BJT与场效应管PPT课件

1、1一一. 基本结构基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型 由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成，根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。第1页/共61页2BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管制成晶体管的材料可以为Si或Ge。第2页/共61页3BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高第3页/共61页4BECNNP基极发射极集电极发射结集电结 BJT BJT是非线性元是非线性元件，其工作特性与其件，其工作特性与其工作模式

2、有关：工作模式有关：当当EBEB结和结和CBCB结均加正偏时结均加正偏时,BJT,BJT处于饱和模式处于饱和模式; ;当当EBEB结结加零偏或反偏、加零偏或反偏、CBCB结加反偏时结加反偏时,BJT,BJT处于截止模式。处于截止模式。当当EBEB结加正偏结加正偏, CB, CB结加反偏结加反偏时时,BJT,BJT处于放大模式处于放大模式; ;BJTBJT主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大，饱和模式和截止模式主主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大，饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。要用于数字电路中。第4页/共61页5二二. 电流放大原理电流放大原理以以NPN型型BJT为例讨论为例讨

3、论，其结论同样适用于，其结论同样适用于PNP型型BJT，不同的是，不同的是外加电压与前者相反。外加电压与前者相反。输入回路输入回路输出回路输出回路共射极放大电路共射极放大电路工作的基本条件：工作的基本条件：EB结正偏；结正偏；CB结反偏。结反偏。VCCVBB VEE第5页/共61页6BJT的放大作用可表现为：用较小的的放大作用可表现为：用较小的基极电流控制较大的集电极电流，或将较基极电流控制较大的集电极电流，或将较小的电压按比例放大为较大的电压。小的电压按比例放大为较大的电压。a)EB结加正偏结加正偏,扩散运动形成扩散运动形成IE。 b)扩散到基区的自由电子与空穴复合扩散到基区的自由电子与空穴

4、复合形成形成IB。c)CB结加反偏结加反偏,漂移运动形成漂移运动形成IC。1 1BJT内部载流子运动内部载流子运动第6页/共61页7BECNNPEBRBECIE基区空穴向发基区空穴向发射区的扩散可射区的扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的电子少部区的电子少部分与基区的空穴复分与基区的空穴复合，形成电流合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。多数扩散到集电结。发射结正偏，发发射结正偏，发射区电子不断向射区电子不断向基区扩散，形成基区扩散，形成发射极电流发射极电流IE。RC第7页/共61页8BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO IC

5、EIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。ICBO：发射极开路时集电结反向饱和电流：发射极开路时集电结反向饱和电流 ICEO ：基极开路时集电极与发射极在：基极开路时集电极与发射极在VCC 反偏作用下的电流反偏作用下的电流 ，称为穿透电流。分析时，称为穿透电流。分析时可忽略，但可反映可忽略，但可反映BJT的质量。的质量。第8页/共61页9IB=IBE -ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE第9页/共61页102.2.电流分配关系电流分配关系忽略对极间电流影响较小的电子和空穴忽略对极间电流影

6、响较小的电子和空穴运动形成的电流，运动形成的电流，BJT中电流关系为：中电流关系为： IE=IC+IB电流放大系数电流放大系数共射极直流电流放大系数共射极直流电流放大系数: IC / IB IE (1+ ) IB共射极交流电流放大系数共射极交流电流放大系数: iC /iB ， 由由BJT制造时材料掺杂浓度决定。制造时材料掺杂浓度决定。第10页/共61页11三三. 特性曲线特性曲线 实验线路实验线路ICmA AVVUCEUBERBIBECEB输入回路输出回路RC第11页/共61页121.输入特性工作压降：工作压降： 硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE。UCE 1VIB( A)UBE(

7、V)204060800.40.8UCE=0VUCE =0.5V 死区电死区电压，硅管，压，硅管，锗管。锗管。第12页/共61页132.输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC= IB称为线性称为线性区（放大区（放大区）。区）。当当UCE大于一大于一定的数值时，定的数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC= IB。第13页/共61页14IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集集电结正偏，电结正偏， IBIC，UCE 称为饱和

8、区。称为饱和区。第14页/共61页15IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 第16页/共61页17电路共基极电路共基极直流电流放大系数直流电流放大系数: IC / IE IE=IC+IB= IC / IC / IB = /（1- ）= 或或 = / (1+ ) 共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数: iC /I 且且 第17页/共61页18对对共集电极电路共集电极电路 有有 IE IB+ IB

9、 = (1+ ) IB故共集电极电路又称为故共集电极电路又称为电流放大器或电压跟随器。电流放大器或电压跟随器。第18页/共61页19四四. .BJT的主要参数的主要参数1.电流放大系数电流放大系数 a)对共射极电路接法: IC / IBiC /iB 实际电路使用时一般采用=3080的BJT 作为放大管。 b)对共基极电路接法: IC / IEiC /iE 第19页/共61页20a) C-B极反向饱和电流极反向饱和电流ICBO硅管小于锗管，而且受温度影响较大。硅管小于锗管，而且受温度影响较大。应用时选用应用时选用ICBO较小的较小的BJT。2.2.极间反向电流极间反向电流 b) C-E极反向饱和

