基于linux的MTD的NANDFLASH设备驱动底层实现原理分析(DOC)

1、 设备节点：用户在/dev 目录下使用 mknod 命令建立 MTD 字符设备节点（主设备号 为90），或者 MT块设备节点（主设备号为 31），使用该设备节点即可访问 MTD 设备。 MTD 设备层：基于 MTD 原始设备层，系统将 MTD 设备可以定义为 MTD 字符（在 /mtd/mtdchar.c 中实现，设备号 90）和 MTD 块设备（在/mtd/mtdblock.c 中实现， 设备号 31）。 MTD 原始设备层：MTDM始设备层由两部分构成，一部分是 MTD 原始设备的通 用代码，另一部分是各个特定 Flash 的数据，如分区。 主要构成的文件有： drivers/mtd/mt

2、dcore.c 支持 mtd 字符设备 Flash 硬件驱动层：Flash 硬件驱动层负责对 Flash 硬件的读、写和擦除操作。 MTD 设备的 Nor Flash 芯片驱动位于 drivers/mtd/chips/ 子目录下，NandFlash 芯片的驱动则位于 drivers/mtd/nand/ 子目录下。 二、Linux 内核中基于 MTD 的 NANDFLAS 驱动代码布局： 在 LinuX2.6.35 内核中，MTDS代码放在 driver/mtd 目录中，该目录中包含 chips、devices、maps nand、onenand lpdrr、tests 和 ubi 八个子目录。

3、 其中只有 nand 和 onenand 目录中的代码才与 NAND 区动相关，不过 nand 目 录中的代码比较通用，而 onenand 目录中的代码相对于 nand 中的代码而言则简 化了很多，它是针对三星公司开发的另一类 Flash 芯片，即 OneNAND Flash 本文我们需要关注的代码是 linux-2635/drivers/mtd/nand 目录中,在该 目录中我们关心的文件如下： 1、 nand_base.c : 定义了 NAND 区动中对 NAND5 片最基本的操作函数和操作流程，如擦除、读 写page、读写 oob 等。当然这些函数都只是进行一些 default 的操作，

4、若你的 系统在对NAND 操作时有一些特殊的动作， 则需要在你自己的驱动代码中进行定 义， 然后 Replace这些 default 的函数。 2、 nand_bbt.c : 定义了 NAND 区动中与坏块管理有关的函数和结构体。 3、 nand_ids.c : 定义了两个全局类型的结构体：struct nand_flash_dev nand_flash_ids 和 struct nand_manufacturers nand_manuf_ids。其中前者定义了一些 NAND 芯片的类型，后者定义了 NAND 芯片的几个厂商。NAN 芯片的 ID 至少包含两项 内容：厂商 ID 和厂商为自己的

5、 NAND5 片定义的芯片 ID。当 NAN驱动被加载的 时候，它会去读取具体 NANC芯片的 ID，然后根据读取的内容到上述定义的 nand_manuf_ids和 nand_flash_ids两个结构体中去查找，以此判断该 NAND 芯片是那个厂商的产品，以及该 NAND5 片的类型。若查找不到，则 NAN驱动就 会加载失败，因此在开发 NANtS区动前必须事先将你的 NANC 芯片添加到这两个结 构体中去（其实这两个结构体中已经定义了市场上绝大多数的 NANC 芯片，所以除 非你的 NAND 芯片实在比较特殊，否则一般不需要额外添加）。值得一提的是， nand_flash_ids 中有三项

6、属性比较重要，即 pagesize、chipsize 和 erasesize，驱动就是依据这三项属性来决定对 NAND5 片进行擦除，读写等操作 时的大小的。 其中 pagesize 即 NANC 芯片的页大小， 一般为 256、 512 或 2048; chipsize即 NAND5 片的容量；erasesize 即每次擦除操作的大小，通常就是 NAND 芯片的 block大小。 4、 nand_ecc.c :driver/mtd/mtdpart.c 支持 mtd 块设备 定义了 NAND 驱动中与 softeware ECC 有关的函数和结构体，若你的系统 支持 hardware ECC，

