模电3章课后知识题

1、填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。2. 整流二极管的整流作用是利用 PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作 用是利用PN结的反向击穿特性。3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时，发射结应正 偏置，集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时，发射结应反 偏置，集电结应 反 偏置。4. 三极管电流放大系数50，贝U a= 0.98 ;若a=0.99，贝U 3= 99 。5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数3增大，穿透电流Iceo 增加 ，当

2、Ib不变时，发射结正向压降|Ube|减小6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻Rl变小时，其电压增益将变小。7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态lc偏小;产生饱和失真的原因是lc偏大；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大 。8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集 电路；通频带较宽的是共基 电路；输入电阻较小的是共基 电路：输出电阻较小的是共集 电路：输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基电路;电压增益小于1的是 共集 电路;带负载能力较强的是 共集 电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路9.

3、 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为-77.7 ，其输出与输入信号的相位相差-225 度。10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍40数为100倍，上限频率fH = 2 X106 Hz，下限频率 札= 20 Hz，当信 号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为37 dB。-20dB/dec2011. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差 作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场 作用下产生的。12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。13. 在三极管多

4、级放大电路中，已知 AV1 = 20，Av2 = -10，Av3 = 1，AV1是 共 基 放大器,AV2是 共射 放大器,AV3是 共集 放大器。14. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1、输入电阻 比较大、输出电阻比较小。15. 半导体中有自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取度。16 温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度增加，多子浓度 基本不变 。17. 改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的半导体中加入微量的杂质 。18. N型半导体的多数载流子是 自由电子，少数载流子是 空穴。19. P型半导体的多数载流子是空穴，少数载

5、流子是自由电子。20. PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。21. PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。22. BJT所代表的电气元件是双极型三极管。23. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区、线性放大区和截止区。24. 静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。25. 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管 和 绝缘栅型场效应管两类。26. MOSFET所代表的电气元件是 金属-氧化物-半导体场效应管。27. 共集电极电路又被称为电压跟随器：共基极电路又被称为 电流跟随器。28. 静态工作点Q点选得过低会导致

6、截止 失真;Q点选得过高会导致 饱和 失真。29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件， 即要求 发射区 杂质浓度要远大 于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很.薄;另一方面要满足外部条件，即发 射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是 共基极电路、称为电压跟随器的电路是 共 集电极电路 。31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是共射极放大电路；仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路；仅具有电流 放大作用的电路是 共基极电路。32. 场效应管是一种利用 电场效

7、应 来控制其电流大小的半导体器件。33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿 （正向导通；反向截止；反向击穿）。34. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 ;输入电阻 很大；输出电阻很小。36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的之积。37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变窄了。38. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感应电荷 的多少，从而控制漏极

8、电流的大小39.对于下图所示电路，设 Vcc=12V , Rb=510k Q, Rc=8 k Q, Vbe=0.7V , Vce（sat）=0.3V,当 B=50 ,静态电流 Ibq= 22 pA , ICQ= 1.1mA,管压降 Vceq=3.2V ;若换上一个当B =80，静态电流Ibq= 22叭 ,Icq=1.46mA,管压降Vceq=0.3V，三级管工作在饱和状态。40.对于下图所示电路，设 Vcc=12V ,三级管B=50 , Vbe=0.7V，若要求静态电Rb=282.5 k Q , Rc=4 k Q 。流IcQ=2mA , Vceq=4V，贝U电路中的Vcc=12V , Rb1

9、=27 k Q , Rc=2 k Q ,Re=1 k贝y Rb2 =12 k Q 。42.已知图示的放大电路中的三级管B=40 , Vbe=0.7V ,稳压管的稳定电压Vz=6V ,则静态电流 Ibq=0.275mA, Icq= 11mA ,管压降 Vceq= 3V 。43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和 失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的 Icbo 、_Vbe_和B三个参数的变化，引起工作点 上移；输出波形幅度增大，则是因为B参数随温度升高而增大所选用 共射、共基 ；若希望带负载能力强，应选用 共集

10、组态；若希望从 信号源索取的电流小，应选用共集 组态。选择1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压Uab应为（B ）A、Uab = 12V B、Uab = 6V C、Uab = + 6V D、Uab = + 12V丰弭T=12V2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻 R2中的电流I为（C ）A、1 = 2mA B、1 = 0mAC、1 = 1.5mA D、l = 1.5mAr心z? D3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 10V和9.3V ,则该管为（A ）0A、NPN硅管B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管4. 测得某放大电路中NPN管三个极

