超大规模集成电路期终总复习

1、重点章节：第3、4、5、6章占90%非重点章节：第1、2章占10%期末总成绩分布：2021-10-222第三章第三章 器件设计技术器件设计技术本节重点：本节重点：1.半导体表面场效应。半导体表面场效应。2.Mos晶体管的工作原理。晶体管的工作原理。3.NMOS管的电流管的电流电压特性。电压特性。4.CMOS反相器结构及工作原理。反相器结构及工作原理。1.什么是MOS管的阈值电压？2.要BJT起电流放大作用，对其制作的要求是？3.IEIBIC;分别说明IE、IB、IC是由载流子的什么运动形成的？4.试描述MOS管工作原理，（以NMOS为例）。5.影响MOS管Ids大小的因素有哪些？6.MOS管栅

2、下载流子的平均传输时间与沟道长度的关系？7.当VdsVgs-Vtn时，继续增大Vds，沟道电阻如何变化？8.会判断MOS管的工作状态。 9.按负载元件分，反相器可以分成几类？ 10.当输入为低电平时，哪一种反相器的输出具有阈值损耗。 11.噪声容限的概念。 12.什么是有比反相器？ 13.画出CMOS反相器电路图？描述其原理 14.当输入Vo+VtpViVo+Vtn时，CMOS中的NMOS和PMOS分别工作在什么状态？ 15.为了使CMOS反相器具有良好的噪声容限，在设计时对Vt的要求？为了满足这一要求，PMOS和NMOS工艺上应如何设计？ 16.描述CMOS反相器的优点？2021-10-22

3、5 第四章第四章 电路参数及性能电路参数及性能2021-10-226本章重点：本章重点：1. MOS晶体管的参数晶体管的参数2. MOS器件的二阶效应（补）器件的二阶效应（补） 3. 信号传输延迟（门延迟）信号传输延迟（门延迟）1.阈值电压受哪些因素的影响？2.由于衬偏效应的存在会使阈值电压如何变化？3.什么是沟道长度调制效应？4.形成源漏截止电流的原因有哪些？5.防止寄生MOS管的措施有哪些？6.试比较线性区和饱和区中，mos管直流导通电阻的大小？7.由于输入阻抗高而使MOS管具有特性有？8.为了防止MOS管栅氧化层被击穿，在芯片设计时会连接输入保护电路，试画出其电路图。9.什么情况需考虑二

4、阶效应？10.MOSFET存在哪些二阶效应？11.考虑二阶效应，实际的栅极长度相对于版图设计的L是增大还是减小？由哪两方面工艺因素使之发生了变化？12.在二阶效应中，场区生长厚场氧会使W如何变化？13.迁移率主要受哪三个因素的影响？14.对于高性能器件而言，为什么说P型和N型管性能差不多？15.衡量数字电路的主要性能指标有？16.什么是CMOS的本征延迟？17.构成CMOS本征延迟的负载电容主要由什么构成？18.如何降低CMOS的延时？19.CMOS的下降时间对应着充电还是放电过程？此时是哪个管子工作？20.CMOS动态功耗和静态功耗的组成部分？21.Latch-up效应产生的原因及防止措施。

5、第五章第五章 逻辑设计技术逻辑设计技术10本章重点：1.MOS管的串并联特性；2.静态CMOS逻辑电路设计；3.MOS传输门特性；4.可编程逻辑器件PLA； 1.用CMOS实现任意组合逻辑电路，并会讨论其上升和下降延迟情况。 2.会利用传输门实现数据选择器或多功能发生器； 3.CMOS传输门传输高低电平时，讨论N管和P管的工作状态； 4.会利用CMOS传输门实现异或及同或门； 5.会利用PLA实现任意组合逻辑；第六章 本章重点：1.先行进位加法器；2.同步上下计数器；3.存储器；4.I/O电路；1.ROM有哪些种类？各有何特点？2.若存储器的容量为5128位。则地址代码应取几位？画出其存储矩阵及对应的行列译码器。若输入的地址为101001011，应选中哪个存储单元？3.ROM和RAM的主要区别是什么？4. i/o PAD在集成电路中的主要功能？5. 输入单元为什么需要增加输入保护电路？6. 试画出双二极管保护电路，其对MOS管栅极电压钳位范围是？7. 直接利用TTL驱动CMOS管可以吗？为什么？8. 输出单元若要获得大的驱动能力应当采用什么方法？2021-10-2215 在每一位元中使用一个加法器和一个在每一位元中使用一个加法器和一个D触发器。此计触发器。此计数器的数器的操作速度操作速度