CMOS集成电路的图设计PPT课件

1、第第5章章 CMOS集成电集成电路的版图设计路的版图设计第1页/共58页主要内容 5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.2 版图设计规则 5.3 版图系统的设置 5.4 版图的建立 5.5 版图的编辑 5.6 棍棒图 5.7 版图设计方法概述第2页/共58页5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.1.1 单个MOS管的版图实现 1. MOS管的结构和布局 MOS管的四种布局图第3页/共58页 直线形排列的NMOS管 结构图 立体结构和俯视图 第4页/共58页 源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active），而有源区之外的区域定义为场区（Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。

2、Fox + Active = Surface 芯片表面包含有源区和场区两部分 N阱CMOS集成电路使用P型衬底，NMOS管直接制作在P型衬底上，PMOS管做在N阱内。 第5页/共58页 完整的MOS管版版图必须包含两个部分：a）由源、栅和漏组成的器件；b）衬底连接。(a)PMOS管 (b)NMOS管 完整的MOS管版图图形 第6页/共58页5.1.2 MOS管阵列的版图实现 1.MOS管串联 (1) 两个MOS管的串联。 N1的源、漏区为X和Y，N0的源、漏区为Y和Z。Y是它们的公共区域，如果把公共区域合并,得到图5.7(d)所示的两个MOS管串联连接的版图。 从电流的方向可以决定，当MOS管

3、串联时，它们的电极按S-D-S-D-S-D方式连接。(a) 电路图 (b) N1版图 (c) N0版图 (d) N1和N0串联版图 (2) 任意个MOS管串联。例如3个MOS管串联的版图。 (a)电路图 (b) 版图 第7页/共58页管并联(并联是指它们的源和源连接，漏和漏连接，各自的栅还是独立的。) (1)栅极水平放置，节点X和Y可用金属连线连接(图b)；也可用有源区连接(图c）。(a)电路图 (b)用金属连接节点 (c) 用有源区连接节点 (2)栅极竖直方向排列，节点连接既可用金属导线(图b)，也可用有源区进行连接(图c）。 (a)电路图 (b)用金属连接节点 (c) 用有源区连接节点 第

4、8页/共58页 (3)三个或三个以上MOS管并联。 全部用金属进行源的连接和漏的连接(图a）,称为叉指形结构; 分别用金属和有源区进行源和漏的并联连接; 金属连接和有源区连接联合使用(图b）。(a)源和漏的并联都用金属连接（叉指型） (b)分别用有源区和金属进行并联连接 管的复联 复联是MOS管先串后并和先并后串的连接。 (a) 电路图 (b) 版图 第9页/共58页5.2 版图设计规则 设计规则是由几何限制条件和电学限制条件共同确定的版图设计的几何规定，这些规定是以掩膜版各层几何图形的宽度、间距及重叠量等最小容许值的形式出现的。 版图设计规则一般都包含以下四种规则： (1) 最小宽度 例如，

5、金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小宽度。 (2)最小间距 例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小间距。 (3)最小包围 例如，N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量;多晶硅、有源区和金属对接触孔四周要保持一定的覆盖。第10页/共58页(4)最小延伸 例如，多晶栅极须延伸到有源区外一定长度。 第11页/共58页5.3 版图系统的设置建立版图库 1. 建立新库步骤 (1) 从CIW进入库管理器，选命令ToolsLibrary Manager。进入库管理器 (2) 在库管理器中选命令FileNewLibrary，出现新库对话框。 选建立新库命令 第12页/共58页 新库对话

6、框 第13页/共58页(3) 在Name 文本区输入新库名(例如mylib)。点击OK按钮，出现新库技术文件对话框，新库mylib的技术文件有三种选项。对新库的技术文件有三个选项 第14页/共58页(4) 方法1：选“compile a new techfile”，点击OK按钮，出现Load Technology File对话框。在框中ASCII Technology File的文本区输入技术文件名(如csmc.tf)，按OK按钮结束，出现对话框报告加载技术文件成功，新库已建立。在ASCII Technology File区输入技术文件名 报告技术文件加载成功 第15页/共58页 (5) 方法