7、且不需要 software ECC，则该文件也不需理会。 上面这些内容我是 Copy 别人的我觉得写得太好了，因为一开始我真的很迷茫，在 nand目录下有那么多的文件，到底哪个是值得我读的.我真的不值得，读了这个 大神的博客后对 NANDDLASH 驱动我不再是那么的迷茫。 三、NANDFLASH 硬件特性 要想读懂后面 Linux 系统中对 NANDFLASH 件驱动代码,了解 NANDFLASH 的 硬件特性这是再好不过的。 1、NANDFLAS 的内部布局 Nand Flash Layout Nand Flash 比如型号为 K9K8G08U0A这个芯片(chip),内部有两个 K9F4

8、G08U0A-每个 K9F4G08UOA 包含了 2 个 Plane,每个 Plane 是 1Gbr 所以 K9F4G08UOA 的大小是!CbX2=2GbP=;256MB. 因止匕 K9KSG08UOA 内咅;有 2 个 K9F4G08L0A,即 4 个 Plane, 4X256MB= 1GB = 而型号是K9VAG08LT1A的 MndFI日 5h.内凯包含了 2个 K9K8G08UOA,所儿总容量是 KK8GO8UOA的两 ffi= IGB X 2 = 2GB 类似地 K9NBG0W5A 内部包含了 4个 K9K8GO8U0A, &大小就是 4X1GB=4GB. 2、Nand F

9、lash 的物理存储单元的阵列组织结构（以开发板上的 K9F2G08 为例）ChipO Chip 1 Plsrie 0 WareN Block 0 Block 1 Stock 2 Page 1 page N Block 3 Block N p咻0 ocb 1 Block - 64 Pages (128K +4k) Byte 1 Page - 2K + 64)Bytes 1 0IOCK = (2K + 64 jB X 64 Pages = (123K *4K H呻 1 DE. ice = (2K+64jB x 64364 x 2.048 Blocks -2,115 Mbits Bbl K9F2G

10、08 的大小是 256M a) block:Block 是 Na nd Flash 的擦除操作的基本/最小单位,一片 NANDFLASH(chip 由很多块 (block)组成,块的大小一般是 128KB, 256KB, 512KB 此处是 128KB。其他 的小于 128KB 的， 比如 64KB 称之为 small block 的 Nand Flash。 b) page:page 是读写操作的最小单位,每一个 block 里面包又含了许多 page(页),每个页的大小， 对于现在常见的 Na nd Flash 多数是 2KB 最新的 Nand Flash 的是 4KB 8KB 等, LfO

11、O ra 1 I/O 2 1/0 3 2 4 L/0 5 i；0 6 1/0 7 W Cycit Ao Al A? Al AA As Aft A? 2nd Ccle AS Afi Ai a AIT L L L L 3fd Cyde A12 Ail Au AiS A16 At? Aia Aifi 竝 h Cycle AZQ Azi 阳2 As AJS AJS Az? 5th Cycle A26 L L L L L *L NOTE Columr： AdSf*ss Staging Asdr站 of | fi&g SI? L ntusf b 刚 tc LOW Th,* osvio* i戸on

12、$ any additiixai put( (/ eye s than ruixd Column Address CaFumn Address Rfiw Addre&S Row Address Row Address 128K Pages 2.04fi Blocks, 2K Bytes 64 Bylas 这类的页大小大于 2KB 的 Nan dFlash，被称作 big block 的 Na nd Flash，对应的发读写命令地址, 一共 5 个周期(cycle)， 而老的 Na nd Flash， 页大小是 256B， 512B,这类的 Na nd Flash 被称作 small b

13、lock 的 nandflash 地址周期只有 4 个。 c) oob:每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域(spare area )/ 冗余区域(redundant area) 而 Linux 系统中，一般叫做 OO(Out Of Ba nd，这个区域，是最初基于 Na nd Flash 的硬件特 性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应 的检测和纠 错机制，此机制被叫做 EDC(Error Detection Code)/EC( Error CodeCorrection, 或者 Error Checking and Correcting )，所以设计了多余

14、的区域，用于放置数据的校验 值。 Oob 的读写操作，一般是随着页的操作一起完成的，即读写页的时候，对应地就 读写了 oob。 关于 oob 具体用途，总结起来有： 1、 标记是否是坏快 2、 存储 ECC 数据 3、 存储一些和文件系统相关的数据。如 jffs2 就会用到这些空间存储一 些特定信息， 4、 而 yaffs2 文件系统，会在 oob 中，存放很多和自己文件系统相关的 信 息。 3、K9F2G08 的引脚定义 Pin Pin Funetiian l,r0: 心心 DATAINPUTSOUTPUTS T阳 LO prs .sed to npji compare dddj6s$ MC

