有机发光二极管专利态势发布PPT课件

1、1研发始于欧美；显示产业化集中研发始于欧美；显示产业化集中在韩国、日本、中国大陆和台湾在韩国、日本、中国大陆和台湾。 “863计划”中“高清晰度平板显示专项”当前优先发展的高技术产业化重点领域指南国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定大陆主要集中在长三角、大陆主要集中在长三角、珠三角以及京津地区。珠三角以及京津地区。国家中长期科技发展规划纲要鼓励进口技术和产品目录（2011版）产业结构调整指导目录（2011年本）第1页/共39页5个19个40个10个第2页/共39页 中国总量：中国总量：10153件件 全球总量：全球总量：70423项项30.1526.728.529.4414051015

2、20253035材料结构封装应用工艺和设备申请量（百件）114.96132.0344.9992.61173.32050100150200材料结构封装应用工艺和设备申请量（百项）第3页/共39页4区域分析区域分析. .技术构成分析技术构成分析总量趋势分析总量趋势分析二二一一三三四四申请人分析申请人分析第4页/共39页5020406080100120198019821984198619881990199219941996199820002002200420062008专利申请量（百项）年份柯达柯达US4769292 双层双层出光兴产出光兴产JP2672325B2 小分子小分子旭硝子旭硝子JP279

3、0353B2 多层多层CDT WO9013148 高分子高分子柯达柯达EP71749 有源矩阵有源矩阵三洋三洋 EP732868 全彩全彩精工爱普生精工爱普生JP10050124 背光源背光源 西门子西门子DE29621618柔性光源柔性光源Forrest WO9828767 磷光磷光先锋先锋 商品化商品化维信诺维信诺 2.7英寸英寸PMOLED索尼索尼 24英寸英寸LTBS面板面板飞利浦飞利浦13英寸英寸 高分子高分子AM三星三星 40英寸英寸a-Si AM奇美奇美25英寸英寸 LTPs AM索尼索尼 销售电视销售电视SMD成立成立LG 15英寸电视英寸电视柯达柯达US4356429 蒽蒽出

4、光兴产出光兴产JP6223970蒸镀工艺蒸镀工艺第5页/共39页6专利年申请量总体呈快速增长态势，日本和美国前期专利布局较多，韩国增长最快 全球申请99在中国、日本、韩国、美国和欧洲 第6页/共39页7专利申请流向图美国市场最受全球申请人重视美国和日本最重视中国市场 第7页/共39页8申请目的地申请量发展趋势第8页/共39页9全球OLED各技术分支发展趋势专利申请逐渐由上游专利向下游专利转移专利申请逐渐由上游专利向下游专利转移 第9页/共39页10全球OLED主要申请人排名排名前20名前10名前30名占总量比例534223大型跨国企业申请量大，集中趋势明显第10页/共39页11申请人多边申请量

5、国别起始年度07年比例08年比例09年比例分支主要流向国家三星3912韩国199612.1%12.2%10.5%结构、封装、应用、工艺和设备美国、日本、中国半导体能源2085日本19957.2%6.7%6.5%结构、材料美国、中国、韩国精工爱普生1849日本19969.9%11.7%10.2%结构、封装、应用、工艺和设备美国、中国LG1184韩国199714.3%12.2%12.0%封装、应用、工艺和设备美国、中国、日本索尼897日本199517.3%19.4%10.8%结构、封装美国、中国、韩国富士701日本199510.1%13.9%12.3%材料、应用美国、中国、韩国伊斯曼柯达669美国

6、198010.7%4.8%0.5%材料、结构、应用日本、中国、韩国飞利浦633欧洲199410.3%9.4%11.2%应用中国、美国、日本佳能630日本199618.8%16.1%13.4%结构、材料美国、中国、韩国出光兴产507日本198815.8%9.1%6.5%材料美国、中国、韩国、欧洲先锋496日本19916.8%4.4%3.8%材料、结构美国、中国友达光电481中国19986.8%3.6%5.8%结构美国夏普465日本199110.8%12.7%15.8%结构美国、中国、韩国松下343日本19937.6%11.6%18.6%材料、美国、中国西门子（欧司朗）306欧洲199614.8%

7、14.2%7.4%应用美国、日本、中国松下、夏普、索尼、佳能等申请人保持高度活跃 综合技术实力居前企业有三星、精工爱普生和LG第11页/共39页12技术构成分析技术构成分析. .申请人分析申请人分析总体趋势分析总体趋势分析二二一一三三四四区域分析区域分析第12页/共39页13国内外申请人发明申请量发展趋势总体申请发展迅速，中国申请发展稳定第13页/共39页14OLED专利申请量构成类类 型型国内国内国外国外合计合计申请申请授权授权有效有效申请申请授权授权有效有效申请申请授权授权有效有效发明专利量发明专利量275812281088706133943303981946224391发明构成发明构成2

8、8.1%26.6%24.8%71.9%73.4%75.2%实用新型专利量实用新型专利量32232224412122334334246实用新型构成实用新型构成96.4%96.4%99.2%3.6%3.6%0.8%专利总量专利总量3080155013327073340633051015349564637专利构成专利构成30.3%31.3%28.7%69.7%68.7%71.3%第14页/共39页15各国在中国申请量发展趋势日韩申请人重视在中国的专利布局第15页/共39页16各技术分支申请量发展趋势各技术分支总体稳定中国材料技术分支申请近期发展较快 第16页/共39页1705010015020025

9、03003501994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009专利申请量年份材料技术点申请量发展趋势发光层材料属于技术热点之一 第17页/共39页结构（结构（26292629）基板结构（基板结构（955955）光学辅助层结构（光学辅助层结构（697697）增强色纯结构增强色纯结构 （185185）增强亮度结构增强亮度结构（ 229 229 ）增强对比度结构增强对比度结构 （5858）黑矩阵黑矩阵(58)(58)偏振结构偏振结构 (40)(40)颜色转化颜色转化层层 （6868）滤光层滤光层 （128128）精工爱普

