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文档简介

1、电子科技大学研究生试卷（考试时间：至共2小时）课程名称集成电子学 教师 陈勇学时_50_学分2.5教学方式 课堂教学考核日期 2009年6月8日 成绩考核方式： （学生填写）1.（20分）填空：（1）.按照CE律尺寸缩小k倍后，MOSFET的阈值电压将（），栅电容将（），饱和漏电流将（），集成电路的功耗延迟乘机将）°（2）.对纳米MOSFET，在接近阈值电压的低栅压区，迁移率退化主要由（）引起，提高迁移率可以采用（）;而在高栅压的线性区，迁移率退化主要由（）引起，提高迁移率要注意（）°（3）.多晶硅耗尽和反型层量子化都会使等效栅氧化层厚度（），阈值电压（），饱和漏电流（）&

2、#176;（4）.采用铜互联的优点是（）和（），采用氮氧规代替二氧化硅栅介质的优点是（）和（），采用金属栅电极的优点是（ ）°（5）.相比普通HALO结构，非对称HALO结构的优点是（）和（ ）°（6）. p+-p+多晶硅双栅MOSFET的阈值电压大约为（），采用TiN等新材料做栅电极双栅MOSFET的阈值电压大约为（），二2. （20分）解释以下专业名词并简要说明其在纳米MOSFET中的意义。（20分）线 （1）、SOI器件的浮体效应；（2）、Subband Structure Engineering、逆向掺杂结构；（4）、DIBL 效应；封（5）、载流子速度饱和及速度过

3、冲。3. （20分）绘图并分析其物理意义。号（1）.分别画出n+和p+多晶硅栅所构成的n-MOSFET能带图并说明对阈值电压的影学密响；（2）. SiO2和高K侧墙材料的Idsat和Ioff与栅介质材料介电常数 K的关系示意图；（3）.常规结构和HALO结构MOSFET沿沟道的表面势分布示意图；（4）.画出采用和未采用HALO结构器件表面势示意图，并标出源漏边界的值。4. (20分)回答下列问题：(1) .怎样选取高k介质，运用其制作MOSFET需要考虑哪些问题？(2) .非对称HALO结构和对称HALO结构相比主要有哪些优点？(3) . SON器件与SOI器件相比，哪一种性能更好？体现在哪些方面？为什么?(4) . MOSFET 中 Subband Structure Engineering勺两种实现途径是什么？(5) .解释下图逆向掺杂结构 MOSFET设计窗口的含义。/血“ 0即m« a| 7 1山 * i - :i 血i 1 止 n 几10 0102030405. (20分)推导短沟道MOSFET的表面势公式，并求解其阈值电压

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