-模电期未自测练习--填空选择题A

1、模电自测练习-填空、选择题（A）= 二极管=*（填空题）*1 .半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通, 反偏 时截止,这种 特性称为单向寻甬一恒。PN结具有单向导电性能,即加正向电压时，-PNB导通,加反向电压时,PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为0.7V ,错管约为 0.2V 。2 .本征半导体中,若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P型半导体,其多数载流子是空穴 。3、PN结的正向接法是 P型区接电源的 匚极，N型区接电源的 J极。P型半导体中的多数载流子是 ， 穴,少数载流子是电三。N

2、型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是 空穴 。4-当温度升高时，二板前反向饱和电流将增大 ,正向压降将 减小 。5.整流电路是利用二极管的单向导电 性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿特性实现稳压的。8.硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。6 .发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。7 .光电二极管能将 光 信号转变为电 信号,它工作时需加 反向 偏置电压。8 .半导体是一种导电能力介于 导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N型半导体与P型 半导体。N型半导体主要靠 电子 来导电,P型半导体主要靠

3、 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散 运动,促进少数载流子的漂移 运动。10 .晶体二极管主要参数是最大正向电流 与 最高反向电压。11 .晶体二极管按所用的材料可分为 超和至两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为 检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。12、点接触型晶体二极管因其结电容 且，可用于 高频 和超高频的场合;面接触型晶体二极管因其接触 面积大，可用于大功率 的场合。13、2AP系列晶体二极管是 楮 材料做成的、其工作温度较 /氐。2CP、2cz系列晶体二极管是硅材料

4、做成的，其工作温度较高。*（选择题）*1. P型半导体中的多数载流子是BN型半导体中的多数载流子是 AA.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子2 .杂质半导体中少数载流子的浓度C本征半导体中载流子浓度。A.大于 B.等于 C.小于3 .室温附近，当温度升高时，杂质半导体中 _C浓度明显增加。A.载流子 B.多数载流子C.少数载流子4 .杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。A.温度B.掺杂工艺 C.掺杂浓度D.晶格缺陷5 . PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子6 .硅二极管的正向导通压降比错二极管A ,反向饱和电流比错二极管B

5、_o A.大 B.小 C.相等B_,反向电流A_o7 .温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压A.增大 B.减小 C.不变8 .硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。 A.减小 B.基本不变C.增大9 .流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 （C ）。A .增大B.基本不变C.减小10 .变容二极管在电路中主要用作 （D ）。A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器11 .当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（A ）。A.多数载流子；B.少数载流子；C.既有多数载流子又有少数载流子12 .如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（ C ）。

6、A.正常;B.已被击穿；C.内部断路13 .如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（ B ）A.正常；B.已被击穿；C.内部断路14 .晶体二极管的阳极电位是-20V,阴极电位是-10V,则该二极管处于（A）o A.反偏，B.正偏，C.零偏15 .当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）oA.增大； B.减小； C.不变16 .在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关= =三极管 =1 .晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2种载流子参与导电。硅管 以NPN 型居多，楮管以 PNP型居多。

7、2 .晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结 反偏。3 .晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大、 饱和、截止 。4 .当温度升高时，晶体管的参数0增大 ，Icbo 增大 ，导通电压 Ube 减小 。5 .某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10g变化到20洪时，集电极电流从1mA变为1.99 mA,则交流电流放大系数0约为99。6 .某晶体管的极限参数 IcM=20mA、PcM=100mW、U（br）ceo=30V ,因此，当工作电压 Uce=10V时，工作 电流Ic不得超过 10 mA;当工作电压 Uce=1V时，Ic不得超过 20 mA;当工作电流Ic=2 mA

8、时，Uce 不得超过30 V7 .晶体三极管三个电极分别称为 发射极、 基极和集电极,它们分别用字母 E、 b和C表示。8 .当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：NPN管的uc _>_uB _>_uE , PNP管的UC < UB < uE ;工作在饱和区时ic, 0B ;工作在截止区时，若忽略 Icbo和Iceo ,则iB 0 , ic二0 。9 .由晶体三极管的输出特性可知，它存在 截止区、 放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在 放大器中正常工作，发射结须加 正向 电压,集电结须加 反向 电压。10、晶体三极管是由两个 PN结构成的一种半导体器件，其中一个