15、 daa. and lOojipLt ddta dur：ng 芒町 吐凶1肿臺 Tne - 0 pins float to hig-z nhen cip s dese or 肿* the o-jiputs are o sailed CLE COMMAMD LATCH ENABLE The CLE i.put canira.s ta path for camms理 g讨 to anc rag tte*. Aha- active My；. ca*irr.ard ar rto (re m产5日词，&臼去& thraugn th* 0 porli on tna f s 3 sdgg o

16、f t-.e gALE ADDRESS LftTCH NABL Ths A_E tontros re aciair pam for addjAss 10 :仙 inions address rg.stars. Addrs ae atehad on the n&ng Ado* of WE with ALE high. CE CHIPNABLE _ The CE Input 4 the device selection comm 讥 ieithe device 腥 m ttw Bus? stats CE hiQh is ignortd and tha daicB doe& not

17、rwtum to standby ce m pragremor aru operabon. RE READMABLE The RE inpul stha 弹阳 data-OLC control, and set .e dfrves iris esta crnQ ITA 0 b Data is va d tREA aftir he fa mg cidga of RE nn ala 爪匕用巾旷is th* rtfimai oo-jmr courier by ona WE WRITEENABLE The WE input corvois 虻虻 tn 10 the .0 pod Commands, a

18、ddrui and data ar laicned or ths rising adge of the 闪T PLES WP WRITE PROTECT T卜电 WP p( (n prov:BE ,n3C.；flde.t pgram,Brass fotadm sjng 口。曲艸 tans Ls Tne nta hign yx- apa 讲凯or s resat tha MP pn) )s active low RB READY/BUSY OUTPUT The RB output indicatss the soius of the 细细 侧 opeiaton.川卜禹 加，i indicaies

19、 that a program G ase farKkm mad canton 氐 in process and ratums ID high state upon com teton it i& an epe n d a in output a nd coes not f!oal to h gp -i cand-Lori .vhen in a chip s secls siec 0/ Aten tJdtp_ts are 已Et，l 曲 Vcc POWFR VCC ifi DD-flfir s-jaoly for ce g GROUND N.C HO CONNECTION Lad 1$

20、 not mrra：ly cowwetftd 107100:用于输入地址/数据/命令，输出数据 CLE:命令锁存使能位,在发送命令之前要先将模式寄存器中设置 CLE 使能(高电平有效)。 ALE：地址锁存使能位，在发送地址之前，要先将模式寄存器中设置 ALE使能(高电平有效)。 CE： (nFCE)芯片的片选信号,操作 nandflash 前应该拉低该位使之选 中该芯片。 RE： (nFRE)读使能,低电平有效,读之前使 CE 有效。 WE (nFWE 写使能,低电平有效，写之前必须使 WEt效。 WP 写保护低电平有效 R/B : (R/nB)Ready/Busy Output,就绪/忙，主

21、要用于在发送完编程/ 擦除命令后，检测这些操作是 否完成,忙，表示编程/擦除操作仍在进行中，就绪表示操作完成。(其中就绪：高 电平，忙：低电平)。 四、常见的 NANDFLAS 的操作 1、要实现对 Nand Flash 的操作，比如读取一页的数据，写入 一页的数据等，都要发送对应的命令，而且要符合硬件的规定，如图： Function 1st Cycle 2nd Cycle Acceptable Command during Busy Read ooh Read for Copy Back OOh 35h Read ID 90h Reset FFh 0 Page Program 0Oh 12h

22、 TA-o-piane Page Program1, flih-10h Ccpyack Program 05h Wli To-Fian CcpyAarx Prcgram5 85-11ti 8ih-i0h Block Erase 60h DOh TvvoPlane Bieck Erase GOhiGOti noh Rar don Data npui 35h n Rar don DataOuput1 05h EOh Read Status 70h 0 Read EDC Siatus; 7Bh 0 NOTE 1. Ra*xlom D弗npLLOutput tan 阳 exsDjtsc H a 2.

