ch薄膜成形工艺

1、1会计学ch薄膜成形工艺薄膜成形工艺与CVD相比，外延特点q 晶体结构良好 q 掺入的杂质浓度易控制q 可形成接近突变p-n结q 温度偏高 外延高温1000以上 CVD低温1000以下，多（非）晶)气相外延生长的热动力学Deal模型是半定量模型，它将生长过程大量简化外延过程十分复杂的，有许多化学反应，有许多中间产品： SiCl2，SiCl4，Si等粒子，堆积时会影响生长速度； 气体也不是单纯的气体，有些气体(如Cl）是会腐蚀硅片的。反应中淀积与腐蚀始终同时存在，故可以把整个过程分成几个连续步骤，以便建立生长过程的精确模型N: 总的硅原子密度/ 所生长的硅原子数()ggsssFh CCK Cep

2、isggsgdTK hCRdtKhNDeal模型：淀积粒子流量与生长所消耗的反应剂流量相等hg是质量传输系数，取决于腔中的气流量；ks是表面反应速率；Cg，Cs分别是气流及固态中的反应剂浓度。反应生长速率R：Kshg时,R由质量传输系数决定Ks600硅气相外延工艺1、外延原理：硅外延的化学反应主要是两个，一个是氢还原反应，一个是硅烷热分解，目的都是获取Si氢还原反应四氯硅烷热分解生长速率影响外延生长速率的主要因素(1)反应剂浓度生长速率与反应剂浓度的关系当SiCl4浓度Y较低时，SiCl4与H2反应起主导作用，外延层不断增厚；随着Y增加，SiCl4与Si的反应作用逐渐加强；当Y0.28时，此腐

3、蚀Si的反应为主，此时不仅停止外延生长，且会使硅衬底受腐蚀而变薄工业上典型的生长条件是Y=0.0050.01，相应的生长速度V=0.51um/min(2)温度B区高温区（常选用），A区低温区(3)气体流速气体流速增大，生长加快(3)生长速率还与反应腔横截面形状和衬底取向有关矩形腔的均匀性较圆形腔好。晶面间的共价键数目越多，生长速度越慢系统与工艺流程系统示意图N2，H2预冲洗，HCL腐蚀用气体，PH3提供氢气基座的HCl腐蚀去硅程序(去除前次外延后基座上的硅)N2预冲洗， 260L/min， 4minH2预冲洗， 260L/min， 5min升温1， 850度， 5min升温2， 1170度，

4、5minHCl排空， 1.3L/min 1minHCl腐蚀， 10L/min 10minH2冲洗， 260L/min， 1min降温， 6minN2冲洗外延生长程序N2预冲洗， 260L/min， 4minH2预冲洗， 260L/min， 5min升温1， 850度， 5min升温2， 1170度， 6minHCl排空， 1.3L/min 1minHCl抛光， 1.3L/min 3minH2冲洗(附面层)，260L/min， 1min外延生长，H2：260L/min SiCl4:6.4-7g/min PH3:100PPM;0.15-0.18L/min T:1160-1190度，时间随品种而定H

5、2冲洗， 1170度， 1min降温， 6minN2冲洗， 4min外延中的掺杂掺杂剂氢化物PH3、AsH3、BBr3、B2H6氯化物POCl3、AsCl3在外延层的电阻率还会受到下列三种因素的干扰q 杂质外扩散重掺杂衬底中的大量杂质通过热扩散方式进入外延层q 气相自掺杂衬底中的杂质因挥发等而进入气流，然后重新返回外延层q 系统污染气源或外延系统中的污染杂质进入外延 分子束外延分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) q 分子束外延（MBE）是一种超高真空蒸发技术，广泛应用于半导体单晶的沉积，特别是35族化合物半导体和Si、Ge的沉积，也可用于多种金属和金属氧化物q 该方法是

6、七十年代在真空蒸发镀膜的基础上发展起来的。是真空镀膜技术的改进与提高。生长速度很慢（1m/h）生长温度较低（500600C），结构厚度组分与掺杂分布可控制，可生长极薄的单晶薄膜层。在微波器件、光电器件、多层结构器件、纳米材料、纳米电子学等领域有广泛应用。在硅半导体器件中，用于制作双极器件及其他有特殊要求的CMOS、DRAM器件。v 分子束外延是在超高真空环境中，把一定比例的构成晶体的组分和掺杂原子（分子）的气态束流，直接喷射到温度适应的衬底上，进行晶体外延生长的制膜方法.v 在超高真空（UHV）条件下进行，生长速度非常低，通常在1um/h左右。超高真空的环境、低温和慢的生长速度，同时给碰撞原子