11、对地的电位分别为 Uc= 12V , Ub = 1.8V和Ue= 0V，则该管是处于（D ）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态 D、已损坏5. 有人选用最大允许集电极电流Icm = 20mA ,最大允许电压Uceo = 20V ,集电 极最大允许耗散功率Pcm = 100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点Ic=15mA , Uce= 10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏6. 某放大电路在负载开路时的输出电压为 6V,当接入2k Q的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（C ）oA、 10k Q B、

12、2k QC、1k Q D、0.5k Q7.放大电路如图所示，如UccU be，且Iceo MD，则在静态时，该三极管工作的状态是（B ）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不定8.电路如图所示，若不慎将旁路电容 Ce断开，则将（C ）A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益B、只影响静态工作点，但不影响电压增益C、不影响静态工作点，只影响电压增益D、不影响静态工作点，也不影响电压增益9 两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为Ai和A2，如果将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（D ）。A、Ai+ A 2 B、Ai XA2C、|A 1 XA2 | D、v|A 1

13、 XA2 |10.场效应管本质上是一个（C ）0双极型三极管本质上是一个（ A ）0A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件11 . N沟道JFET的跨导gm是（C ）oA、一个固定值B、随电源电压Vdd增加而加大C、随静态栅源电压Vgs增加而加大D、随静态栅源电压Vgs增加而减小12 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（A ）0A、P沟道增强型 MOSFET B、P沟道JFET13 已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（ D ）A、P沟道增强型MOSFETB、N沟道JFETC、P沟道耗尽型 MOSFETD、N沟道耗尽型 MOSFET1

14、4 硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（B ）A、0.6V; 0.6V B、0.6V ; 0.1V C、0.1V; 0.6V D、0.1V ; 0.1V15 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度D、掺杂工艺16 . N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。17. 用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点 的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（D ）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、倒置状态C、约为原来的2倍5rA、增大集电极电阻RcB、改换B大的晶体管-5. 3V18. 电路如图所示，若更换晶

15、体管，使B由50变为100，则电路的电压放大倍数（C ）。A、约为原来的一半B、基本不变D、约为原来的4倍19. 当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（D ）5r20. 温度上升时，半导体三极管的（ A ） oA、B和ICBO增大，UBE减小B、B和UBE增大，ICBO减小C、UBE和ICBO增大，B减小 D、B、UBE和ICBO均增大21. 在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|1的只可能是（D ）oA、共集电极放大电路B、共基极放大电路C、共漏极放大电路D、共射极放大电路22

16、在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别是（C ）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的B =100 oA. 5.6k Q、10 k Q B. 5.6k Q、510 QC. 5.6k Q、1M Q D. 100k Q、1M Q23-30题的图23.已知下图所示放大电路中的 Rb=100k Q, Rc=1.5 k Q,三极管的B=80 ,在静 态时，该三极管处于（b ） oA .放大状态B.饱和状态C.截止状态D.状态不定24. 在下图所示放大电路中，集电极电阻 Rc的作用是（c）oA .放大电流B.调节IbqC.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D.调节I

17、cq25. 对于下图所示的放大电路，当用直流电压表测得UceM/cc时，有可能是因为（a）;当测得UceMD时，有可能是因为（d ） oA. Rb开路 B. Rl短路C. Rc开路D. Rb过小26对于图示放大电路，若Vcc= 12V ,Rc= 2k Q,集电极电流Ic计算值为1mA, 今用直流电压表测得Uce= 8V，这说明（d ）oA .工作正常B.三极管c-e极间开路C.三极管b-e极间短路 D.电容C2短路27.对于图示电路，若仅当 Rb增加时，Uceq将（a）;仅当Rc减小时，Uceq将（a）;仅当Rl增加时，Uceq将（c）;仅当B减小（换三极管）时，Uceq将（a）A .增大 B

18、.减小C.不变 D.不定28.在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个B比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（B）;若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb后，失真消失了，这失真必是（A）oA 截止失真 B.饱和失真C.双重失真D.交越失真29. 对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管Ibq （A），Icq （A），Uceq（B）。A 增大 B.减小C.不变（或基本不变）D.不定30. 在图示共射极偏置电路中，若上偏流电阻Rbi短路，则该电路中的三极管处于（b ）。A .放大状态B.饱和状态C.截止状态D.状态不定.妆31.32.33 图30.对于图示放大电