9、PN结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。11 .晶体三极管具有电流放大作用的条件是：第一（内部条件）,使发射区的多数载流子浓度高,集电 区的面积大，基 区尽可能地薄;第二（外部条件）,使 发射 结正向偏置,集电结反向偏置。12 .晶体三极管发射极电流 0基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 I e= I b+ I J。其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数，用字母表示；ae/aib叫做 交流电流放大系数,用字母担表示。13 .晶体三极管的电流放大作用，是通过改变基极 电流来控制 集电极 电流的、其实质是以 微小电流控制较大电流。14 .硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7V,饱和电压降为

10、 0.3V ,楮晶体三极管发射结的导通电压约为0.3V，饱和电压降为 0.1V o15 .当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加正向 电压,集电结必定加 正向 或零电压。16 .当晶体三极管的队 Uce一定时，基极与发射极间的电压 Ube与基极电流Ib间的关系曲线称为 输入特 性曲线；当基极电流Ib 一定时，集电极与发射极间的电压 Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 输出特性 曲线 。17 .晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是 Ube的增量和Ib的增量 的比值。18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将较差；

11、而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 不稳定 。19 .按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极 、共集极和共基极三种基本放大电路。20.晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比错三极管小得多.所以硅三极管的热稳定性比错三极管好。1、在判别错、硅晶体二极管时，当测出正向电压为0.2V一时，就认为此晶体二极管为错二极管；当测出正向电压为0. 7 V时，就认为此二极管为硅二极管。2、NPN型晶体三极管的发射区是 _N型半导体，集电区是 N型半导体，基区是 P_型半导体。3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为

12、6mA。若晶体三极管的直流电流放大系数0=50,便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为0.12mA o4 .共发射极电路的输入端由 发射极和基极组成、输出端由集电极 和 发射极 组成、它不但具有 电流 放 大、 电压放大作用,而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。5 .晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以 栅极电压捽制 漏极电流的、所以它的输入阻抗很高。6 .共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为180。，这是放大器的重要特征，称为放大器的倒相作用 。7 .常用的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路

13、通常采用阻容耦合电路.8 .放大器的静态是指没有输入信号 时的工作状态,静态工作点可根据电路参数用估算 方法确定,也可以用图解方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有巫、Ie和Uce 。场效应晶体管白勺静态工作点由UGS 、Id 和 Uds 确定。9 .晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为电压 放大和功率放大两类。10 .为了使放大器输出波形不失真，除需设置 适当的静态工作点 外,还需要采用 稳定工作点的方法,且输入信号幅度要适中。11 .在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生截止 失真;静态工作点设置太高将产生饱和失真。12 .在晶体三极管

14、放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使Ic的正 半周及Uce的 负 半周失真;静态工作点设置太低时，会使 Ic的半周及Uce的上半周失真。13 .晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将 减小 ；如果Ib减小，则Uce将 增大 。因此，Ib可以起调节电压作用。14 .在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Rb,则静态工作点沿着负载线上移，容易出现 饱和失真;若增大Rb,工作点沿着负载线 下移，容易出现 截止 失真。15 .如果晶体三极管放大器 Ec增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线 巨移。在晶体三极放大器中 Rc

15、减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 陡 。16 .对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻大 些,以减轻信号源的负担，输出电阻 工一些，以增大带动负载的能力。17 .由于电容C具有隔直流通交流的作用、所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管c、e极间总电压的 交流 部分。18 .为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在VCC U ces （或直流负载线的中点）。219、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料 （Si或 Ge）、类型（NPN 或 PNP ）及管脚为哪个极（e、 b或c ）填入表内。管号T1

16、T2T3管号T1T2T3管脚0.76.23电极 名称电位0610(V)533.7材料类型1 .放大电路的输入电压 Ui= 10 mV,输出电压Uo= 1 V,该放大电路的电压放大倍数为100 ,电压增益为 40 dBo2 .放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小,输入电压也就越大 ：输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小 ,放大电路的负载能力就越强 。3 .共集电极放大电路的输出电压与输入电压同 相、电压放大彳t数近似为 1 、输入电阻 大.输出电阻 小 。*（选择题）*1 .当晶体三极管的两个 PN结都反偏时，则晶体三极管处于（ C ）。A.饱和状态；B.放大犬态;C.截