23、Rad EDC Status It only avails e on Cooy Back opraticn. 3. 讪 conmad twtAMi tlhancfllh i DfohDi( (ec except 70hana FFr 4. K9F2GOSROA doE not support Twoopticns NAND_BTSffICTH_l 6) column = 1; colusin, cttL);严发送翩地址 Ctrl 孑 D_CTF1_CHGE； ciiip-c3Dd_ctrI(mtd, column 8f ctU);严发送列地址2*/ I _ if (pageyddr != -1

24、 f 厲邛-皿况佃上山p3g&yddrr Ctrl丿；严蓉送疗堆址广/ c/iip-crad_ctrltdf pdge_(adc!i 发送行址2*i WDJCE I 思疏少 E)； 严 One isore address cycle for devices 12SM1B */ if (chip-比hipsiE (128 20) chip-cnL(i_ctrl(ntdf page_addr 疋 J*发送行地址3*! NANDCE I N盹 ALE 丿； ) 一 _ 上面的 column 即对应着页内地址，通常情况是 0,如果不是 0 则通过传入进来 的地址除于页地址就可得到相应的列地址了

25、。而 page_addr 即页号，就是通过 要访问的地址，除于页大小，即可得到。 对于其他操作还正在研究中。虽然说上面这些东东大部分都是来 自别人的东西，但是我相信现在它已经变成我自己的东西了。我不记得那个大 帅的博客了，因为我是直接把它的博客给保存到本地了。 非常的说：我突然发现在写这些关于 NAND 驱动的文章的时候，原来我 一直是在改写别人的博客。其实这并不要紧的 ，我也觉得这不仅仅是 一种比较好的学习方法了，为什么呢 ，因为当我在看他的博客的时候，我明白 了一点 撚后当我自己要写的时候。对这个东东又进一步了解一点了。呵 呵 Copy 也分档次了 五、硬件时序到软件代码的演变过程对 na

26、nd_base.c 部分代码的分析 该文件位于 还是把那个读 NAND 勺硬件时序图给贴上,如下图： Read OperationflnlercepledbyCEj ：此阶段，是读命令第一个周期，发送的命令为 0 x00。 ：此阶段，依次发送列地址，关于这些行地址，列地址等是如何计算出来的， 后面的内容 会有详细解释。 ：此阶段是发送对应的行地址 ：此阶段是发送读命令第二周期 2nd cycle 所对应的命令，0 x30 ：此阶段是等待时间，等待 Nand Flash 硬件上准备好对应的数据，以便后续 读出。 ：此阶段，就是一点点地把所需要的数据读出来。 MTD 读取数据的入口是 nand_r

27、ead，然后调用 nand_do_read_ops，此函数主体 如下： Read Operation 3f Xi/ | 1 2?：刁2乂戏 Co umn Addffisf tCSD tAE BE CE RE Row Address RJA; static int nan d_do_read_ops(struct mtdnfo *mtd, loff_t from, struct mtd_oob_ops *ops) /*此处省略部分代码*/ /* 7省略 */ 000000000000000 if (likely(s ndcmd) /*#defi ne NAND_CMD_READO 0*/ /*1

28、)*读取数据前肯定要先发送对应 的读页命令*/ 0 x00, page); sn dcmd = 0; /* Now read the page into the buffer */ if (uni ikely(ops-mode = MTD_00B_RAW) ret = chip-ecc.read_page_raw(mtd, chip, bufpoi, else if (!alig ned & NAND_SUBPAGE_READ(chip) ret = chip-ecc.read_subpage(mtd, chip, col, else /* 执行到这里 read_page 函数读取对应

29、的 ret = chip-ecc.read_page(mtd, chip, page); if (ret pagebuf = realpage; memcpy(buf, chip-buffers-databuf + col, bytes); buf += bytes; 000000000000000000 0 0 0 0 0 while(1) OOOOOOOOO chip-cmdfu nc(mtd, NAND_CMD_READ0, page); & !oob) bytes, bufpoi); 数据了 */ bufpoi, if (mtd-ecc_stats.failed - stats

30、.failed) return -EBADMSG; return mtd-ecc_stats.corrected - stats.corrected ? -EUCLEAN 0; 上面这些代码都不需要我们去实现的，使用 MTD 层的自定义代码就行。 nan d_comma ndp 的分析 static void nan d_comma nd_lp(struct mtd_i nfo *mtd, un sig ned int comma nd, int colu mn, int page_addr) register struct nan d_chip *chip = mtd-priv; /* Em

