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文档简介
1、panel一部工程一部工程 製程概要製程概要lcd 液晶顯示原理圖液晶顯示原理圖偏光板(一)偏光板(二)液晶光行進方向xyz暗*施加電場,液晶 tilt光線直進不偏轉光行進方向xyz亮液晶*不施加電場,液晶 twist偏光板(一)偏光板(二)光線沿液晶光軸偏轉bm塗佈(rgb)sio2itosio2cf (1.30sio2ito (0.15glass (0.7mm )bmgbrbrgbrglcd 面面 板板 構構 造造 圖圖下玻璃基板下玻璃基板上玻璃基板上玻璃基板上偏光板上偏光板間隔劑間隔劑液晶分子液晶分子下偏光板下偏光板框膠框膠配向膜配向膜ito電極電極彩色濾光板彩色濾光板液晶層液晶層lcd
2、模模組組分分解解示示意意圖圖金金屬屬框框lcd面面板板y-pcby-tabx-pcb側側光光螺螺絲絲a aa aa aa aa aa aa aa aa aa aa aa aa aa ax-tab間間隔隔橡橡膠膠-x間間隔隔橡橡膠膠 - -y y間間隔隔橡橡膠膠-x間間隔隔橡橡膠膠-y跳跳接接線線tft 面面板板前前工工程程流流程程圖圖tfttft 基板投入基板投入基板切裂基板切裂基板洗淨基板洗淨pipi 印刷印刷pipi 預烤預烤pipi 硬烤硬烤配向配向cfcf 基板投入基板投入基板洗淨基板洗淨pipi 印刷印刷pipi 預烤預烤pipi 硬烤硬烤配向配向預備乾燥預備乾燥基板組立基板組立熱壓
3、著熱壓著cellcell 後製程後製程基板洗淨基板洗淨/乾燥乾燥基板洗淨基板洗淨/乾燥乾燥間隔劑散佈間隔劑散佈框膠塗寫框膠塗寫銀膠打點銀膠打點(a) (a) 在在cfcf基板上製作基板基板上製作基板idid(b) (b) 決定決定tfttft基板是以基板是以full sizefull size或或1/3size1/3size投入投入(c) (c) 將將tfttft及及cfcf基板洗淨基板洗淨(d) (d) 在在tfttft及及cfcf基板上印刷基板上印刷pipi液,使其形成配向膜液,使其形成配向膜(e) (e) 檢查自動配向膜及硬化配向膜檢查自動配向膜及硬化配向膜(f) (f) 對對tfttf
4、t及及cfcf基板上的配向膜進行配向基板上的配向膜進行配向panel一部前段簡介一部前段簡介1. 製程流程示意圖製程流程示意圖(一一):tfttft基板投入及一次切裂基板投入及一次切裂 cfcf基板投入基板投入(tft half size(tft half size由此投入由此投入) )multi loader (ptm 1)multi loader (ptm 1)雷射雷射markingmarking(tft full size(tft full size由此投入由此投入) )pipi前基板洗淨前基板洗淨 pipi前基板洗淨前基板洗淨multi loader (ptm 2)multi load
5、er (ptm 2) multi loader (pcm 2)multi loader (pcm 2) ( (自動檢查自動檢查ngng基板回收後由此投入基板回收後由此投入) )pipi塗佈塗佈 pipi塗佈塗佈( (預烤基板呈星型方式分布預烤基板呈星型方式分布) )pipi膜自動檢查膜自動檢查 pipi膜自動檢查膜自動檢查 (ng(ng基板收於本燒成爐前的基板收於本燒成爐前的bufferbuffer後回收後回收) )1. 製程流程示意圖製程流程示意圖(二二):pi pi 硬烤爐硬烤爐 pi pi 硬烤爐硬烤爐multi loader (ptm 3)multi loader (ptm 3)mul
