9186.Bright field 与与 Dark field 何者扫描速度较快何者扫描速度较快?第90页/共106页9287.Bright field 与与 Dark field 何者灵敏度较好何者灵敏度较好? Light sourcevisibleUV and visibleLaser(532nm,2W)Laser(488nm,75mW)光源入射角度光源入射角度normal(直射直射)normalnormaloblique(斜射斜射)WPH(每小时产出数量每小时产出数量)23pcs23pcs17pcs(5X)14pcs(5um)scan layerThroughput快