31、ulate NAND_CMD_READOOB */ if (comma nd = NAND_CMD_READOOB) colu mn += mtd-writesize; comma nd = NAND_CMD_READ0; /* Comma nd latch cycle */ /*此处就是就是发送读命令的第一个周期 1st Cycle 的命令，即 0 x00, 对应着上述步骤中的*/ chip-cmd_ctrl(mtd, comma nd & 0 xff, NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE); if (colu mn != -1 | page

32、_addr != -1) in t ctrl = NAND_CTRL_CHANGE | NAND_NCE | NAND_ALE; /* Serially in put address */ if (column != -1) /* Adjust colum ns for 16 bit buswidth */ if (chip-optio ns & NAND_BUSWIDTH_16) colu mn = 1; /*发送两个 column 列地址，对应着上述步骤中的 */ chip-cmd_ctrl(mtd, colu mn, Ctrl);/* 发送列地 址 1*/ ctrl &=

33、 NAND_CTRL_CHANGE; chip-cmd_ctrl(mtd, colu mn 8, ctrl);/* 发送列地 址 2*/ if (page_addr != -1) /*接下来是发送三个 Row行地址，对应着上述步骤 中的*/ chip-cmd_ctrl(mtd, page_addr, ctrl);/* 发送行 地址 1*/ chip-cmd_ctrl(mtd, page_addr 8,/* 发送行地址 2*/ NAND_NCE | NAND_ALE); /* One more address cycle for devices 128MiB */ if (chip-chipsi

34、ze (128 cmd_ctrl(mtd, page_addr 16,/* 发送 行地址3*/ NAND_NCE | NAND_ALE); chip-cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONA(ND_NC|ENAND_CTRL_CHANGE); /* * program and erase have their own busy han dlers * status, seque ntial in, and deplete1 n eed no delay */ switch (comma nd) 0000000000000 return; /* 复位 */ case NAND_CM

35、D_RESET: if (chip-dev_ready) break; udelay(chip-chip_delay); chip-cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_STATUS, NAND_NCE|NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE); chip-cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE, NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE); while (心 hip-read_byte(mtd) & NAND_STATUS_READY); return; /*读忙信号*/ case NAND_CMD_RNDOUT: /* No r

36、eady / busy check n ecessary */ chip-cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_RNDOUTSTART, NAND_NCE|NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE); chip-cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE, NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE); return; /*接下来发送读命令的第二个周期 2nd Cycle 的命令，即 0 x30,对应着上述步 骤 中的*/ case NAND_CMD_READ0: chip-cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_READSTART, NAN

37、D_NCE|NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE); chip-cmd_ctrl(mtd, NAND_CMD_NONE, NAND_NCE | NAND_CTRL_CHANGE); /* This applies to read comma nds */ default: /* * If we dont have access to the busy pin, we apply the give n * comma nd delay */ if (!chip-dev_ready) udelay(chip-chip_delay); return; /* Apply this s

38、hort delay always to en sure that we do wait tWB in * any case on any machi ne. */ /*此处是对应着中的 tWB 的等待时间*/ n delay(IOO); /*接下来就是要等待一定的时间，使得 NandFlash 硬件上准备好数据，以供你 之 后读取，即对应着步骤*/ nan d_wait_ready(mtd); 还有一个步骤没有实现那就是步骤了一点一点的把数据读出来 nan d_read_page_hwecc 分析 static int nan d_read_page_hwecc(struct mtdnfo

39、*mtd, struct nan d_chip *chip, uin t8_t *buf, i nt page) 0000000000000000000000 for (i = 0; eccsteps; eccsteps-, i += eccbytes, p += eccsize) chip-ecc.hwctl(mtd, NAND_ECC_READ); /*这个最重要了这才是真正的从 NAND 勺缓冲区中把数 据给读出来*/ chip-read_buf(mtd, p, eccsize); chip-ecc.calculate(mtd, p, &ecc_calci); 000000000

40、0 return 0; 上面的 read_buf， 就是真正的去读取数据的函数了， 由于不同的 NandFlash co ntroller 控制器所实现的方式不同，所以这个函数必须在你的 Nand Flash 驱动中实现，即 MTD 层，能帮我们实现的都实现了，不能实现的，那肯定是我 们自己的事情了。接下来的工作是什么 ？MTD 原始设备和硬件驱动层的交互 了.这个才是我们要去真正实现的。0 进过前面 3 篇文章对 NANDFLAS 的些硬件特性以及 MTD 勺上层操作已经有 了一个大体概念，这些东西的重要性就像你要吃饭那么你首先得学会拿筷子道理 一样吧,应该一样的。 五、MTD 原始设备层和

