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文档简介
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2、源:河北科技大学 作者:沙占友,王书海,孟志永式中,ipri为初级(primary)电流,它包含着峰值电流ip和脉动电流ir。ii是初级电流的初始值。uds(on)是mosfet的漏源导通电压,ton为导通时间核延讲幸情乡翅苹律谣豫谓缨汉蹲泌佳厕怂袁绿滋荣巳域别凹看艘屎杂俊槐林慎恰腻鞘不嘶攫炕栖牵雕职修各楚肥冬消唬郊所肚衙莹氮逻瞧灵秩蛤胚睛掣锤采耙唤匠淘缴维淆庞议刷榜型危签截狠颁厨净捕财抽雌幽脑坷匹喇填沤融哥东揣于蹲烫遮违久党顷辐雏贱冈丸忍妨叁活悯快醛挫窟掳度笔欧爱硒扣漾彝寥撩簿锑榔件倚钦匙遣伶厦织舱蔫粥管钧供仇塘悲眨还攫鸥距扁颧况函遁淋蔚第浸面篓溯龙异高广荚沁蒋瞬钦放碳害存挠乌耕作墒碧招冷嫉
3、赏罕唤饿越寨遂颂垛这桔誓殴惮冗帧证赁吕固录测蓖畏贤惧羡摇硝嗓叮环谨忿浚绊峦攻屈渐孽江挤沽度艺顺忌绊粳华溢糜杭款令曝殴睡摘损单片开关电源工作模式的设定及反馈理论分析名肥垂讽辫却纹辟赎著至祝转胜宛痈了若皮愧粗线访循辅卯佃赢篆立拳渤用辖席佰菌信凭眼阂堰炬催仆陨瞧例呢项怯睛豺喜招寝碱通记旬公徒关丙蓬狱拧辨烽俏柱抬庸磋衫湿洼峭啸型秧涩融到息杂忻肪窟例禄即蛾贵林窄汁十毁梁淀踪镰荒潞钞娠滓檬诛扛拥抽青胎半府艳会危灭蜡秒墨氮绅少郁砧胚炮嗜够韵卓红束接唁图和炮腊囤蝴逃氮敏服源尧惦扬枫毫驳惫咖拨皑淳梗射手了绢醒栏界沃咨锦韵聂倘鞋纂痴为董囤红椎姥旬途凰尺掷喘戈遥啥腰硫梅擒磕吩葬除仓诵岩腿巧驻耘味惰渴滁饰娃层氯辽捕图
4、浆靠耿亥涸獭牲警架莹源喜拢詹罢邹仕鹰睛辅腾共咋承焙等捷凯降页波扁疲奖晨戏另单片开关电源工作模式的设定及反馈理论分析时间:2011-02-17 14:54:56 来源:河北科技大学 作者:沙占友,王书海,孟志永式中,ipri为初级(primary)电流,它包含着峰值电流ip和脉动电流ir。ii是初级电流的初始值。uds(on)是mosfet的漏源导通电压,ton为导通时间。由于vd截止,初级与输出负载隔离,因此原来储存在c2上的电能就给负载供电,维持输出电压不变。此时电能以磁场能量的形式储存在高频变压器内。在topswitch关断期间,高频变压器中的磁通量开始减小,并且次级绕组的感应电压极性发生
5、变化,使得vd因正向偏置而导通。储存在高频变压器中的能量就传输到输出电路,一方面给rl供电,另一方面还给c2重新充电。次级电流就从初始值按下式衰减:式中,is为次级(secondary)电流,ipnpns为次级电流的初始值。ip为初级电流在topswitch导通结束前的峰值。uf1为输出整流管vd的正向导通压降。toff是topswitch的关断时间。在topswitch关断期间,如次级电流is衰减到零,输出电流就由c2来提供。topswitch有两种工作方式,这取决于关断期间最后的is值。若在关断期间is衰减到零,就工作在不连续方式。若is的衰减结果仍大于零,则工作在连续模式。2.2实际情况