6、ti loader (pcm 3)multi loader (pcm 3)( (硬烤後保留基板由此投入硬烤後保留基板由此投入) )配向裝置組配向裝置組 配向裝置組配向裝置組( (用呼氣像方式檢查品位用呼氣像方式檢查品位) )配向後基板洗淨配向後基板洗淨 配向後基板洗淨配向後基板洗淨基板乾燥爐基板乾燥爐 基板乾燥爐基板乾燥爐panel-bpanel-b各工程各工程 panel-bpanel-b各工程各工程 pipi轉寫工程主要是由下列機構所組成轉寫工程主要是由下列機構所組成 主要目的 : 在tft工程中,必須藉助許多的洗淨過程來避免製程中的不確定性。洗淨的主要目的,是針對下列四種危害製程良率的污
7、染源予以隔絕 : 1.: 像是人體的皮膚、油脂、化妝品、空氣中的油氣、 物的污染源.等等。 2. : 人體的汗、顏料、塵埃、金屬屑等等。 3. : 搬運、裝置運轉、包裝紙材、其他製程殘留 物.等等。 4. 。3. tft line及及cf line共同裝置簡介:共同裝置簡介:1.) pi前洗基板洗淨前洗基板洗淨 / 乾燥裝置乾燥裝置各設備簡介各設備簡介1. wet(1)部部 a. 流程流程 : 準備區準備區 洗劑洗劑brush 純水淋洗純水淋洗2. wet(2)部部 : wet(1)至至wet(2) 有風刀清除有風刀清除wet(1)殘存水分殘存水分 a. 流程流程 : 純水純水 us cj m
8、s b. 純水純水us(us cleaner)係使用兩台超音波產生器係使用兩台超音波產生器 超音波震盪清除超音波震盪清除 不潔不潔 c. cj : 使用高壓水柱清除基板上之不潔使用高壓水柱清除基板上之不潔 d. ms :使用超音波產生器使用超音波產生器 震盪清除不潔震盪清除不潔3. 風刀部風刀部( air knife) :利用風切將水吹除利用風切將水吹除. 4. uv部部 :消除有機物消除有機物. 5.ir:5.ir:加熱器將配向膜完全硬烤加熱器將配向膜完全硬烤, ,以利後續配向工程以利後續配向工程6. cp部部 : 以兩枚冷卻板通冷卻水冷卻以兩枚冷卻板通冷卻水冷卻.1.2.擴散作用振盪子1.
9、 25下,音速c1500m/sec,以頻率f1mhz,/2=0.75mm,2. 產生cavitation音波強度之最低限度w100w/cm2。3. 超音波在1mhz產生之加速度為重力加速度之100000倍。 rinsing(潤濕) or shower 原理:cavitations jet 洗淨原理air水壓:10 20kg/cm2氣泡上下沖洗基板,水壓越大則洗淨能力越好。而氣泡則可以緩衝強大的水流,避免造成基板的損傷 pi轉寫機h轉寫機 : 基板進入後, 經過對位, 真空吸著, a輪與p輪(凸版)h 展色, 便開始印刷,將pi液均勻的印在基板上為面板最複雜的製程。h預烤爐h 將pi膜的溶劑烤乾
10、。h檢查機h 運用光源掃描, 檢查印刷欠陷, 如果發現則將基板回收運h 用剝膜機,剝膜後再投入。h硬烤爐h 將pi膜完成最終乾燥, 加強附著性。印刷的方式:pi經由a輪轉印到p輪的凸版上,再經由apr版均勻的將pi液塗佈在基板上。(如下圖) pipi轉寫方式轉寫方式 apr繷pigql膀狾a近p近pi轉寫主要的作用是在玻璃基板上形成配向膜 , 經過配向工 程產生液晶分子所需之預傾角。配向膜製作的方法: 1. pi液印刷 2. 配向工程當pi液噴至刮刀上,刮刀均勻塗佈在a輪上。將多餘的pi液刮除。將pi液塗在a輪的cell上在輪上懸掛一apr板,由 p輪帶a輪的方式進行展色過程 pi液(聚醯亞胺
11、)h良好之印刷性h與ito玻璃良好之密著性h膜強度h化學穩定度h高耐熱性h均勻得液晶配向性h低雜質h高透明性h絕緣性h.高電壓保持率h低殘留電壓h低溫成形液晶分子線狀配向欠陷預傾角為 0 度液晶分子站立方向不一樣電壓印加液晶配向膜液晶分子預傾角為 2 度液晶分子站立方向一樣電壓印加液晶配向膜預傾角高密著性高密著性1. 為何要高密著性為何要高密著性: 配向膜於有段差之配向膜於有段差之tft基板塗佈後,須進基板塗佈後,須進行配向處理。在段差附近的配向強度突增,產生配向膜的剝離。行配向處理。在段差附近的配向強度突增,產生配向膜的剝離。2. pi之質硬,極性基少,與基板間的凡得瓦之質硬,極性基少,與基