10、精工爱普生；三洋；生；三洋；三星三星出光兴产出光兴产富士电机富士电机铼宝科技铼宝科技三星；松三星；松下；精工下；精工爱普生爱普生半导体能半导体能源；三星；源；三星；LGLG三星；友三星；友达光电；达光电；LGLG索尼；三索尼；三星；精工星；精工爱普生爱普生光散射层光散射层 （3030）光增强层光增强层 （130)130)第18页/共39页2011年度专利分析普及推广项目19中国大陆申请量集中区域图济南北京天津合肥福州江苏南宁贵阳昆明武汉重庆兰州银川呼和浩特西宁上海乌鲁木齐太原北京沈阳吉林广东四川陕西申请量排名申请量排名北京北京上海上海广东广东江苏江苏吉林吉林四川四川陕西陕西第19页/共39页2

11、0中国专利申请OLED主要申请人大型跨国企业在中国具有量、质优势第20页/共39页21中国专利申请中国内申请人排名 中国台湾地区企业具有产业优势 国内科研机构具有相当技术实力第21页/共39页22战略研究战略研究-韩国三星韩国三星. .布局研究布局研究-日本出光兴产日本出光兴产申请人主体是企业，是技术发展的主要推动力量。申请人主体是企业，是技术发展的主要推动力量。研究主要申请人，学习其发展规律和成功经验。研究主要申请人，学习其发展规律和成功经验。第22页/共39页23韩国三星-全球专利申请全球布局各领域均衡发展全球布局各领域均衡发展主要市场以美国、中国、主要市场以美国、中国、日本为重点区域日本

12、为重点区域技术面广，产业链齐全技术面广，产业链齐全第23页/共39页24韩国三星-中国专利申请中国布局量大面广中国布局量大面广技术方面以材料和结构为重技术方面以材料和结构为重第24页/共39页25现有产业转移现有产业转移进行全球合作进行全球合作全领域开发生产全领域开发生产战略布局完善战略布局完善第25页/共39页26日本出光兴产-全球专利申请全球布局：合作优先全球布局：合作优先本土为重，主要市场美国、本土为重，主要市场美国、中国、日本、欧洲均衡布局中国、日本、欧洲均衡布局技术优势主要在材料技术技术优势主要在材料技术第26页/共39页27日本出光兴产-中国专利申请中国布局总量不大中国布局总量不大

13、近五年数量逐年下降近五年数量逐年下降技术布局主要为材料技术，技术布局主要为材料技术，近年材料比例增大近年材料比例增大第27页/共39页28 索尼索尼(2005(2005年年) )东芝东芝(2008(2008年年) ) 松下松下(2011(2011年年) )UDC(2006UDC(2006年年) ) GOT(2011GOT(2011年年) )出光兴产出光兴产LG(2009LG(2009年年) ) 第28页/共39页29关键技术研究内容关键技术研究内容. .重点技术重点技术- -多晶硅多晶硅TFTTFT前沿技术前沿技术- -氧化物氧化物TFTTFT关键技术突破是技术进步、行业发展的必经之路。关键技

14、术突破是技术进步、行业发展的必经之路。研究关键技术，有助于业内企业明晰技术发展方向。研究关键技术，有助于业内企业明晰技术发展方向。第29页/共39页第30页/共39页31技术的专技术的专利现状利现状TFT技术申请量分布TFT申请量构成TFT技术中日本申请量和质均居领先地位。多晶硅技术为量产热点技术，氧化物技术为前沿技术。第31页/共39页32四种TFT主要申请人分布序号a-SiP-SiOTFT氧化物申请人国别申请人国别申请人国别申请人国别1三星韩国 三星韩国 三星韩国 半导体能源日本2夏普日本精工爱普生日本 柯尼卡日本 三星韩国3LG韩国 夏普日本 理光日本 精工爱普生日本4精工爱普生日本 索

15、尼日本 精工爱普生日本 夏普日本5索尼日本 日立显示器日本 住友化学日本 LG 韩国主要TFT技术申请量日韩企业占领先地位第32页/共39页33热点技术-多晶硅TFT技术主要涉及方向多晶硅的多晶硅的形成方法形成方法与有源层与有源层配套的部配套的部件结构件结构多晶硅有多晶硅有源层性能源层性能的改进的改进 中国专利申请集中于多晶硅有源层的形成工艺和方法。 国外专利申请广泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及适用结构。如CN102082098A；KR100721957B1；US7524728B2等如JP3894441B2;CN1941298A;CN101131964A 等例如US7297980B2;

16、KR20110053041A;EP1939933A3 等第33页/共39页34前沿技术-氧化物TFT技术主要涉及方向 国内外研发方向一致：氧化物有源层材料的开发或形成有源层的方法。有源层有源层材料材料有源层配有源层配套的部件套的部件氧化物氧化物形成方法形成方法如CN101615582A；US7804231B2等如CN102064109A;JP2010278412A等如CN101488459A;US8017513B等第34页/共39页35 从多晶硅TFT专利技术来看，国外的申请人研发方向具有前瞻性。 从氧化物TFT专利技术来看，国外的产学研结合较为紧密。第35页/共39页专利引进交叉许可专利诉讼丰田、昭和丰田、昭和电工、摩托电工、摩托罗拉等罗拉等三洋电机、三洋电机、Tohoku Device、富士、日本精、富士、日本精机、机、Rohm、Denso、OPTEX、 Emagin、LiteArray、永信、奇美、