半导体三极管R2

1、模拟电子技术基础模拟电子技术基础信息科学与工程学院信息科学与工程学院基础电子教研室基础电子教研室五、五、 稳压二极管及应用稳压二极管及应用稳压管的符号稳压管的符号3. 3. 稳压管的稳压条件稳压管的稳压条件必须工作在反向击穿状态；必须工作在反向击穿状态；流过稳压管的电流在流过稳压管的电流在I IZ Z和和I IZMZM之间之间 。【 】内容内容回顾回顾1.3.1 晶体管的结构和类型晶体管的结构和类型基区基区发射区发射区集电区集电区发射结发射结集电结集电结发射极发射极基极基极集电极集电极bec【 】内容内容回顾回顾1.3 双极型晶体管双极型晶体管PNP型型注意：注意：NPN型与型与PNP型三极管

2、型三极管符号的区别符号的区别【 】内容内容回顾回顾NPN型型发射极箭头的方向发射极箭头的方向为为射极射极电流的方向电流的方向CiEiBiCiEiBi1.3.2 晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大晶体管工作在放大状态的外部条件状态的外部条件:共射放大电路共射放大电路发射结发射结: 正向偏置正向偏置晶体管的放大作用晶体管的放大作用:小的基极电流可以控小的基极电流可以控制大的集电极电流制大的集电极电流集电结集电结: 反向偏置反向偏置BiCiNNP1. 发射结加正向电压，发射结加正向电压，扩散运动形成发射极扩散运动形成发射极电流电流IE2. 扩散到基区的自由扩散到基区的自由电子

3、与空穴的复合运电子与空穴的复合运动形成基极电流动形成基极电流IB3.集电结加反向电压，集电结加反向电压，漂移运动形成集电极漂移运动形成集电极电流电流IC一、晶体管内部载流子的运动一、晶体管内部载流子的运动IBICBCEIII晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系BCII共射直流电流共射直流电流放大系数放大系数1)1( BEBCIIIIBCEIII 晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系BCII 共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数1)1( BEBCIIIIBCii 共射交流电流放大系数共射交流电流放大系数通常认为：通常认为：晶体管的电流分配关系晶体管的电流分配关系IBICIEIBICI

4、E1.3.2 晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件是晶体管工作在放大状态的外部条件是发发射结正向偏置且集电结反向偏置射结正向偏置且集电结反向偏置。 【 】内容内容回顾回顾1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流极电流IB3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC一、晶体管内部载流子的运动一、晶体管内部载流子的运动二、晶体管的电流分配关系二、晶体管的电流分配关系BCEII

5、IBEBCI)1(III1.3.3 晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线UCEIC+-UBEIB+- 实验线路实验线路mA AVVRBECEBRC1. 1. 输入特性输入特性IB( A)UBE(V)204060800.40.8导通电压：导通电压： 硅管硅管(0.7V) UBE 0.60.8V,锗管锗管(0.2V) UBE 0.10.3V。开启电压：开启电压：硅管硅管0.5V，锗管锗管0.1V。常数CEUBEBufi|UCE增大，特性曲线右移；当增大，特性曲线右移；当UCE1V后，曲线基本不变化后，曲线基本不变化IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80

6、 A100 A此区域此区域(截止区截止区) IB=0, IC=ICEO0,UBE0 UCEUBEIC只与只与IB有关，有关，IC= IB发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域此区域(饱和区饱和区) ：UCE UBE,集电结正偏，集电结正偏， IBIC，UCES 0.3VUCES临界饱和线临界饱和线发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点: :(1)(1)放大区放大区：发射结正偏，集电结反偏。：发射结正偏，集电结反偏。 电流关系：电流关

7、系： I IC C= = I IB B , , 且且 I IC C = = I IB B 电压关系：电压关系： （NPN)NPN) （PNPPNP）CBEUUUEBCUUU(3) 截止区截止区： UBE I IC C 电压关系：电压关系： （NPN)NPN) （PNP)PNP) UCES 0.3VECUUUBBCEUUU1.3.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数一、直流参数一、直流参数二、交流参数二、交流参数1. 共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数BCBCEOCIIIII2. 共基直流电流放大系数共基直流电流放大系数ECII1. 1. 共射交流电流放大系数共射交流电流放大系数= = =

8、常数常数 CEUBCii2. 2. 共基交流电流放大系数共基交流电流放大系数 = = =常数常数 CBUECii通常认为：通常认为： ，三、极限参数三、极限参数1. 最大集电极耗散功率最大集电极耗散功率PCM3. 特征频率特征频率fT ： 使使的数值下降到的数值下降到1的信号频率的信号频率。2. 最大集电极集电极电流最大集电极集电极电流ICM3. 极间反向击穿电压极间反向击穿电压1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对一、温度对I ICBO的影响的影响温度升高时，温度升高时， I ICBO增大。增大。二、温度对输入特性的影响二、温度对输入特性的影响三、温度

9、对输出特性的影响三、温度对输出特性的影响温度升高时，温度升高时，特性曲线上特性曲线上移移温度升高时，温度升高时， 特性曲线左移特性曲线左移0.7V4V00.7V0.3V0 0 4V00.7V0 4V【例例1 】判断以下三极管的工作状态。判断以下三极管的工作状态。放大放大饱和饱和截止截止倒置倒置【例例2】测得测得放大电路中放大电路中六只晶体管的直流电位如图所六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。锗管。解题思路解题思路(1)三极管处于放大状态三极管处于放大状态(2)确定基极和发射极确定基极和发射极(3)确定三极管为硅管还是锗管确定三极管为硅管还是锗管(4)确定为何种类型确定为何种类型作业：作业：P70 1.9【例例2】测得测得放大电路放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。硅管硅管