12、板間的凡得瓦 力小,故接著性差。力小,故接著性差。: pi柔軟化、在配向劑中加入偶合劑柔軟化、在配向劑中加入偶合劑配向膜基板tft此部分易發生剝離配向滾輪 也是重要的作業方式之一,因為apr版在使用完之後上面佈滿pi液,必須用nmp溶劑浸泡著,以除去上面之pi液,浸泡之後要用電子級酒精洗掉apr版上之nmp溶劑,再用純水沖洗然後再用空氣槍吹去apr版上之水份,如果沒清潔乾淨將會影響下一次的使用。 在切換時用nmp溶劑沾無塵紙擦拭a輪直到a輪上無pi液殘留,然後用無塵紙沾酒精擦拭a輪直到清潔為止後用無塵紙沾丙酮檢視是否擦乾淨(看a輪上丙酮的揮發是否一致)。 用無塵紙沾nmp 擦拭直到刮刀上無殘留
13、pi為止,再用無塵紙沾酒精擦拭,注意要點是擦拭時須小心不能傷到刀刃部。 將nmp裝入鋼瓶中 ,沖洗管路中的pi液然後再將管路中的nmp噴乾淨,拆下濾心( 此時須注意濾心內的細部零件)泡入nmp溶劑中。 目前轉寫工程最棘手的作業,原因是必須靠作業者經驗的累積才能作好的工作,以目前生產的經驗挑點往往影響不少生產時間,也會降低良率,提生作業者能力是很重要的。 pi轉寫工程的不良與成因基板不潔造成,形成不沾轉寫機機構振動造成或參數設定差異所造成 基板原材不良,異物造成不沾,導致pi膜厚較薄 apr版挑點後形成孔隙較大,印刷時造成pi膜厚較厚所造成膜上有異物 or pi膜遭刮傷所產生刮刀在製程中磨損或p
14、i液粒附著所產生之條紋 轉寫時未連續印刷,轉寫機為避免apr版乾燥所以會進行防乾動作 ,造成apr版上pi乾燥程度不一所產生之印刷不均勻狀態。轉寫工程對塵粒非常敏感,人在無塵室中就是最大的發塵源,人在無塵室走動會將高架地板上的塵埃帶起,進而影響生產品質,所以在生產時嚴格禁止在設備附近走動配向的目的:將已經完成塗佈預烤、硬烤的pi層,利用特定 的配向布刮出一道道的淺痕,以利液晶分子統 一排列方向。液晶分子預傾角為 2 度液晶分子站立方向一樣電壓印加液晶配向膜 a.) 配向原理配向原理 ,配向機前後各有一台配向機前後各有一台 us cleaner清除基板上的清除基板上的 異物異物 ,動作上為配向滾
15、輪僅作上下動作而基板平台則為旋動作上為配向滾輪僅作上下動作而基板平台則為旋 轉兼前後移動轉兼前後移動 ,且且tft基板以兩台配向機進行基板以兩台配向機進行tft基板兩基板兩 次配向動作次配向動作 ,cf基板亦同基板亦同 b.) 配向布捲布作業在專屬隔離之配向作業清潔室進行配向布捲布作業在專屬隔離之配向作業清潔室進行利用將配向布捲上滾輪,然後調整所需要的配向 之後,將基板送入進行配向。 其中,因為,所以。uscusciririr硬烤配向後洗rw基板基板配向滾輪配向滾輪v基板基板w布毛壓入量布毛壓入量接觸長度接觸長度配向布配向布布毛長度布毛長度 配向工程注意事項配向工程注意事項靜電氣的影響:1.靜
16、電對於基板的影響很大,尤其對於tft基板上的元件殺傷力更 不可忽視。由於配向工程是全線中靜電產生最大的步驟因此必 需更為謹慎面對靜電的問題。在配向機的前後都有除靜電器。2.異物問題:由於配向布和基板的pi觸接可能造成很大的發塵度所 以在配向前後都設有us乾式洗淨機,儘量將發塵度減到最低。a.) a.) 在在cfcf基板上塗上框膠基板上塗上框膠b.) b.) 在在tfttft基板上點上銀膠基板上點上銀膠c.) c.) 在在tfttft基板上灑上間隔劑基板上灑上間隔劑d.) d.) 管制流品品位,進行基板管制流品品位,進行基板oxox,xoxo,oooo的的 品位配對組立品位配對組立e.) e.)
