SDRAM、DDR、DDR2关键测量点

1、台式机主板内存为什么内存能提高性能？1内存就是内部存储器，是文件临时交换场所，不储存。硬盘是外部存储器，用于存储数据。数据由硬盘调出，进入内存，再进入cpu处理，处理完毕经内存返回硬盘存储,内存和硬盘不同的，容量更不同。2、若所有的数据和应用程序存储在HDD里，CPU将经常等待HDD传送数据.SDRAM(同步DRAM)SDRAM支持高速的总线时钟频率(66MHZ以上),而不至于插入指令等待周期,它的基本原理是将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使得RAM和CPU能够共亨一个时钟周期,以相同的速度同步工作.在理论上其速度与CPU外频同步,与CPU共亨一个时钟周期.以INTEL 430VX

2、芯片支持的SDRAM为例,在搭配66.6MHZ的内存数据总线速度下,达到7-1-1-1的时序水准,也就是说第一次存取需要7个时钟周期,但接下来的内存存取,都能以一个时钟周期来完成(如果总线速度更高,则第一次存取所需的总线周期会更小),就是说,SDRAM在开始的时候要多花一些时间.但在以后,每一个时钟可以读写1个数据,做到了所有的输入输出信号与系统时钟同步.SDRAM与系统时钟同步,采用管道处理方式,当指定一个特写的地址,SDRAM就可读出多个数据,即实现数据的突发传送.具体来说,第一步,指定地址;第二步,把数据从存储地址传到输出电路;第三步,输出数据到外部.关键的是以上三个步骤是各自独立进行的

3、,且与CPU同步,而以往的内存只有从头到尾执行完这三个步骤才能输出数据,这就是SDRAM高速的秘诀.SDRAM的读写周期一般为7-15ns.SDRAM内存针脚定义SDRAM关键测试点时钟信号（CLK）：168线SDRAM内存插槽中提供4个时钟信号点，分别位于42、79、125、163针脚。正常时，时钟信号点的工作电压为1.6V。电压信号点，168线SDRAM内存插槽需要一种工作电压：+3.3V,分别位于6、18、26、40、41、49、59、73、84、90、102、110、124、133、143、157、168针脚DQ0-DQ63：64位数据线A0-A13：地址线CAS#：列地址选通RAS#

4、：行地址选通DQMB0：DQMB7：数据屏蔽CB0-CB7：字节允许信号WE0#：低电平写信号内存时钟信号供应方式图 Memory 接口訊號說明接口訊號說明1. SCMDCLK5:0 O Differential DDR Clock(時鍾輸出）SCMDCLK與SCMDCLK#是差分時鍾輸出對，地址和控制信號都在這兩個Clock正負邊沿的交叉點采樣。每個DIMM共有三對。2. SCMDCLK5:0# O Differential DDR Clock(時鍾輸出）這個Clock訊號的意義同上。3. SCS3:0# O Chip Select（芯片選擇）當這些信號有效時，表示一個Chip已被選擇了，每

5、個訊號對應於SDRAM的一行。4. SMA13:0 O Memory Address（內存地址）這些訊號主要用於提供多元的行列地址給內存。5. SBA1:0 O Bank Address（Bank選擇）這個些信號定義了在每個內存行中哪個Bank被選擇。Bank選擇信號和內存地址信號聯合使用可定址到內存的任何單元。6. SRAS# O Row Address（行地址）行地址，它和SCAS#、SWE#一起使用，用來定義內存的命令。 7. SCAS# O Column Address（列地址）列地址，它和SRAS#、SWE#一起使用，用來定義內存的命令。8. SWE# O Write Enable（

