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文档简介
1、会计学1CMOS门电路工作原理介绍门电路工作原理介绍2一、MOS管的开关特性 1. MOS管的结构和工作原理GSvDSviD当vDS 0,但 vGS= 0 时,D-S间不导通, iD= 0 。当vDS 0, 且vGS vGS(th) (MOS管的开启电压)时,栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。这个反型层构成了D-S间的导电沟道,有 iD流通。3共源接法输出特性曲线GS(th)V转移特性曲线4输出特性曲线GSGS(th)VV截止区漏极和源极之间没有导电沟道,iD0。漏极特性曲线分为三个工作区。可变电阻区当vGS一定时,iD与vDS之比近似等于一个常数,具有类似于线性电阻的性质。恒流区iD的大
2、小基本上由vGS决定,vDS的变化对iD的影响很小。5当 = 并继续升高, ,D-S间相当于一个闭合的开关。6CIGDSCIGDSRON7DDV1T2TIvOvSSVDiCMOS反相器的电路图当vI = VIL= 0时,T1导通,T2截止,输出为高电平VOH VDD 。当vI = VIH= VDD 时, T2导通,T1截止,输出为低电平VOL 0。 输入与输出之间为逻辑非的关系。CMOS反相器的静态功耗极小82. 电压传输特性12DDVVDDVDDO12DDVvIvOVGH(th)NVGH(th)PA BCDCMOS反相器的电压传输特性9CBAD12DDVDDVGS(th)NVGS(th)PV
3、IvDiO100IvONLVNLVNHVNHV4. 输入噪声容限11因为MOS管的栅极和衬底之间存在输入电容,绝缘介质又非常薄,极易被击穿,所以必须采取保护措施。DDV1T2TIvOvCC400系列的输入保护电路C1RSC2输入保护电路DDV1T2TIvOvC1RSC274HC系列的输入保护电路输入保护电路1274HC系列的OCC400系列的O132. 输出特性低电平输出特性当输出为低电平时,工作状态如下图所示。VDD=5V 10V15VIOLVOLOCMOS反相器的低电平输出特性DDV2TIHDDVVOLVD2iLROLI14高电平输出特性当输出为高电平时,工作状态如下图所示。VDD=5V1
4、5VIOHVOHOCMOS反相器的高电平输出特性10VVDD1T0ILVDDVOHVLROHI15在门电路的系列产品中,除反相器外常用的还有:与非门、或非门、与门、或门、与或非门、异或门等几种。16当A,B两个输入端全为“1”时,T1和T2都导通,T3和T4都截止,输出端为“0”。 当输入端有一个或全为“0”时,T1或T2(或都)截止,T3或T4 (或都)导通 ,输出端Y为“1” 。(1)CMOS与非门电路 ()YAB CMOS与非门ABT3T4T2T1YVDD缺点:1. 输入端的工作状态不同时影响电压传输特性。 2. 输出的高、低电平受输入端数目的影响。 3. 它的输出电阻受输入状态的影响。
5、17当A,B两个输入端全为“1”或 其中一个为“1”时,输出端为“0”。只有当输入端全为“0”时,输出端才为“1”。 (2)CMOS“或非”门电路 ()YAB BAVDDT3T4T2T1YCMOS或非门存在和与非门类似的问题。1819用途:输出缓冲/驱动器;输出电平的变换;满足大功率负载电流的需要;实现线与逻辑。()YAB RLVDD2CC40107VDD1ABVSSABYABYABRLVDDY2Y1G1G2线与逻辑符号线与连接方法RLVDDG1ABY2G2CDY1Y12YYY() ()()ABCDABCD()YAB 21CCDDV1T2T/IOvv/OIvvCC/IOvv/OIvvTG时,传
6、输门导通。1,0CC0,1CC时,传输门截止。22AYBTG1TG2AYBYAB23LOILTGRvvRRC/IOvv/OIvvTGCSW/IOvv/OIvvCSWIvOvLRC=0时开关截止。C=1时开关接通。模拟开关的导通内阻为RTG。24时,输出呈现高阻态。1EN 0EN 时,反相器正常工作。ENAYEN1T2TADDVY251EN1A1G2EN2A2GnENnAnG总线ENIDYOD/OIDD1G2G总线26为防止静电电压造成的损坏,应注意以下几点:1)在存储和运输CMOS器件时,不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装,最好采用金属屏蔽层作包装材料。2)组装、调试时,应使电烙铁和其他工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。3)不用的输入端不应悬空。27由于输入保护电路中的钳位二极管电流容量有限,所以在可能出现较大输入电流的场合,必须采取以下保护措施:1)输入端接低内阻信号源时,应在输入端与信号源之间串进保护电阻,保证输入保护电路中的二极管导通时电流不超过1mA。2)输入端接有大电容时,应在输入端和电容之间接入保护电阻。3)输入端接长线时,应在门电路的输入端接入保护电阻。283. CMOS电路锁定效应的防护锁定效应或称为可控硅效应,是CMOS电路中的一个特有问题。发生锁定效应以后往往会造成器件的永久
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