17、 硬化框膠及對位檢查硬化框膠及對位檢查f.) f.) 決定面板的決定面板的cell gapcell gap1. b unit製程流程示意圖製程流程示意圖(一一):a unit tfta unit tft側側( (上流上流) )a unit cfa unit cf側側( (上流上流) )multi loader (pam 4)multi loader (pam 4)multi loader (pcm 4)multi loader (pcm 4)銀膠塗佈銀膠塗佈(transfer(transfer打點打點) )框膠塗佈框膠塗佈( (檢查檢查dummydummy點徑,點徑,ngng時會時會alarm
18、)alarm)u/s cleaneru/s cleaner 框膠斷線檢查框膠斷線檢查 (ng(ng基板收於預烤前基板收於預烤前b/f)b/f)間隔劑散佈間隔劑散佈/ /間隔劑噴灑檢查間隔劑噴灑檢查 框膠預烤框膠預烤(ng(ng基板收於基板收於pam 5pam 5後回收後回收) )multi loader (pam 5)multi loader (pam 5)multi loader (pcm 5)multi loader (pcm 5)(tft/cf(tft/cf基板於此進行配對,同為基板於此進行配對,同為o o品方可配對品方可配對) )1. b unit製程流程示意圖製程流程示意圖(二二):
19、multi loader (pam 5)multi loader (pam 5)multi loader (pcm 5)multi loader (pcm 5)組立起之基板組立起之基板idid以以arrayarray做成之做成之idid為準為準 組立工程組立工程組立起之基板組立起之基板idid以以arrayarray做成之做成之idid為準為準熱壓著工程熱壓著工程( (共共3030爐爐) )after cureafter cure工程工程壓著後偏移檢查壓著後偏移檢查panel-cpanel-c各工程各工程框膠相關工程框膠相關工程框膠框膠spacerspacer銀膠塗布銀膠塗布 u s間隔劑散佈
20、間隔劑散佈間隔劑檢查間隔劑檢查圖形檢查圖形檢查框膠預烤框膠預烤tft基板基板cf基板基板框膠塗布框膠塗布 ,dispenser,dispenser優點不外乎主要有避免優點不外乎主要有避免 與基板接觸與基板接觸( (可避免網痕可避免網痕) ),框膠使用時間可以延長,框膠使用時間可以延長,ptternpttern 變更容易,大基板精度佳等。變更容易,大基板精度佳等。目的: 在於提供上下基板的結合應力,並使液晶注入 後不致外洩。材料: 框膠(在150左右硬化的)以及 框膠間隔劑(),框膠間隔劑分 為球狀及桿狀的,桿狀的較為便宜,為目前使用 的主流。 因為stn對於cell gap的均勻度要求較高,球
21、狀 者為stn使用。框膠製程及設備單元介紹: 製程原理 塗佈:主要分為網版印刷、dispenser方式 優劣點=:便宜、tact time快、精度差基板表面易受污染、靜電氣破壞。: 昂貴、多面取時tact time 慢基板表面不易污染、靜電氣破壞低檢查:檢查框膠圖形是否斷線、線寬不足、香腸/鬍鬚狀。檢查項目主要是斷面積線寬、膜高)。塗佈檢查預烤 藉由溫度上升降低框膠黏度、使得框膠內有機溶 劑揮發氣泡帶出。重點是預烤溫度必須在框膠產 生化學變化的最低溫度以下。/ :圖形完整性tact time使用前框膠黏度、 框膠與間隔劑混合之均勻性 :框膠斷面積線寬膜厚:爐溫曲線、爐溫均勻性 銀膠製程之角色:
22、 前工程: u.s.cleaner,配向後洗淨後工程:間隔劑散佈 flow chart 中位置 面板結構中之部位 比喻:房屋中之水 電配管。tft基板基板銀膠塗布銀膠塗布u.s. 間隔劑散布間隔劑檢查框膠塗布圖形檢查框膠預烤cf基板基板為何要銀膠:塗佈在tft基板 銀膠作用:導通上下基板。提供cf vcom導通兩端分別為: cf=ito,tft=cs電極等效電容效應:增加儲存電能功能。圖示:tft上source 與cs之電位差 v,經由銀膠導通 cf上之ito,使得tft上source 與cf上ito亦有相同電位差 v,正好。cftftito電位vcom液晶分子source電位vsegcs電位