41、硬件驱动层的桥梁：CT3SC EE 熟悉这几个重要的结构体：linu x/mtd/mtd.h struct mtdnfo u_char type; /*内存技术类型(包括 MTD_RAM,MTD_ROM,MTD_NANDFL*S H uin t32_t flags; /*MTD 设备属性标志*/ uin t64_t size; / Total size of the MTD uint32_t erasesize;/MTD 设备的擦除单元大小， 对于 NandFlash 来说 就是 Block的大小 uin t32_t writesize;/ 最小的可写单元的字节数 uin t32_t oobs

42、ize; uin t32_t oobavail; / Amou nt of OOB data per block (e.g. 16) / Available OOB bytes per block un sig ned int erasesize_shift; un sig ned int writesize_shift; /* Masks based on erasesize_shift and writesize_shift */ un sig ned int erasesize_mask; un sig ned int writesize_mask; / Kern el-only stu

43、ff starts here. const char *n ame; int in dex; /* ecc layout structure pointer - read only ! */ struct nan d_ecclayout *ecclayout; 址(Mil nud Jaihlc del mid JikLilttd device 11 Yem? Fih (uur-llnsli del nii4 tCC 1 I mtd.nurt it ion mtdpurt c) - 1 Flash蚩动 /* Data for variable erase regions. If numerase

44、regions is zero, * it means that the whole device has erasesize as give n above. * 一般为 1 吧 */ int nu meraseregi ons; /擦除区域的指针 struct mtd_erase_regio nnfo *eraseregi ons; /擦除函数将一个 erase_info 结构放入擦除队列中 int (*erase) (struct mtdnfo *mtd, struct erase_i nfo *in str); /* This stuff for eXecute-In-Place */

45、 /* phys is opti onal and may be set to NULL */ int (*poi nt) (struct mtdnfo *mtd, loff_t from, size_t le n, size_t *retle n, void *virt, resource_size_t *phys); /* We probably should nt allow XIP if the un poi nt isnt a NULL */ void (*unpoint) (struct mtdnfo *mtd, loff_t from, size_t len); /* Allow

46、 NOMMU mmap() to directly map the device (if not NULL) * - retur n the address to which the offset maps * - return -ENOSYS to in dicate refusal to do the mapp ing */ un sig ned long (*get_ unm apped_area) (struct mtd_i nfo *mtd, un sig ned long len, un sig ned long offset, unsigned long flags); /* B

47、ack ing device capabilities for this device * - provides mmap capabilities */ struct back in g_dev_i nfo *back in g_dev_i nfo; /read 和 write 分别用于 MTD 设备的读和写 int (*read) (struct mtdnfo *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retle n, u_char *buf); int (*write) (struct mtdnfo *mtd, loff_t to, size_t le

48、n, size_t *retle n, const u_char *buf); int (*pa ni c_write) (struct mtdnfo *mtd, loff_t to, size_t len, size_t *retle n, const u_char *buf); /读写 MTD 设备的 00B 区域的数据 int (*read_oob) (struct mtdnfo *mtd, loff_t from, struct mtd_oob_ops *ops); int (*write_oob) (struct mtdnfo *mtd, loff_t to, struct mtd_

49、oob_ops *ops); /访问一些受保护的寄存器 int (*get_fact_prot_info) (struct mtdnfo *mtd, struct otp_info *buf, size_t len); int (*read_fact_prot_reg) (struct mtd nfo *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retle n, u_char *buf); int (*get_user_prot_info) (struct mtdnfo *mtd, struct otp_info *buf, size_t len); int

50、(*read_user_prot_reg) (struct mtdnfo *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retle n, u_char *buf); int (*write_user_prot_reg) (struct mtdnfo *mtd, loff_t from, size_t len, size_t *retle n, u_char *buf); int (*lock_user_prot_reg) (struct mtdnfo *mtd, loff_t from, size_t len); /* kvec-based read/write

51、 methods. NB: The co unt parameter is the nu mber of _vectors_, each of which contains an (ofs, le n) tuple. */ int (*writev) (struct mtdnfo *mtd, const struct kvec *vecs, un sig ned long coun t, loff_t to, size_t *retle n); /* Sync */* 同步 */ void (*s ync) (struct mtdnfo *mtd); /* Chip-supported dev

