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1、LOGO1用于动脉张力测定法的阵列式悬臂血压传感器用于动脉张力测定法的阵列式悬臂血压传感器2动脉张力测定法原理动脉张力测定法原理3硅的压电电阻效应硅的压电电阻效应压电电阻效应压电电阻效应 在晶体上施加外力时，其电导率变化的性质为压电电阻效应。 文中用硅膜片上掺入硼离子的一小部分作为压电电阻器使用，压力发生变化时该区域的电阻会发生变化，通过电阻值反映压力值。压电电阻系数压电电阻系数压电电阻系数指的是压电电阻器电阻变化率与压力的比值。单位：%/N4硅体微机械加工技术硅体微机械加工技术湿法刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀干法刻蚀湿法刻蚀的机理是基于化学反应，刻蚀时先将材料氧化，然后通过化学反应，使一种或多种氧化

2、物溶解。用等离子体轰击硅晶片，使硅晶片的表面原子脱落，同时等离子体中的电子、离子、游离原子与硅发生化学作用，生成挥发性物质，通过这样的物理、化学双重作用刻蚀硅晶片的技术称为干法刻蚀。5硅晶面与各向异性硅晶面与各向异性 在晶体中，原子的排列构成了许多不同方位的晶面，故要用晶面指数来分别表示这些晶面。晶面指数的确定方法如下：1对晶胞作晶轴X、Y、Z，以晶胞的边长作为晶轴上的单位长度；2求出待定晶面在三个晶轴上的截距(如该晶面与某轴平行，则截距为)，例如1、1、；1、1、1；1、1、1/2等；3取这些截距数的倒数，例如110，111，112等；4将上述倒数化为最小的简单整数，并加上圆括号，即表示该晶

3、面的指数，一般记为（hkl），例如（110），（111），（112）等。晶面晶面6硅晶面与各向异性硅晶面与各向异性（100）（111）（112）7阵列式悬臂血压传感器设计阵列式悬臂血压传感器设计8阵列式悬臂血压传感器加工过程阵列式悬臂血压传感器加工过程9阵列式悬臂血压传感器加工过程阵列式悬臂血压传感器加工过程10阵列式悬臂血压传感器加工过程阵列式悬臂血压传感器加工过程11阵列式悬臂血压传感器加工过程阵列式悬臂血压传感器加工过程12阵列式悬臂血压传感器加工过程阵列式悬臂血压传感器加工过程13阵列式悬臂血压传感器实物阵列式悬臂血压传感器实物14阵列式悬臂血压传感器测试阵列式悬臂血压传感器测试15阵列式悬臂血压传感器测血压阵列式悬臂血压传感器测血压外

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