17、止状态2 .当晶体三极管的两个 PN结都正偏时，则晶体三极管处于（ C ）。A.截止犬态;B.放大犬态;C.饱和状态3 .当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ A ）。A.放大X犬态；B.饱和状态；C.截止状态4 .晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将 （C ）。A.随基极电流的增加而增加；B.随基极电流的增加而减小，C.与基极电流变化无关，只决定于 Uce5 .当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（ C ）。A.反向；B.增大；C.中断6.当温度升高时，半导体电阻将（B ）。A.增大；b ,减小；C.不变7.工作在放大状态的晶体管 ，流

18、过发射结的 是 A电流，流过集电结的是B电流。A.扩散B.漂移8 .晶体管电流由 效应管 C 。9 .晶体管通过改变种 F 控制器件。A.基极电流B 形成，而场效应管的电流由A 形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场A. 一种载流子 B.两种载流子 C.大A 来控制 C ;而场效应管是通过改变D.小B 控制 D ,是一B.栅-源电压C.集电极电流D.漏极电流E.电压 F.电流10.某NPN型管电路中，测得A.放大 B.饱和Ube=0 V , Ubc=5 V,则可知管子工作于）状态。C.截止11.根据国产半导体器件型号的命名方法可知, A . NPN型低频小功率硅晶体管 C. PNP型低频小功率

19、楮晶体管D.不能确定3DG6 （ B ）。B . NPN型高频小功率硅晶体管D . NPN型低频大功率硅晶体管12 .输入（C ）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A.正弦小信号B.低频大信号C .低频小信号13在绝对零度（0K）时，本征半导体中 B 载流子。A.14在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生D.高频小信号有 B.没有D 。C.少数D.多数15、16、17、18、19、20、A.负离子 B.空穴 C.正离子 D.半导体中的载流子为 D。A.电子N型半导体中的多子是 A。 A.电子P型半导体中的多子是B。 A.电子当PN结外加正向电压时，扩散电流

20、 当PN结外加反向电压时，扩散电流A_B电子-空穴对B.空穴B.空穴B.空穴漂移电流。漂移电流。C.正离子C.正离子C.正离子D.电子和空穴D.负离子D.负离子在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则D.不确定21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则 度D.不确定22、既能放大电压，也能放大电流的是A.大于B.小于A.大于B.小于uo和ui的相位_B。A.同相B.uo和uii的相位_A_。A.同相A 组态放大电路。A.共射 B.共集23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则 度D.不确定Uo和uii的相位_Ao A.24、25、26、可以放大电压，但不能放大电流的是

21、 C 组态放大电路。A.可以放大电流，但不能放大电压的是B 组态放大电路。共射A.B.共集27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于A.共射 B.共集 C.共基 D.不确定在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是A.共射B.共集C.共基D.不确定28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是A.共射B.共集C.共基D.不确定29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是30、A.共射三极管是B.共集C.共基_D_器件。A.电压控制电压D.不确定B.电流控制电压1.测量某放大电路负载开路时输出电压为的输出电阻为（D ）k

22、Q。 A. 0.5C.等与C.等于反相C.相差90度B.反相C.相差90C.共基同相B.反相D.不确定C.相差90C.共基共射 B.共集 C.共基1的是 B组态。C.B 组态。C 组态。组态。电压控制电流3 V,接入2 kQ的负载后，测得输出电压为B . 1.0 C, 2.0 D, 42 .为了获得反相电压放大，则应选用（A）放大电路。A.共发射极 B.共集电极 C.共基极D.共栅极3 .为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（B ）放大电路。A.共发射极B .共集电极C.共基极 D.共源极4 .放大电路如图T3. 1所示，已知Rs= Rd,且电容器容量足够大，则