19、路，若仅当 Rb增加时，Uceq将（a）;仅当Rc减小时，Uceq将（a）;仅当Rl增加时，Uceq将（c）;仅当B减小（换三极管）时，Uceq将（c）。A 增大 B.减小C.不变 D.不定32在图示共射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，该电路的最大不失真输出电压幅值 Vom（c），放大倍数A（b）。输入电阻Ri（a），输出电阻Ro（c）；若仅是Rl增大，则Av（a），R（c），R。（c）；若仅是增大，则 Av （a），R（c），Ro（c）。A .增大 B.减小C.不变 D.不定33. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c），而少数载流子的浓度则与（a）有很

20、大关系。A .温度B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷34. 当PN结外加正向电压时，扩散电流（a）漂移电流，耗尽层（e），当PN结外加反向电压时，扩散电流（b）漂移电流，耗尽层（d）。A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F不变35. 为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的 放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（ b）;为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电 路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（C）。A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.任何一种组态的电路

21、36. 在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形， 当放大电路为共射电路时，则vo和vi的相位（b），当为共集电路时，贝U vo和 vi的相位（a），当为共基电路时，贝U vo和vi的相位（a）。A.相同 B.相反 C.相差90 D.不定37. 既能放大电压，也能放大电流的是（a）组态放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是（c）组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是（b）组态放大电路。A.共射 B.共集 C.共基 D.不定38. 在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（b） 组态；输入电阻最大的是（b，组态，最小的是（c）组态；

22、输出电阻最大的是（c）组态，最小的是（a）组态。A.共射 B.共集 C.共基 D.不定39.某共射放大电路如图所示，其中 Rb=470K Q, Rc=2K Q,若已知lc=1mA，Vce=7V，Vbe=0.7V，rbe=1.6K Q,B=50，则说明（d）。A. AvVoViVcEVBE0.710B. AvVoViI C RcVBE1 20.7C. AvVo1 C RChbRRcR_Rc_ Rb rbe62.5Vi40. 为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合，可以在信号源于低内阻负载 间接入（c）。A.共射电路 B.共基电路 C.共集电路 D.共集-共基串联电路41. 下图示电路出现故障，

23、经测量得知 Ve=0 , Vc=Vcc,故障的可能原因是（d）A.Rc开路 B.Rc短路 C.Re短路D.Rbi开路42. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（d）A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏12Vo1V c一P* T60V43. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2k Q负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（c）。44. 某放大电路如图所示，设 VccV be, Iceo近似为0，则在静态时该三极管处 于（b ）。A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.不定简答题:1. 请写出BJT和FET组成的放大电

24、路的六种组态， 并将该六种组态与反相电压放大器、电压跟随器以及电流跟随器三种组态相对应BJT放大电路的组态：共射极（CE）、共集电极（CC）和共基极（CB）FET放大电路的组态：共源极（CS）、共漏极（CD）和共栅极（CG）反相电压放大器：CE和CS；电压跟随器：CC和CD ；电流跟随器：CB和CG2. 写出下面电路的名称并以 Vi恒定而Rl减小情况为例叙述其工作原理RIq c十+IrIsvrdz2% Q该电路是并联式稳压电路。电路中 Dz为稳压管，R为限流电阻，它的作用是 使电路有个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。负载Rl与稳压管并联， 因而称为并联式稳压管电路。这种稳压管之所以能够稳

25、定输出电压，在于当 稳定电流Iz有较大幅度的变化z时，而稳定电压的变化 Vz却很小。这样，当Vi或Rl变化时，电路能自 动的调整Iz的大小，以改变R上的压降IrR，达到维持输出电压Vo（ Vz）基 本恒定的目的。例如：当Rl不变，Vi变化时，Vi TVo匸十TVr f-Vo J。当Vi不变，Rl变小时，Rl Jo Tr/ o Jz Jr JVo T。3. 下图所示的为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压 VT二？如果是耗尽型，说明它的夹断电压 VP二？(图中iD的假定正向为流进漏极)MOSFET，其 Vt= 4V。其Vp = 3V ;该FET为P沟道

