2SC3355NPN晶体管产品规格书

1、ToPLiUK2SC3355 NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技2SC3355NPN TRANSISTOR (NPN)MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIERLead-freeNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR简述:丄具有高功率增益放大以及低噪声转桂.大动态范囚、理想的电流线性；丄主要应用于超高頻微波无线射频放大、VHF、UHF和CATV高频寛帯低嗥声放大器等电路中；b集电极-寒极击穿电压：BVcbQ20集电圾电流：Ic>100mA.枭电极功丰：Pr>600mW, 特征频率：fr=7GHz;4可替代进口同类型号泰数的高頻微波低噪声

2、品体管;4 対装形式：TO92塑対.极限参数(Tamb=25°C ):叙t名称符号额定值单位集电极-虽叹击穿电压BVcbo20V築电极-发射規击穿电压BVceo12V发射极-基纯去穿电压BVebo3V集电极电渝lc100mA耗散功率Pt600mW乂高结温Tj150c储存温度0-65* *150c电務数及规格(Tamb=25°C ):參数名称符号测试条件额定值单位最小值典型值聂大值築电极-基叹击穿电压BVcboIc=10|jA, Ie=0 mA20V集电极-发射妃去穿电压BVceolc=10mAt Ib=0 mA12V发鋪极-屋叹击穿电压BVeboIe=10mA. Ic=0

3、mA3V*电极截止电漩IC8OVcb=10V,Ie=0 mA-1.0UA发止电流IeboVeb=1.0V,Ic=0 mA1.0PA直氏电浣放大系软hFEVcE=10V,lc=20mA50120250村征硕率ItVce=10V,lc=20mA7GHz反馈电容CreIe=0 mA.VcB=l0V.f=1MHz-0.551.0pF堀入功华增益|S21ePlc=20mA,Vce=10V,f=1 GHz9.5dB嗓声系软NFVcE=10V,lc=7mA,f=1GHz1.12.0dBCLASSIFICATION OF hFERange50-10080 760125 250MarkingR23R24R25T

4、el:axoPLiUK2SC3355 NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技Tel:axoPLiUK2SC3355 NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技TYPICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C,unless otherwise specified)TOTAL POWER DISSIPATIONPMW) VS.AMBIENT TEMPERATTUREREVERSE TRANSFER CAPACITANCE VS.COLLECTORDC CURRENT GA

5、INVS.COLLECTOR CURRENT1VCE=10V _0.5151050Vcb(V)GAIN BANDWIDTH PRODUCTlc(mA)INSERTION POWER GAIN fMAG|S2ie|2(dB) VS.FREQUENCYINSERTION POWER GAINTel:axoPLiUK2SC3355 NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技Tel:axoPLiUK2SC3355 NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技NOISE FIGURE vs.DOLLECTOR CURRENTNF(dB)Vce=10V f=1GHz01105070lc(mA)NOISE FIGURE,IVSERTION POWER GAIN VS.DOLLECTOR TOVcs(V)S2 估 FREQUENCYCONDITION:Vce=10VJ