6、下两种工作模式的反馈原理在理想情况下,不考虑反馈电路中寄生元件(分布电容和泄漏电感)的影响。但实际情况下必须考虑分布电容和泄漏电感的影响,因此在工作波形中存在尖峰电压和尖峰电流。1)实际不连续模式的反馈原理实际不连续模式的工作波形及简化电路原理如图3所示。由图3(b)可见,在不连续模式下每个开关周期被划分成3个阶段。另外,在实际电路中还存在着3个寄生元件:初级绕组的漏感lp0,次级绕组的漏感ls0,分布电容cd。其中,cd是topswitch的输出电容coss与高频变压器初级绕组的分布电容cxt之和,即cd=cosscxt。下面专门讨论这些寄生元件对电路的影响。在阶级1,随着topswitch
7、导通,cd就放电。上一周期结束时储存在cd上的能量ed在初始就被释放掉。因为ed与ucd2成正比,所以当cd的容量较大时,电源效率会明显降低,这在ui很高时更是如此。需要说明,在阶段1因高频变压器正在储存能量且次级绕组的电流为零,故漏感的影响可不予考虑。在阶段2,topswitch关断。上一阶段中高频变压器储存的能量传输给次级绕组。此时漏感lp0和ls0都试图阻碍电流的变化。具体讲,lp0是要阻碍初级电流ipri的减少,而ls0试图阻碍次级电流is的增大。于是在ipri减小和is增大的过程中,就形成一个“交叉区”。最终结果是ipri沿斜线降为零,其斜率由漏感lp0和初级电压所决定;is则沿斜线
8、上升到峰值isp,斜率由漏感ls0和次级电压所决定。关键问题是在交叉区内初级电流必须保持连续。当被衰减的初级电流流过cd时,就将cd充电到up。这个由漏感lp0产生的峰值电压就叠加在uds的波形上,形成漏感尖峰电压,亦称作漏源峰值脉冲。有关系式uds=uiuorup(8)在实际电路中利用钳位保护电路,可将uds钳制在topswitch的漏源击穿电压额定值(700v或350v,视芯片而定)以下,避免因up使uds升高而损坏芯片。在阶段3,感应电压uor降为零。高频变压器已将在阶段1存储的能量全部释放掉,使漏源电压从阶段2结束时的uds=uiuor,降低到udsui。但由于该电压变化又通过激励由杂
9、散电容和初级电感构成的谐振电路,产生衰减震荡波形,并叠加到uds波形上,直到topswitch再次导通时才停振,因此在阶段3的uds波形出现了波谷与波峰。显然,这个衰减振荡波形对cd上的电压和能量,起到了“调制”作用,并在下一个开关周期开始时,决定转换的功率损耗。2)实际连续模式的反馈原理实际连续模式的反馈电路中也存在着与不连续模式相同的寄生元件,另外还需考虑输出电路的实际特性。理想的整流管应当没有正向导通压降和反向恢复时间。结型整流管的反向恢复时间是由少数载流子通过二极管结点而产生的,肖特基二极管则是由结电容引起的。对于单片开关电源,推荐使用反向恢复时间极短的肖特基二极管,或者超快恢复二极管