23、 该 放大电路两输出电压 Uoi与Uo2之间的大小关系为（B ）。A . Uoi = Uo2B . u0l = u02C. u0l> u02D . u0K u02D.不确定D.不确定D.电流控制电流1 V,则该放大电路图T3 I5 .在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E ）。A.PNP型的基极；B.PNP型的集电极；C.NPN型的基极； D. N PN型的发射极 E. PNP型的发射极；F. NPN型的基极6 .在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（ B ）。A.晶体三极管将深度饱和；B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏7 .在N

24、PN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（ A ）。A.晶体三极管将深度饱和；B.晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。8 .在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B）。A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真9 .在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A）。A.饱和失真；B.截止失真.C.不失真10 .晶体三极管低频小信号放大器能（ A ）o A.放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号11 .在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（ B ） A.偏高；B.偏低；C.适当12 .画放大

25、器直流通道时，电容应视为（ B ） A.短路；B.开路；C.不变13 .在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为uo= （ B ）。A. icRc； B. - Rcic;C. -IcRc D. I bRc15 .为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（ A ）。A.发射结正偏，集电结正偏； B.发时结正偏，集电结反偏； C.发射结正偏，集电结零偏16 .共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（ C ）。A.同相位 B.相位差90q C.相位共为18 0o； D.不能确定17 .在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C ）。A.电阻的阻值

26、尽可能小；B.提高输入信号的频率；C.加大电容以减小容抗；D.尽可能减小时间常数。18 .为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（ A ）的方法。A.减小Ib B,减小Rc C.提高Ec的绝对值19 .为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使 Rb电阻值（B ）。A.增大B.减小；C.不变20 .如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（ C ）。A.集电极电流减小；B.集电极电压Uce上升；C.集电极电流增大21 .在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（B ）。A.集电极电压Uce上升；B.集电极电压Uce下降；C.基极电

27、流不变22 .在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数0（ A ）。 A.增大；b,减小；C.不变23 .在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（ B ） A.增大；B.减小；C.不变24 .当交流放大器接上负载R l后，其交流负载线的斜率（E ）。A.由Rl的大小决定；B.若Rc的大小不变，则交流负载线的斜率不变；C.因电容C具有隔直流作用，所以斜率不变；D.由R c和Rl的串联值决定；E.由Rl和Rc的并联值决定= =场效应管 =1 .场效应管从结构上可分为两大类：结型 、 绝缘栅型 或MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道 两类；对于MOSFET,根据栅源电压为

28、零时是否存在导电沟道，又可分为两 种：耗尽型 、增强型。由于场效应晶体管几乎不存在栅流，所以其输入直流电阻很大 。2 . UGS（off）表示 夹断 电压,IDSS表示 饱和漏极 电流,它们是 耗尽.型场效应管的参数。3 .增强型场效应管当其 Ugs =0时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时 存在 导 电沟道，而增强型 MOS管则 不存在 导电沟道。4 . MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。5 .场效应晶体管一般采用自偏压（或栅极偏压）和 分压式（或分压式 自偏压 两种偏置电路。*（选择题）*25 .场效应晶体管源极输出器类似于（B ）0A.共发射电路；B.共集

29、电极电路；C.共基极电路26 . （ D ）具有不同的低频小信号电路模型。A. NPN型管和PNP型管 B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N沟道场效应管和P沟道场效应管D.晶体管和场效应管27.当Ugs= 0时，（B ）管不可能工作在恒流区。A . JFET B ,增强型 MOS管C.耗尽型 MOS管 D. NMOS管28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B ）A . N 沟道 JFETB.增强型PMOS管 C.耗尽型NMOS管 D.耗尽型PMOS管29、场效应管是利用外加电压产生的_B_来控制漏极电流的大小的。A.电流 B.电场 C.电压30、场效应管是_C_器件。A.电压控制电压

30、 B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流31、结型场效应管利用栅源极间所加的_A 来改变导电沟道的电阻。A.增大B.不变C.减小A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流33、P沟道结型场效应管的夹断电压Up为_A _。A.正值B.负值C.UGSD.零34、N沟道结型场效应管的夹断电压Up为B。 A.正值B.负值C.零35、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压Up为A。A.正值B.负值C.零32、场效应管漏极电流由_ C 的漂移运动形成。A.少子 B.电子C.多子 D.两种载流子36.当场效应管的漏极直流电流 Id从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A= = = = 直流放大器