6、寫允許）寫允許訊號，它與SRAS#、SCAS#一起使用，用來定義內存的命令。9. SDQ63:0 I/O Data Lines（數據線）這些訊號線用於傳輸數據。10. SDM7:0 O Data Mask（數據屏蔽）當在寫周期有效時，在內存中傳輸的數據被屏蔽。在這八個訊號中每個訊號負責八根數據線。11. SDQS7:0 I/O Data Strobe（數據選通）這些訊號主要用於捕獲數據。這八個訊號每個訊號負責八根數據線。12. SCKE3:0 O Clock Enable（時鍾允許）這個訊號在上電時對內存進行初始化，它們也可以用於關閉不使用的內存數據行。 DDR SDRAMDDR SDRAM（

7、Double Date Rate，上下行双数据率SDRAM）在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，使用了更多、更先进的同步电路，采用DLL（DelayLocked Loop，延时锁定环）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据，在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽，即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.1GB/S，是PC133标准的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同，仍在时钟上升沿进行传输DDR电路、DDR关键测试点时钟信号点：184线DDR内存插槽中共有6个时钟信号点，分别位于16、17、75、76、137、138针脚。

8、电压信号点：184线DDR内存插槽只有一种电压：+2.5V。分别位于7、15、22、30、38、46、54、62、70、77、85、96、104、108、112、120、128、136、143、148、156、164、168、172、180、184针脚。只要测的一个PIN有2.5v电压就可以。DQ0-DQ63：64条数据线A0-A13：共14条地址线DQM：数据屏蔽DQS：数据选通VREF：参考电压 1PIN 通过精密电阻分压而得，为1/2VDDQ=1.25VSMBCLK、SMBDATA：系统管理总线时钟、数据信号 91、92PINCKE：时钟允许RAS#、CAS#：行列地址选通信号DDR2D

9、DR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。 DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制 DDR2电路部分截图关键测试点时钟线号点:240线DDR2内存插槽中共有6个时钟信号点，分别位于137、138、185、186、220、22

10、1针脚。正常时，时钟信号点的工作电压为1.1V。电压信号点:240线DDR2内存插槽共有两种电压：+3.3V和1.8V。其中238脚为3.3V供电脚，、51、53、56、59、62、64、67、69、72、75、78、170、172、175、178、181、184、187、189、191、194脚为1.8V供电脚脚DQ0-DQ63：64位数据线A0-A12：地址线DQM：数据屏蔽DQS：数据选通VREF：参考电压 1PIN 通过精密电阻分压而得，为1/2VDDQ=0.9VSMBCLK、SMBDATA：系统管理总线时钟、数据信号 91、92PINCKE：时钟允许RAS#、CAS#：行列地址选通信

11、号DEBUG显示EC、C1，C6，B0，E0等代码：表示不读内存DDR2维修方法为一、Update New BIOS：查看是否有新版本BIOS Release。二、看debug卡，若出現不抓內存等現象，則問題一般在Memory、NB先嘗試按壓橋，看能否跑完用替換法來確定問題點，換memory或電源内存插槽是否不良，有無斷針、污漬检测 VCC_DDR，内存主供电是否正常VTT_DDR ，内存的上拉电压是否正常DIMM_VREF_A，R255、R257兩個分壓線路是否OK DIMM_VREF_B，R256、R250兩個分壓線路是否OKMEM_CKE：DIMM Pin 52/171 S_CKE_A0

12、、S_CKE_A1、S_CKE_B0、S_CKE_B1與NB有無斷線，確定是否NB不良檢查輿DIMM槽各信號相連的終端電阻是否OK以及DQS、DQM、CKE等信號是否正常Ps：若遇到档代码問題，可以先清除 CMOS 或Update BIOS 二、DDR2维修思路：1 Visual Inspection（目测）目测）：(1) 内存插槽是否有PIN折损,烧毁等现象存在?(2) 北桥与内存插槽之间的PCB线路是否有断线,烧毁的現象存在?2 刷新刷新BIOS清除清除CMOS确认所使用的设备是否完好无损,排除人为造成的因素,UPDATE BIOS & CLEAR CMOS3 测量测量Voltage（电压）（电压）(1).P_+1.8V_DUAL正常為1.8V(2).P_VTT_DDR 正常為0.9V(3). SMB_DATA_MAIN