7、提供了足够时间，使之沿衬底边沿扩散，进入适当的晶格格点，形成完美晶体。MBE原理在超高真空条件下（10-8Pa）,将组成化合物的各种元素（如Ga、As）和掺杂剂元素分别放入不同的喷射炉内加热，使它们的原子（或分子）以一定的热运动速度和比例喷射到加热的衬底表面上，与表面进行相互作用并进行晶体薄膜的外延生长。分子束向衬底喷射，当蒸气分子与衬底表面为几个原子间距时，由于受到表面力场的作用而被吸附到衬底表面，并能沿表面进一步迁移，然后在适当的位置上释放出潜热，形成晶核或嫁接到晶格点上。但是也有可能因其能量大而重新返回到气相中。因此在一定的温度下，吸附与解吸处于动态平衡。特点:外延工艺1.以原子的速率生

8、长薄膜,可获得超薄薄膜(10A)2.结构分辨率高3.生长温度较低(衬底温度:500-600度)4.超晶格结构5.有完善的分析手段6.可获得合适的搀杂截面MBE总体结构图MBE生长室的基本结构示意图MBE生长室由三部分组成：真空系统、源和衬底、支架 MBE实现计算机控制，对生产过程实行严格的控制，可以得到所需组分和特定掺杂分布，生产出特定结构器件(对于研究开发新器件和生产批量不大的器件非常有效)。MBE的不足是设备昂贵，无法大批量生产。44424asassGAG AAGaAs MBEGaAs是采用MBE生长的最有代表性的材料之一。喷射池中使用Ga和As元素作为元素源，Ga池温度1000度，As（

9、AsCl3,AsH3）池温度400度，衬底温度650度。在As的高气压下生长GaAs，主要升华物通常为As4，即在富砷的环境下生长。一般人认为生长模型是两个As4和Ga发生反应并生成GaAs和As4外延层中的缺陷与检测a)存在于衬底中并连续延伸到外延层中的位错b)衬底表面的析出杂质或残留的氧化物，吸附的碳氧化物导致的层错c)外延工艺引起的外延层中析出的杂质d)与工艺或与表面加工（抛光面划痕、损伤），碳沾污等有关。形成的表面锥体缺陷（如角锥体、圆锥体、三菱锥体、小丘）e)衬底堆垛层错的延伸还会有失配位错、外延层雾状表面等缺陷缺陷种类:位错产生的根本原因是晶体内部应力的存在。在第四列之前的半透明区

10、域在应力作用下成为已滑移区域。左端原子先发生移动，然后向右传播，中途应力减小，滑移中止在第四列。滑移面所在的平面两边其他原子列保持对齐，只有红色原子列例外，其连线为位错线，周围畸变区成为位错芯层错是由于原子排列次序发生错乱而引起的，它是外延层上最常见而又容易检测到的缺陷。它将导致杂质的异常扩散，或成为重金属杂质的沉积中心，从而引起pn结软击穿、低压击穿甚至穿通层错：以111面为例由衬底表面的错配晶核随外延层的增厚向上逐渐发展而成层错沿着三个111面发育成一个倒立的正四面体。可以通过外延层表面的正三角形蚀槽边长计算外延层厚度单位面积内的层错数量称为层错密度。集成电路使用的外延片要求层错密度0.2

11、8时，此腐蚀Si的反应为主，此时不仅停止外延生长，且会使硅衬底受腐蚀而变薄工业上典型的生长条件是Y=0.0050.01，相应的生长速度V=0.51um/minMBE生长室的基本结构示意图MBE生长室由三部分组成：真空系统、源和衬底、支架 MBE实现计算机控制，对生产过程实行严格的控制，可以得到所需组分和特定掺杂分布，生产出特定结构器件(对于研究开发新器件和生产批量不大的器件非常有效)。MBE的不足是设备昂贵，无法大批量生产。44424asassGAG AAGaAs MBEGaAs是采用MBE生长的最有代表性的材料之一。喷射池中使用Ga和As元素作为元素源，Ga池温度1000度，As（AsCl3,AsH3）池温度400度，衬底温度650度。在As的高气压下生长GaAs，主要升华物通常