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文档简介

图1.1 硅和锗的原子结构和共价键结构 图1.4 N型半导体的共价键结构 图1.5 P型半导体共价键结构 图1.6 P型和N型半导体交界处载流子的扩散 图1.7 PN结的形成 图1.8 PN结外加正向电压 图1.9 PN结外加反向电压 图1.13 二极管的伏安特性曲线 图1.20 稳压二极管的伏安特性和符号 图1.23 发光二极管的外形和符号 图1.32 三极管的安全工作区 图1.35 判别三极管c、e电极的原理图 图1.36 光电三极管的符号、等效电路和外形 图1.37 光耦合器的一般符号 图1.40 UGS=0时的导电沟道 图1.42 UGSUP时的导电沟道 图1.44 N沟道结型场效应管的输出特性曲线 图1.47 N沟道增强型MOS管加栅源电压UGS 图1.48 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线 图1.49 N沟道增强型MOS管的转移特性曲线 图1.50 N沟道耗尽型MOS管的结构与符号 图1.51 N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线

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