26、增强型4. 解释名词零点漂移并叙述差分式电路抑制零点漂移的工作原理。零点漂移：就是当放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产 生，即输出电压偏离原来的起始点而上下浮动。在差分式电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电 极电流以及相应的集电极电压的相同变化，其效果相当于在两个输入端加入 了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想的情况下，可使输出 电压不变，从而抑制了零点漂移。5. 简述BJT内部载流子传输过程及电流分配关系。以NPN型BJT为例，为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压，在这些外加电压的条件下,管

27、内载流子的传输将发生下列过程：(1)发射区向基区注入电子6. 简述PN结的形成过程。7. 写出下面电路的名称并叙述其稳定静态工作点的物理过程。该电路的名称是分压式偏置电路或射极偏置电路，该电路具有稳定静态工作点的作用，其稳定静态工作点的物理过程为 T T-kT-feRe TT/be JI c J8、简述PN结的单向导电性原理。9、说明BJT放大电路的三种基本组态，并任选其一画出电路图和小信号模型等效电路图10、简述BJT内部载流子电流分配及放大作用判断1.判断图中理想二极管的工作状态，并求出 AO两端的电压0Di处于导通状态、D2处于截止状态Vao =0V。三SV-I 0Di处于截止状态、D2

28、处于导通状态Vao =2试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么?6V。（假设二极管是理想的）Va= 1V Vb = 1+2.5 = 3.5V D处于反向截止状态15V25k J140kD5k 110kVa= 1V Vb = 2.5 1 = 1.5V D处于反向截止状态ok1415Vk8InHVa = 1V Vb = 2.5 2 = 0.5V D处于正向导通状态。3.如图Ui=2Esin cot, Di、D2为理想二极管，试求 Di、D2的工作状态及uo波形。4.电路如图所示稳压管Dz的稳定电压Vz= 8V,限流电阻R = 3K,设Vi=15sin3t，试画出Vo的波形。R电路分析与计算1.已

29、知射极偏置电路的元件参数如下图所示且3=60,求：（1）用估算公式法求解Q点并画出直流通路图；（2）用小信号模型分析法求解该放大电路的动态 性能指标。2.电路如图所示，晶体管的100 , Rbi = 25k Q, Rb2 = 5k Q, Rc= 5 k Q, Rei=300 Q, Re2= 1 k Q, Rl = 5 k Q。求：（1）用估算公式法求解 Q点并画出直流通路图；(2)用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。3. 电路如图，设B = 100，试求：(1)画出直流通路图求 Q点；(2)画出交流小信号模型图求电压增益 Avi = Voi/Vs和Av2 = V02/Vs; (3)

30、输入电阻Ri;(4)输出电阻Roi和R02 Vcc口 丄inv4. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 Va = -9V, Vb = -6V , Vc = -6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、 并说明此BJT是NPN管还是PNP管。5. 某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的电流如图，用万用表直流电流档测 得 Ia = -2mA , Ib = -0.04mA , lc= +2.04mA ，试分析 A、B、C 中哪个是基极 b、发射级e、集电极c、并说明此管是NPN管还是PNP管6、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图2所示。 1.

31、 求另一电极电流的大小，并标出实际极性;2. 判断是NPN管还是PNP管；3. 标出e,b,c电极；刖I4.估算B值。0.03 mA 1.8 mA图2答：1、1.83mA，极性向外。2、NPN 管3、略4 3=1.8/0.03=607试分析下图所示的电路对正弦交流信号有无不失真放大作用，并简述理由TV.RT1n7JA匚21%Kb100K8. 在图示电路中，设电容Ci、C2、C3对交流信号可视为短路。（1）写出静态电流Ic及电压Vce的表达式；（2）写出电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro 的表达式；（3）若将电容C3开路，对电路会产生什么影响?9. 已知 Rg1=300K，Rg2=100K，Rd=10K，Rs=2K，FET工作点上的互导gm=1mS，设rds Rd。（1）画出电路的小信号等效电路；（2）求电压增益Av ；（3）求电路的输入电阻Ri。1110. 已知放大电路的如图所示且B =40 , RB1=20k , RB2=10k , RC=2k ,VCC=12V , RE=0.2k , RE =1.8k , RL=6k , RS=1k。求：(1