23、vcomv銀膠導通製程重點:塗佈位置精度、點徑大小、靜電氣避免。 點徑離異:點徑太大易形成 gap不良,太小則對導通造成影響。對策:擦拭針頭、增加捨打次數、更換銀膠。 位置離異:銀膠所點位置離開 pad 位置。對策:檢查/ 變更程式、檢查針頭是否彎曲。 銀膠滴落:點銀膠過程中滴落於面板內,造成污染。對策:檢討塗佈壓力、更換銀膠。 靜電氣破壞:過程中放電,打穿 tft上電極。對策:調整入/ 出口ion nizer 位置及功效、檢討stage 表面以及破/ /吸真空方式。間隔劑散佈工程間隔劑散佈工程間隔劑散佈工程之角色 flow chart 面板結構中之部位: tft基板基板銀膠塗布u.s. 間隔
24、劑檢查框膠塗布圖形檢查框膠預烤cfcf基板基板間隔劑檢查間隔劑散佈形成上下玻璃間固定的gap ,穩定顯示品位。 lcd 用玻璃厚度僅 0.7、0.6mm ,面板越大, 就越顯示出間隔劑重要性。散佈均勻與否肉眼難以判斷(間隔劑粒徑一般 在37m) ,需借助間隔劑檢查裝置判斷。 基本上均為圓球形。和框膠內間隔劑最大的差 異在於面內間隔劑為軟質可壓縮,可壓縮率多 在25% 上下。不選用硬質間隔劑原因在於怕傷 害配向膜,此外在後工程尚有加壓製程來決定 所需之 cell gap,軟質間隔劑可以提供後工程較大的 gap 選擇條件。同性電互斥 nozzle與stage維持一定高度,利用spacer與散佈槽同
25、帶正電,同性互斥原理,進行散佈,同時可避免spacer凝集產生。spacer添加處0.3mflowrate monitorn2 +n2 +輔助n2spacer帶正電spacer不帶電管壁內摩擦情形製程重點:散佈機 =均勻性。避免凝集=穩定性。檢查機 =光源穩定。 主要不良/原因/對策:凝集= 依照凝集個數多寡、型態、頻率來分析原因= sus 管彎管處聚集後噴出、散佈槽內壁聚集後落下、 nuzzle噴嘴週邊間隙聚集後落下 間隔劑本身受潮凝集。 散佈不均=形成cell gap不均,點亮後畫面品位不佳散佈槽內壁帶電性異常、間隔劑帶電性異常、面板上靜電氣分佈異常 對策=添加間隔劑、槽壁帶電性、更換間隔
26、劑組立機組立機機構圖受取部受取部退避台移載基板定位基板定位uv塗布1基板定位uv塗布2粗合反轉移載a粗合減壓部微合uv照射1出口部1減壓部微合uv照射2出口部2tft基板cf基板水平回轉水平回轉l-linel-liner-liner-line對位對位mrak位置位置5m1115047. 5167.5202525粗對位mark位置uv塗佈位置微對位mrak位置cf粗對位marktft粗對位mark100m70025cf微對位marktft微對位mark100130170501726作業基礎作業基礎組立機組立機ngngcf基板粗畫面tft基板微畫面cf基板tft基板對位方式對位方式 計算:tan=
27、tan (2- 1) tan1=(yu2-yu1)/(xu2-xu1) tan2=(yb2-yb1)/(xb2-xb1)12逆時針調整bm(xbm, ybm) 回轉中心 (x0,y0)bm(xbm, ybm) 計算: tan =(ybm-yo)/(xbm-xo) = tan -1 (ybm-yo)/(xbm-xo) xbm=x0+cos(+ ) ybm=y0+sin(+ ) 平行移動量: y= yum- ybm x= xum- xbm 下基板回轉角 0.2 (逆時針)下基板調整 1.0mm(上移 )上基板調整 1.0mm (左移)b1(xb1, yb1)b2(xb2, yb2)u2(xu2,
