露光(黄光)制程介绍

1、微影製程簡介微影製程簡介(黃光黃光)2014.04顏色名波長紫380450 nm藍450495 nm綠495570 nm黃570590 nm橙色590620 nm紅620750 nm光阻不被反應人員作業安全 黃光-最佳作業光源何謂黃光可見光波長：電磁波380780 nm(一般人眼可見光400700nm)光阻可被反應範圍：500nm以下(見下頁說明)可見光範圍光阻可反應之範圍380nm780nm光阻吸收光譜以乾膜吸收為例：乾膜-1乾膜-2乾膜-3安全範圍-450nm最易感光範圍-310 nm最易感光範圍-360 nm最易感光範圍-310、355 nm安全範圍-470nm安全範圍-460nm簡單來

2、說： 光阻於波長500nm以下會產生 反應(Cross- Link)壓膜曝光顯影蝕刻流程：去膜PETITOMeterialMetalPETITOMetalDry filmLightmask曝光Dry film壓膜曝光顯影蝕刻去膜Metal Pattern成形Metal Layer 蝕刻微影製程(Photolithigraphy)微影技術：將設計好的圖案從光罩上轉印到材料表面的光阻上時所使用的技術等於印刷油墨or可剝以負型光阻為例細線路呈現： 以印刷製作線路，因印刷易有溢膠現象，導致線路呈現曲折狀；且因網板印刷限 制，線路無法製作Fine Pitch(50um以下)之Pattern。 以Dry

3、Film製作線路，因Dry Film高解析之特性，Fine Pitch之Pattern製作容易呈現 且利用光罩曝光製作線路，可輕易呈現筆直狀態。印刷製作Dry film製作線路曲折線寬較大(80um)線路筆直線寬較細(35um)光阻(Photo resist)種類介紹光阻成分：溶劑、樹脂、光活性化合物。 溶劑-可讓光阻保持溶液狀態使光阻可以旋舖方式塗佈在基板上。 樹脂-提供光阻的粘著性、抗蝕刻能力，並可被鹼性顯影液分解。 光活性化合物對特殊光線具有靈敏性，又稱為感光劑。光阻種類(依特性)： 正光阻 (曝光處裂解) 負光阻 (曝光處聚合)光阻種類(依狀態)： 液態光阻 乾膜正行正型光阻負型光阻O

4、riginal曝光(照光處)顯影長鏈(強壯)短鏈(弱)裂解聚合(Cross Link)曝光處洗掉光阻曝光處光阻留著光罩/底片曝光顯影後負光阻紫外線正光阻基板基板基板光阻基板光阻正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um)負光阻優點：便宜底片製作說明-RD、繪圖必知底片組成：PET+藥膜底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影 PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥PET藥膜底片構造YLO出圖正片負片For 正型光阻、印刷製程For 負型光阻(現行黃光製程)底片發包專用術語-RD、繪圖必知製程正/負片解析度(dpi)藥膜上/下字正/反價格(元/張)印

5、刷正片8000膜上字正800原-黃光負片40000膜下字正1800Layer-1(細線路)負片40000膜下字正1800Layer-2(OC)負片8000膜下字正800說明： 1. 正/負片視光阻型式決定(正型開正片、負型開負片) 2. 解析度視線路解析決定(50um以下40000 dpi) (50150um25000 dpi) (150um以上8000 dpi) 3. 藥膜上下視曝光底片與基材接觸面而定PET藥膜底片構造乾膜保存期限乾膜保存期限與儲存溫度關係：保存時間(天)以30/90%為例，乾膜儲存時間僅2.5天以10/90%為例，乾膜儲存時間可達200天乾膜保存最佳溫度510，保存時間可

6、達100天。乾膜適於儲存於低溫、低濕度的環境。 乾膜過期or存放不當，將導致流膠，造成乾膜附著不良。壓膜條件與注意事項壓膜重要參數：a.溫度：90120 b.壓力：1.53.5 Kg/cm2溫度壓力附著力缺點高大佳去膜不淨低小差乾膜易Peeling如何增加乾膜附著力：增加溫度注意太高會導致乾膜去膜不淨增加壓力注意造成ITO Crack(盡量保持3.5 Kg/cm2以下)增加粗糙度與Metal & ITO Film不適合(厚度太薄)乾膜作業流程：清洗(清洗乾膜表面Particle)壓膜(乾膜貼附於Film上)曝光(將Pattern轉移至乾膜上)顯影(將未曝光乾膜洗掉)Holding 30

7、 mins(使乾膜流動穩定)Holding 30 mins(使曝光後之乾膜聚合完全)2天內須完成曝光(乾膜易變質)1天內須完成顯影(乾膜易顯影不良)121.接觸式曝光機接觸式曝光機(Contact Mode) 備註：三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對位精度4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging) 備註：無需光罩、高對位精度曝光機型式曝光波長曝光機感光光譜I-LineG-

8、line: 436 nmH-line: 405 nm I-line: 365 nmH-LineG-Line乾膜感光光譜適合感光光譜365nm每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。1415鄰接式曝光機(Proximity Mode)(台幣1800萬)16投影式曝光機(Stepper)(台幣10000萬)17LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)(台幣60008000萬)曝光條件與注意事項曝光重要參數：a.能量：視乾膜而定 b.照度均勻性：90%以上能量附著力線寬缺點高佳大線寬加大、邊界鋸齒低差小乾膜易Peeling均勻性線路均勻性解析度缺點高高高-低低低線路不均%10MinMaxMinMax%80MinMax20正常異常顯影條件與注意事項曝光重要參數： a.濃度：乾膜(Na2CO3 or K2CO3 1%)、正光阻(KOH 0.05%) b.溫度：約30。洋華22 c.噴壓：0.5 Kg/cm2 d.速度：視乾膜種類而定濃度附著力線寬缺點高差小乾膜Peeling低高大顯影不良溫度附著力線寬缺點高差小乾膜Peeling低高大顯影不良噴壓附著力線寬缺點大差小乾膜Peeling小高大顯影不良速度附著力線寬缺點快高大顯影不良慢差小