31、、差分放大电路= = = =1 .差分放大电路的输入电压 Ui1=1 V, Ui2=0.98 V,则它的差模输入电压 Uid= 0.02 V,共模输入电压 U* 0.99 V。2 .差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用,对 共模 输入信号具有很强的抑制作用,差 分放大电路的零点漂移很小 。3 .两级放大电路，第一级电压增益为40 dB ,第二级电压放大倍数为 10倍，则两级总电压放大倍数为1000倍，总电压增益为60 dB。4 .集成运算放大器输入级一般采用差分 放大电路,其作用是用来减小零点漂移 。5 .理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等,称为虚短；输入电流

32、近似为_0_,称为虚断。6 .集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。7 .电压负反馈稳定 输出电压、电流负反馈稳定 输出电流。使输入量减小的反馈是 负反馈。引入 直流负反馈 可以稳定静态工作点。负反馈越建，电路的性能越稳定。8 .同相比例运算放大电路是一个深度市电压串联负面|广电路;反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。9 .参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差摸信号，不能放大共模信号。10 .将交流电转换为直流电的过程称为整流。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为滤波。11 .单相整流电路

33、按其电路结构特点来分，有主也整流电路、全波一整流电路和 桥式.整流电路。12 .乙类互补对称功放由NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成、其主要优点是效率高 o1、静态时，让直接耦合放大器的输入端和输出端的工作电位为零电位，其工作电源往往采用正、负两组电源供电。直接耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会愈严重 。2 .所谓温度漂移是环境发生变化，如 电源电压 和 温度等因素的影响而引起漂移。为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级，均采用差动式放大电路。3 .差动式直流放大器的两种输入方式为差模输入 和 共模输入 。评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的 差模放大能力 和

34、共模抑制能力 。4 .单端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入端和输出端的接地状况是输入和输出端各有一端接典。在单端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输入端接地。在双端输入、单端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状况是只有一个输出端接地。在双端输入、双端输出的差动式直流放大器中，输入和输出端的接地状是输入和输出端都没有接地点。5 .在差动式直流放大器中， Re的作用是 通讨电流负反馈来抑制管子的零漂。Re对 共模信号 呈现很强的负反馈作用；而对差摸信号则无负反馈作用。6 .比例运算放大器的输出电压和输入电压之比为固定常数 。7 .当直接耦合放大器

35、的输入信号为零时，它的输出电压作缓慢的 和 不规则的 变化,这种现象称为零点漂移。零点漂移大体上可分为时间漂移和温度漂移两大类。8 .当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相反时、称为差模输入。当加在差动式直流放大器两个输入端的信号大小相等和相位相同时，称为共模输入。9 .在差动式直流放大器中，典型的共模输入信号来源于温度变化和电源电压波动。10 .在差动式直流放大器中，常用晶体三极管作恒流源来代替电阻R Eo11 .根据反馈的相位不同，可分为正反馈和负反馈两种，在放大器中主要采用 负反馈 ，正反馈主要用于振荡器。12 .所谓电压反馈是指 反馈电量的大小与输出的电压成正比。所谓电

36、流反馈是指反馈电量的大小与输出的电流成正比。* （选择题）*1 .直流放大器可放大（C）。A.直流信号，B.交流信号；C.从直流信号到一定的工作频率的信号2 .差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于（ A）oA.有效地抑制零点漂移；B.放大倍数增加；C.输入阻抗增加3 .差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于（ B ）。A.两个晶体三极管的放大倍数；B.两个晶体三极管的对称程度；C.各个晶体三极管的零点漂移4 .在典型的差动式直流放大器中，Re的作用是（B ）。A.对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性；B .对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力；C . A和b5

37、.在典型的差动放大器中，用恒流源代替Re的优点是（B ）。A.便于集成化；B.避免辅助电源及 Ee的电压数值取得太高；C.增加电压放大倍数6 .直接耦合放大器中，为了保证静态时输入端和输出端的工作电位为零电位，往往采用（C ）。A.正负两级电源供电；B.电位移动电路；C. A及B7 .在一个三级直接耦合放大器中，如各级的放大倍数均为10,各级自身的漂移输出均为0. 01V,即当输入电压为零时，输出端的漂移电压最大为（ C ）。A. 0.03V B. 0.11V C. 1.11V D、0.3V8 .造成直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是（ C ）。A.电源电压的变化；B.电阻、电容数