28、yu2)u1(xu1, yu1)bm(xbm, ybm)um(xum, yum)#1#2#4#3組立對位 偏移檢查熱壓著後cf往右偏移熱壓著後使偏移趨向中心offsetb1(xb1, yb1)b2(xb2, yb2)u2(xu2, yu2)u1(xu1, yu1)bm(xbm, ybm)um(xum, yum)回轉中心回轉中心(x0,y0)計算座標 = 檢出座標+offset值xb1= xb1 + xoff1 xoff1 = x+x/yb1= yb1 + yoff1 yoff1 = y+y/xb2= xb2 + xoff2 xoff2 = - x+x/yb2= yb2 + yoff2 yoff
29、2 = - y+y/針頭的gap與值調整 (a)針頭與基板接觸後為零點值 (b)調整測微器針頭,調整到100m的gap基板針頭100m注射筒不良與成因不良與成因3較易發生凸起的部位(a)一般常發生的部位在真空溝槽的側邊(b)凸起物為異物所形成,是由基板所帶入(c)預防措施可由檢查open cell 的頻度增加來做預防較易發生凸起的部位熱壓著主要是將tft基板與cf基板組立成一片注意項目:1.上下定盤是否清潔(每日清潔方式)2.上下定盤sheet是否平坦3.真空壓狀況是否達到設定值4.爐體裂化情況評估方式:1.在偏移檢查取面板確認seal狀況2.利用鈉燈確認干涉稿狀況牛頓環3.各爐半月g與點燈數
30、據機構圖機構圖受入振分受入振分搬送robot1搬送robot215爐15爐合流受渡熱壓著爐熱壓著爐機構組成機構組成概要圖概要圖冷卻配管上定盤真空下定盤heaterheater隔熱材隔熱材中心pino形環上sheet內框低溫保持time(sec)高溫保持穩定升溫 pressure pressure65kpa真空壓力一般昇溫曲線一般昇溫曲線熱壓著爐熱壓著爐動作流程動作流程robot搬出後烤爐上定盤下降昇溫開始昇溫到達壓著保持壓著終了上定盤上昇基板進入待搬送位置開機robot搬入壓著升溫完成初期升溫 after cureafter cure工程:工程:# # 經經after cureafter cu
31、re後框膠完全硬化。後框膠完全硬化。 ( (熱壓著後僅完成熱壓著後僅完成 90% 90% 之硬化之硬化) ) after cureafter cure後基板會些許彎曲後基板會些許彎曲( (若若cfcf在上在上/tft/tft在下則彎向在下則彎向 上為正常,否則上為正常,否則ng)ng),基板彎曲程度以邊緣無法以,基板彎曲程度以邊緣無法以0.7mm0.7mm 厚薄規插入為原則。厚薄規插入為原則。 基板是否彎曲過度先以目視直接看。基板是否彎曲過度先以目視直接看。 基板是否彎曲過度先以目視直接看。基板是否彎曲過度先以目視直接看。一、設備layout及製造流程概要一、設備layout及製造流程概要二、
32、切裂加壓脫泡各製程說明二、切裂加壓脫泡各製程說明三、q&a三、q&apanel c-unitpanel c-unit製程及設備簡介製程及設備簡介panel c-unitpanel c-unitpanel c-unitpanel c-unit製程及設備簡介製程及設備簡介製程及設備簡介製程及設備簡介主講人主講人: :主講人主講人主講人主講人: : : :面板收納面板收納(組立後偏移檢查)移載裝置空cell切裂gap測定multi-loadergap測定multi-loader卡匣收納面板洗淨/iso封止液晶液晶注入空cell切裂(檢查)(檢查)面板管理卡匣管理封止劑洗劑(lc-84
33、1)注入口封止劑注注入入 洗洗淨淨 封封止止 收收納納 切切裂裂設設備備layout及及製製造造流流程程概概要要設設備備設設備備layoutlayout及及製製造造流流程程概概要要及及製製造造流流程程概概要要1tft243平台刮刀組brush脫脫泡泡stage偏偏貼貼清清潔潔磨邊倒角brush洗淨洗劑(lh-25)表面清潔磨邊倒角brush洗淨表面清潔洗劑(lh-25)加壓脫泡multi-loaderunloader偏光板貼付buffer loaderunloader偏光板貼付buffer loadertray管理(面板外觀檢查)偏光板偏光板multi-loadermulti-loaderbr