52、ice lock ing */ int (*lock) (struct mtdnfo *mtd, loff_t ofs, ui nt64_t len); int (*u nl ock) (struct mtdnfo *mtd, loff_t ofs, uin t64_t len); /* Power Man ageme nt fun cti ons */ int (*suspe nd) (struct mtd_i nfo *mtd); void (*resume) (struct mtdnfo *mtd); /* Bad block man ageme nt fun cti ons */ in

53、t (*block_isbad) (struct mtdnfo *mtd, loff_t ofs); int (*block_markbad) (struct mtdnfo *mtd, loff_t ofs); struct no tifier_block reboot_ no tifier; /* default mode before reboot */ /* ECC status in formatio n */ struct mtd_ecc_stats ecc_stats; /* Subpage shift (NAND) */ int subpage_sft; /私有数据 指向 map

54、_info 结构 void *priv; struct module *ow ner; struct device dev; int useco unt; /设备驱动回调函数 int (*get_device) (struct mtdnfo *mtd); void (*put_device) (struct mtdnfo *mtd); ; 上面的 read()、write()、read_oob()、等都是 MTD 设备驱动要实现的主要 函数, 不过这些函数都是透明的不需要我们自己去实现 ,因为 Linux 在 MTD 的下层实现 了针对 NORFLAS 和 NANDFLAS 的通用 mtd_i

55、nfo 成员函数。 感觉没什么可写的了，因为这些都不是我要关注的东西，但是又不能不知道有这 么回事 这些结构体还是得了解了解 driver/mtd/mtdpart.c /* Our partiti on node structure */ struct mtd_part struct mtdnfo mtd; / 分区信息 struct mtdnfo *master; / 该分区的主分区 uint64_t offset; /该分区的偏移量 struct list_head list; ; struct nand_ecclayout *ecclayout; /* out of band layou

56、t for this partition (NAND only)*/ ; 一个 MTD!始设备可以通过 mtd_part 分割成数个 MTD!始设备注册进 mtd_table , mtd_table 中的每个 MTD 原始设备都可以被注册成一个 MTD 设备， 有两个函数可以完成这个工作， 即 add_mtd_device 函数和 add_mtd_partitions 函数。 其中 add_mtd_device 函数是把整个 NAND FLASH 注册进 MTD Core,而 add_mtd_partitions 函数则是把 NAND FLASH 勺各个分区分别注册进 MTDCore int

57、add_mtd_device(struct mtdnfo *mtd) int del_mtd_device(struct mtdnfo *mtd) int add_mtd_partitions(struct mtd_info *master,structmtd_partitions *parts,i nt n bparts) int del_mtd_partitions(struct mtdnfo *master) 当 MTD 原始设备调用 add_mtd_partitions() 的时候它会对每一个新建分区 建立一个 struct mtd_part 结构将其加入 mtd_partitions

58、 中并调用 add_mtd_device()将此分区做为 MTC 设备注册进 MTD Core,成功的时返回 0 重点关注一下 add_mtd_partitions(struct mtdnfo *master,struct mtd_partitions *parts,int nbparts)其中 master 就是这个 MTD 原始设备，parts 即 NAND 勺分区信息，nbparts 指有几个分区。那么 parts 和 nbparts 怎么来的 呢，其实上面有一句话已经说了。举个例子在我们移植 Linux 内核到我们的开 发板的时候我们会对 NANDFLAS 进行分区这 eilian24

59、0_default_nand_part 就 是起到上面这两个参数的作用如下： static struct mtd_partiti on eilia n240_default_ nan d_part = 0 = .n ame = bootloader,/*uboot 存放的地址对应 dev/mtdblock0*/ .size = 0 x00040000, /* 大小mtd_partition 会在 MTD 原始设备调用 区参数 /lin ux/mtd/partitio n.h struct mtd_partiti on char *n ame; uin t64_t size; uin t64_t

60、 offset; space */ uin t32_t mask_flags; for this partiti on */ add_mtd_partitio ns() 的时候传递分 /* identifier string */ /* partition size */ /* offset within the master MTD /* master MTDflags to mask out void (*write_buf)(struct mtdnfo *mtd, const .offset = 0, ， 1 = .n ame = param, .offset = 0 x00040000,/* 如果 UBOO 比较大就放在这个区域 可以将前面的覆盖掉*/*0 x00040000 是偏移量*/ .siz