38、值的变化；C.半导体器件参数的变化9 .差动式直流放大器以比直接耦合放大器，以多用一个晶体三极管为代价，换取（ B ）。A.高的电压放大倍数；B.抑制零点漂移能力，C.电路形成对称1 .直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越A 。A、严重 B、轻微 C、和放大倍数无关。2 .电路的 Ad越大表示C , AC越大表示 A , K cmr越大表示BA、温漂越大B、抑制温漂能力越强C、对差模信号的放大能力越强3 .复合管组成的电路可以B 。A、展宽频带B、提高电流放大系数C、减小温漂D、改变管子类型4 .由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ,而等效的直流电阻B oA

39、、很大 B、很小 C、不太大 D、等于零5 .集成运放有B个输入端和 _A一个输出端。A、 1 B、 2 C、 36 .集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过UIcmax时，集成运放A oA、不能正常放大差模信号B、输入级放大管将击穿7、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都D。A.大B.小C.宽D.窄A.大 B.小 C.宽 D.窄A.大 B.小 C.宽 D.窄8、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越 B9、多级放大电路的级数愈多则高频附加相移_A.10 .某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为Ku,则总的电压放大倍数为（D ）。A.3Ku； B.Ku C. K

40、u2D.Ku3D.稳定11 .选用差分电路的原因是（A ）。 A.减小温漂 B .提高输入电阻C.减小失真放大倍数12 .差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的 （D ）增大。A.差模电压增益D.共模电压增益 C.差模输入电阻D.共模抑制比*13.功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高（B ）。A.输出功率B.放大器效率C.放大彳§数D.负载能力*14.由两管组成的复合管电路如图T3. 2所示，其中等效为PNP型的复合管是（A ）为（B ）WoA. 10B, 5C, 2.5 D. 1.2510.集成运算放大器构成的放大电路如图T3. 3所示，已知集成运算放大器最大输出电

41、压Uom=±10 V,ui = 5 V,则该放大电路的输出电压为 （C ）V。A. -5 B. 0 C. 5 D. 10=!算放大电路=11、现有电路：A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、积分运算电路D、微分运算电路， 根据下列要求，分别选择一个电路填入空内。（1）为了得到电压放大倍数为100的放大电路，应选用 B o （2）为了得到电压放大倍数为一 50的放大电路，应选用 A o 1、运算电路中一般均引入 负反馈。凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断” 的概念求解运算关系。12、本章习题中的集成运放均为理想运放。分别选择“反相”或“同相”填入下列各空内。（1）反相比例运

42、算电路中集成运放反相输入端为虚地,而 同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电 位等于输入电压。（2）同相比例运算电路的输入电阻大,而 反相 比例运算电路的输入电阻小。（3）同相 比例运算电路的输入电流等于零,而 反相 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电（4）同相比例运算电路的上匕例系数大于 1,而反相比例运算电路的比例系数小于零。13、（TT商相比例 运算电路可实现 Au>1而厌器。（2） 反相比例 运算电路可实现 Au<0的放 大器。（3）微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 （4）同相求和 运算电路可实现函数 Y=aX1 + bX2 + cX3, a、b和c

43、均大于零。（5）反相求和 运算电路可实现函数 Y =aX +bX2+CX3, a、b和c均小= = = =反馈= = = =1,将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负反馈，若使净输入增加，则引入的是 反馈。2 .反馈信号只含有直流量的，称为直流 反馈、反馈信号只含有交流量的，称为交流 反馈。3 .反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是电压 反馈，若反馈信号取自输出电流，则是 电流 反馈;在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是串联 反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是 并联 反馈。4 .负反馈虽然使放大电路的增益减小 ，但能使增益的 稳定 提高,通频带 展宽 ，非线性失真减小 。5 .电压负反馈能稳定输出电压 ,使输出电阻减小