10、电流极反向饱和电流ICEOB极开路时，极开路时，C-E极间的穿透电流极间的穿透电流有有ICEO=(1+) ICBO第20页/共61页213.3.特征频率特征频率f fT T BJT BJT工作在交流状态下，由于结电工作在交流状态下，由于结电容的作用，信号频率增大使容的作用，信号频率增大使下降并下降并产生相移，产生相移，使使下降下降为为1 1时的信号频率时的信号频率称为特征频率称为特征频率f fT T 。应尽量选用。应尽量选用f fT T较高较高的的BJTBJT。第21页/共61页224 4.极限参数极限参数a)集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICMb)集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗P

11、CMc)极间反向击穿电压极间反向击穿电压 UCBO:大小可从几十至大小可从几十至 上千伏。上千伏。 UCEO:与与ICEO相关，相关， UCEO UCBO。 UEBO:大小从大小从1/1010VICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区第22页/共61页23五.温度对BJT特性的影响1.温度对温度对ICBO的影响的影响 温度每升高温度每升高10时时, ICBO约增加一倍。约增加一倍。2.温度对输入特性的影响温度对输入特性的影响 温度升高，输入特性曲温度升高，输入特性曲 线将左移。线将左移。2.温度对输出特性的影响温度对输出特性的影响 温度升高将导致温度升高将导致IC增大。增大

12、。第23页/共61页24六.光电三极管 利用光照强度利用光照强度来控制集电极电来控制集电极电流大小，可等效流大小，可等效为一只光电二极为一只光电二极管与一只管与一只BJT连接组成连接组成，引出线为集电极和发，引出线为集电极和发射极，目前应用较多。射极，目前应用较多。第24页/共61页25例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管分别工作于哪个工作区？当USB = -2V时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEmA2612maxCSCCRUIIB=0 ， IC=0IC最大饱和电流：（忽略BJT饱和压降）Q位于截止区

13、第25页/共61页26例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管分别工作于哪个工作区？IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB =2V时：9mA01070702.RUUIBBESBB0.95mA9mA01050.IIBC第26页/共61页27USB =5V时:例： =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管分别工作于哪个工作区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEQ 位于饱和区，此时IC 和

14、IB 已不是 倍的关系。mA061070705.RUUIBBESBBcmaxBI5mA.3mA.I 0061050 mA2cmaxcII第27页/共61页28判断判断BJTBJT工作状态的一般方法工作状态的一般方法( (以以NPNNPN管为例管为例) ) 状状 态态 方方 法法截止截止放大放大饱和饱和发射结发射结反偏或零偏反偏或零偏正偏正偏正偏正偏集电极集电极反偏反偏反偏反偏正偏或零偏正偏或零偏极电压极电压UBEUonUBEUon(硅管硅管Uon =0.7V 锗管锗管Uon =0.4V)(临界饱和压降临界饱和压降UCES硅管硅管UCES =0.5V锗管锗管UCES=0.2V )UCEUBEUC

15、EUBE(UCES UC 0IBS*极电流极电流IC0 IB IB极电流极电流IE0(1+ )IB(1+ )IB:临界饱和电流临界饱和电流IBS =(VCC-UCES)/ RC第28页/共61页29作业：作业： P676915、16、18*、19第29页/共61页30场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管JFETJoint-Field-Effect-Transistor绝缘栅型场效应管MOSMetal-Oxide-Semiconductor场效应管有两种:1-4 场效应管场效应管第30页/共61页31N基底:N型半导体PP两边是P区G(栅极)S源极D漏

16、极一、结构1-4.1 结型场效应管结型场效应管:导电沟道drain electroden.漏极gridn.栅极sourcen.源极第31页/共61页32NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管DGSDGS第32页/共61页33PNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSDGS第33页/共61页34二、工作原理（以P沟道为例）UDS=0V时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。第34页/共61页35PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时NNUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间

17、相当于线性电阻。第35页/共61页36PGSDUDSUGSNNUDS=0时UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS 0V，漏极电流ID=0A。ID夹断电压Pinch off voltage 第36页/共61页37PGSDUDSUGSUGS0、UGDVP时耗尽区的形状NN越靠近漏端，PN结反压越大ID第37页/共61页38PGSDUDSUGSUGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状NN沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。ID第38页/共61页39GSDUDSUGSUGSVp UGD=VP时NN漏端的沟道被夹断，称为预夹断。UDS增大则被夹断区向

18、下延伸。ID第39页/共61页40GSDUDSUGSUGS0时UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。感应出电子VT称为阈值电压第51页/共61页52UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。PNNGSDUDSUGS第52页/共61页53PNNGSDUDSUGS当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。第53页/共61页54PNNGSDUDSUGS夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。IDUDS增加，UGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。第54页/共61页55三、增强型N沟道MOS管的特性曲线转移特性曲线0IDUGSVT第55页/共61页56输出特性曲线IDU DS0UGS0第56页/共61页57四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。转移特性曲线0IDUGSVT第57页/共61页58输出特性曲线IDU DS0UGS