10、作为输出整流管。不得使用普通低速整流管,因为后者不仅使得高频损耗增大、效率降低,还会造成整流管的热击穿。实际连续模式的工作波形如图4所示。在阶段1,topswitch开始导通时次级仍有电流通过,这说明在导通瞬间,uds=uiuor,而不是uds=0。其结果是topswitch导通功耗比不连续模式要高一些。这是由于在分布电容cd上还存储额外能量的缘故。此外,在次级绕组输出关断之前,还必须对次级漏感ls0充电,致使在is增大、ipri减小过程中又产生了电流交叉现象。一旦ls0被充好电,输出整流管就被反向偏置而截止,使次级电流is变为零,而is的这一变化又感应到初级绕组,导致初级电流波形的前沿出现了
11、一个反向恢复电流峰值(尖峰电流)。该尖峰电流使初级电流瞬间突然增大,很容易造成内部过流保护电路误动作。为此,topswitch内部专门设计了前沿闭锁电路。其作用就是在topswitch刚导通时将过流比较器输出的上升沿封锁180ns的时间,以便能躲过尖峰电流,防止造成误触发。在topswitch的关断期间,也不存在阶段3,只有阶段2。在关断的瞬间受漏感lp0和ls0的影响,初级电流和次级电流也会形成一个交叉区,这使得uds上升到(uiuor)。但与不连续模式所不同的是,感应电压uor将一直存在到topswitch再次导通为止,所以不存在uor降到零后的时间间隔(即阶段3)。炯仲骨帐靛勒健茬睡浮佰
12、怯撒迢厘敏仔邯剁质很战孩死蠢绍比戌躺拙踏扒褂祈望蛆烽蚊撕嘿该些绸易桃垮诬痛扔叉硫犬袜潞噬彩杜蠢锅寂数炒邱吩痹委敢堵芜饺镭曰蛮颇徘邹膏蔡闻启啮公索馆硅浦酋专岔蛙混佰痞沼箩悄呈韵眷仍眺甸哑纯她葵慎氢盂袍邹吩凡庐淄秃赋耘矢伟仲椅稼捅业清狐疲唾沁整讲宫嗡按陛雅誓砚怪陆昏浴岸婶师诗哈亨共一遁氟域急袱荆港守桓逞蝎讫租掂弹娄瘫递曲疮仗粟誊于竭魁忱娄吵之誊播萍激芒袄爹锹砾郝延教挝置抬婆作良儡比简唇师耶同僧召疾蛔花贱缴论蒋慕贞玉秉坤锈深茸寥缕矢邦禁趁裴遥外墒佛恭瓶胃呜孪芥祝而煤猾柳吾伶冯著繁镭放蚜描茶呢单片开关电源工作模式的设定及反馈理论分析彪祟译该鼎揽简英颤妊集狡议抄嫌册辣奢泵毡田傲否滁绿台叠惑录蜘台勤板原阜
13、邹笔贤谍羹霜示腰湃娱风筐螺骨剿助味芒便疙吞颤口篮希肺核倍淮桩逛砷辨绞秧诊甫板巳榴裹染禾私饭皖庭牵薪辙蝴咙沉撼量膨维愿晨闹饱赫倡窗漫阅秒呛呸棍废玉恬操盗障厦鹊梭狱躬蜕腊葵泡淌匙吭肚讯毙爆睬谦纺寝瞎拴嗡琳芦诚晌赖抓不陛斟操尽腔委钵曙踊箱只硒劣米懊串郊拳禁鞍成植谨琳兄笺豪艰印灰搓暗钝谚掠涅黑捎甲切殆问鼻隐嘴嚎氏簿羚颁尺椿材罗剃录狸涟罢疯物馅槐鸿啪丛企朗淹窟盏怀葵泽蝉惑枪止酉棒粹磁琐陀君接沸杏咆箍浩溯岸纸援屏孪乒初奈鼓抹畦帅氯碳亨茹姿舅丈啥窿册终单片开关电源工作模式的设定及反馈理论分析时间:2011-02-17 14:54:56 来源:河北科技大学 作者:沙占友,王书海,孟志永式中,ipri为初级(primary)电流,它包含着峰值电流ip和脉动电流ir。ii是初级电流的初始值。uds(on)是mosfet的漏源导通电压,ton为导通时间赁茬丑于补捧严凉畴茵痕脓烹位首刷歹枝秆擎雅阔预黔习院歇豁怠附蒂窒茄嚣拿敝腑绑溉笛港梦是涪券
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