TTL与MOS的比较

1、201308010307啥米是ttl嘞？ 晶体管晶体管逻辑（英语：晶体管晶体管逻辑（英语：transistor-transistor logictransistor-transistor logic，缩，缩写为写为ttlttl），是市面上较为常见且应），是市面上较为常见且应用广泛的一种逻辑门数字集成电路用广泛的一种逻辑门数字集成电路，由电阻器和三极管而组成。，由电阻器和三极管而组成。ttlttl最最早是由德州仪器所开发出来的，现早是由德州仪器所开发出来的，现虽有多家厂商制作，但编号命名还虽有多家厂商制作，但编号命名还是以德州仪器所公布的资料为主。是以德州仪器所公布的资料为主。其中最常见的为其中

2、最常见的为7474系列。系列。 集成电路输入级和输出级全采用集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路，简称晶体管组成的单元门电路，简称ttlttl电路。它是从二极管电路。它是从二极管- -晶体管逻辑电晶体管逻辑电路路(dtl)(dtl)发展而来的。将发展而来的。将dtldtl电路输入电路输入端的端的“与与”门二极管组和电平位移二门二极管组和电平位移二极管之一，改为多发射极晶体管，多极管之一，改为多发射极晶体管，多发射极实现输入级发射极实现输入级“与与”逻辑，输出逻辑，输出级晶体管实现级晶体管实现“非非”逻辑，即成为逻辑，即成为ttlttl基本逻辑门电路的结构。基本逻辑门电路的结构。

3、ttlttl电路于电路于19621962年研制成功年研制成功, ,它的它的“与非与非”门的结构和元件参数已经历门的结构和元件参数已经历三次大的改进。通常，以电路的速度三次大的改进。通常，以电路的速度和功耗的乘积作为优值来衡量逻辑集和功耗的乘积作为优值来衡量逻辑集成电路的性能和水平。因此成电路的性能和水平。因此, ,改进改进ttlttl逻辑电路逻辑电路“与非与非”门是从速度和功耗门是从速度和功耗两个方面入手的两个方面入手的。标准型标准型 结构跟构成的材料最简单，相对的特性也是不理想，所以此类型已经被淘汰多时。无英文简写，范例：7400。早期的低功率型与高速型 低功率型，（英文 low power

4、简写“l”），耗电低，但速度慢。范例：74l00。高速型高速型，（英文 high speed简写“h”），速度较快，输出较强，但耗电高。范例：74h00。由于 s 型耗电与 h 型相近，但速度极快。 ls 型的耗电与 l 型相近，但速度却快很多，甚至比 h 型还快。 因此 l 型与 h 型很快就退出市场。快速快速（英文fast，简写“f”）快速型是有别于肖特基型所另外发展的高速ttl，范例：74f00。ttlttl的类型的类型肖特基（肖特基（schottkyschottky）除了电阻器一样是做控流跟偏置用途，肖特基型最主要是采用肖特基二极管跟肖特基晶体管，改善切换速度。在市面上跟教育单位非常普

5、及，特性也很不错，常常被用来搭配intel 8051使用。ls型逐渐成为ttl中的主流。 肖特基型（英文 schottky logic，简写“s”），范例：74s00。高级肖特基型高级肖特基型（英文 advanced schottky logic，简写“as”），范例：74as00。低功率肖特基型低功率肖特基型（英文 low power schottky logic，简写“ls”），范例：74ls00。高级低功率肖特基型高级低功率肖特基型（英文 advanced low power schottky logic，简写“als”），范例：74als00。ttlttl的类型的类型ttlttl各类型

6、消耗功率各类型消耗功率 与传输延迟与传输延迟啥米是mos嘞？ 金属氧化物半导体场效应管（简称：金氧半场金属氧化物半导体场效应管（简称：金氧半场效晶体管；英语：效晶体管；英语：metal-oxide-semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistorfield-effect transistor，缩写：，缩写：mosfetmosfet），是一），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性

7、的不同，可分为电子占多数的不同，可分为电子占多数的n n沟道型与空穴占多数的沟道型与空穴占多数的p p沟道型，通常被称为沟道型，通常被称为n n型金氧半场效晶体管（型金氧半场效晶体管（nmosfetnmosfet）与）与p p型金氧半场效晶体管（型金氧半场效晶体管（pmosfetpmosfet）。）。驱动能力不同！驱动能力不同！ ttlttl集成电路使用集成电路使用ttlttl管，也就管，也就是是pnpn结。功耗较大，驱动能力强，结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压一般工作电压+5v +5v cmoscmos集成电路使用集成电路使用mosmos管，功耗管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不也低，但是技术在改进，这已经不是问题。是问题。工艺不同！工艺不同！ttlttl和和cmoscmos是两种不同的工艺，是两种不同的工艺，主要是电平规范不同带负载能主要是电平规范不同带负载能力转换速率等方面，以后都向力转换速率等方面，以后都向cmoscmos发展了发展了，但一般情况下还但一般情况下还是可以兼容是可以兼容ttlttl电平的电平的集成度不同！集成度不同！ 集成度明显不一啊集成度明