34、ush洗淨brush洗淨切割切割/ /裂片裂片製程製程切割切割切割切割/ / / /裂片裂片裂片裂片製程製程製程製程空面板切裂機(2.5代)tft面裂片tft面切割cf面裂片基板排出翻轉搬送翻轉搬送cf面切割基板搬入c/v4c/v4c/v3c/v2 .3c/v2c/v1c/v1切切裂裂順順序序a面tft裂片a面tft切割c/v排出c/vc/v搬送c/v4翻轉搬送a翻轉搬送bc/v搬送c/v3搬送c/v1搬送c/v2搬入c/vb面cf裂片b面cf切割裝裝置置略略圖圖動動作作flow65142 365142 365142 365142 3注入口tftcf液晶注入製程液晶注入製程液晶注入製程液晶注入
35、製程液晶注入製程液晶注入製程 :乾式pump :油迴轉pump :機械pump :增壓分子pumpdrpmbtmprp搬送板搬送板搬送板搬送板drpmbtmprp搬送板搬送板搬送板搬送板搬送板搬送板drpmbdrpmb脫泡室脫泡室注入室注入室排氣室排氣室液晶皿交換液晶皿交換平台平台脫泡室脫泡室注入室注入室封止裝置封止裝置移載部移載部卡匣卡匣投入投入卡匣入口平台卡匣入口平台卡匣出口平台卡匣出口平台移載部移載部液晶皿交換平液晶皿交換平台台排氣室排氣室卡匣入口平台卡匣入口平台卡匣出口平台卡匣出口平台封止製程封止製程封止製程封止製程封止製程封止製程c-unitul/d移載橫轉90度卡匣移載部卡匣移載部
36、1.卡匣移載機構2.卡匣900迴轉機構光罩取出部光罩取出部1.靜電氣除去機構uv照射部照射部1.uv燈2.uv燈排氣機構3.uv硬化用電源4.uv光量計5.卡匣定位機構封孔部封孔部1.3d機械手臂機構2.ccd/畫像處理3.uv膠針筒機構4.塗膠高度補正機構5.靜電氣除去機構6.光罩取付機構清潔擦拭部清潔擦拭部1.roller刮除收納2.清潔roller機構3.清潔布移行機構4.卡匣定位機構5.靜電氣除去機構翻轉部翻轉部1.卡匣翻轉機構2.卡匣推送機構3.基板固定機構4.靜電氣除去機構卡匣搬送部卡匣搬送部1.設備間移動機構2.卡匣上下機構卡匣搬送機構卡匣搬送機構(a)1.裝置間移動機構 (l/
37、d擦拭部)2.卡匣上下機構卡匣搬送機構卡匣搬送機構(b)1.裝置間移動機構 (擦拭部uv照射部)2.卡匣上下機構3.卡匣固定機構4.基板固定機構5.卡匣傾斜機構出口部出口部1.液晶注入機出口2.卡匣搬送機構卡匣移載部卡匣移載部1.卡匣移載機構 (卡匣吊起移動)2.卡匣900迴轉機構橫轉900mask取出 uv硬化uv塗膠擦拭翻轉1800l/drollermaskmaskuv燈uv膠1800900900卡匣搬送機構卡匣搬送機構(c)1.裝置間移動機構(uv照射部卡匣移載部)2.卡匣上下機構a-unitb-unitpanelpanel洗淨製程洗淨製程panelpanelpanelpanel洗淨製程
38、洗淨製程洗淨製程洗淨製程 面板投入面板投入 面板投入面板投入面板投入面板投入 洗劑洗劑/ / usus 洗劑洗劑洗劑洗劑/ / / /usususus 洗劑洗劑/ / usus 洗劑洗劑洗劑洗劑/ / / /usususus show ershow er show ershow ershow ershow er 液浴液浴 液浴液浴液浴液浴 純水純水rinserinse 純水純水純水純水rinserinserinserinse 純水純水rinserinse 純水純水純水純水rinserinserinserinse 熱風乾燥熱風乾燥 熱風乾燥熱風乾燥 冷風乾燥冷風乾燥 冷風乾燥冷風乾燥 面板排出面板排出 面板排出面板排出面板排出面板排出花王花王: : lc-841lc-841花王花王花王花王: : : : lc-841lc-841lc-841lc-841花王花王: : lc-841lc-841花王花王花王花王: : : : lc-841lc-841lc-841lc-8416 6 pospos6 6 6 6 pospospospos2 2 pospos2 2 2 2 pospospospos基板砥石定盤磨長邊倒角l/dul/d磨短邊高度上砥石角度:30。下砥石角度:20。砥石編號:pc3
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