7、2：选“Attach to an existing techfile”,出现Attach Design Library to Technology File对话框。在Technology Library文本区下拉菜单中选择技术库，例如csmc15tech,按OK按钮即完成建库。 若新库名为abcd,建库完成后在CIW中显示： Design Libraryabcdsuccessfully attached to technology Library csms15tech新库abcd已成功建立。从库管理器建立新库的另一种方法 第16页/共58页(6) 建立新文件:在库管理器,选命令FileNewC

8、ell view。在Create New File框内输入库名和单元名(inv)后，先将tool选为virtuoso，在View Name的文本区会自动生成Layout，点击Ok按钮，将同时出现版图编辑窗（virtuoso Layout Editing）和层选择窗（LSW：Layer Select window）。建立新文件 第17页/共58页同时出现版图编辑窗和层选择窗(LSW) 第18页/共58页5.3.2 层选择窗(LSW)的设置1. 对LSW的说明层选择窗 (LSW ) Current drawing or entry layerEdit menuTechnology fileInst

9、 buttonPin buttonAV and NV buttonsAS and NS buttonsScroll barLayers第19页/共58页1) Edit（编辑）是个下拉式命令菜单，有六个子菜单2) 层符号分三部分， 左表示层的颜色及图案； 中为层名； 右表示层的用途。层的颜色及图案层名层的用途第20页/共58页 3) Inst设置Instance为可选或不可选。 4) Pin设置布线工具。 5)Technology file技术文件名。 6) AV和NV按钮 AV设置各层都可视（图a)； 除输入层外，NV设置其余各层不可视(层符号变灰)（图b）； 击鼠标中键使各层在可视和不可视间

10、转换（图c）； 层原为可视，点击中键变为不可视，再点击又恢复可视（图d)； 鼠标左键点击原不可视的层就变为可视，且成为输入层（图e）。 (a)(e)(d)(c)(b)7) AS和NS设置各层的选择性(后面介绍)。第21页/共58页2. 对LSW的设置(1) 设置层符号。 在LSW中，选择EditSet Valid LayersSet Valid Layer对话框。 Set Valid Layer对话框 第22页/共58页 点击层符号右边的选择开关，开关变黑，本层被选。 点击Apply按钮，层符号出现在LSW中。 点击LSW的EditSave，Save对话框。 按Ok存盘。第23页/共58页(2

11、) 设置层符号的颜色和图案 在LSW中，选EditDisplay Resource Editor，“Display Resource Editor”对话框。Display Resource Editor对话框 设置层的填充类型（Fill sytle）、填充颜色（Fill color）、外框颜色（Outline Color）、点画（Stipple）和线型（line sytle）。 按Apply按钮。 选FileSave，“Save Display Resource File”框。 在Files区点击左键，/root/display.drf, 左键点击，使它进入Selection的文本框，点击Ok

12、关闭。 对话框报告文件已经存在，按Yes键。第24页/共58页建立显示文件 按Yes键得到新的显示文件 第25页/共58页5.3.3 版图编辑窗的设置版图编辑窗 第26页/共58页 1. 图标栏（Icon Menu) 图标栏包含的命令 第27页/共58页2. 状态栏（Status Banner) 位于版图编辑窗的第二行。3. 菜单栏（Menu Banner)位于版图编辑窗第三行。 4. 启动命令和取消命令的方法 (1) 启动命令 从版图窗的菜单栏选命令。 点击版图窗的图标。 用快捷键。 (2) 取消命令 按Esc键。 点击对话框中的Cancel。 (3) 命令的对话框 有两种对话框： 1) 标

13、准框。启动命令时自动出现。2) 选项框。 第28页/共58页3) 显示对话框的方法： 若菜单命令后有三点，标准框会自动出现； 使用命令时双击中键或按F3键。Move的选项对话框 第29页/共58页5.3.4 使用Option菜单进行版图编辑窗设置 1. 显示命令 选命令OptionDisplaye，“Display Options”对话框 。 (1) Display ControlsDisplay Options 对话框 第30页/共58页 (2) Grid Controls 4个参数的缺省设置为1、5、0.5和0.5。对于1m或者亚微米的设计规则，可设置为0.1、0.5、0.01和0.01。

14、第31页/共58页 (3) Snap Modes 在下拉菜单中包含了各种选项。Creat的模式 Edit的模式 第32页/共58页 2. 编辑器选项 选命令Optionlayout EditorE,“layout Editor Options”对话框 。可以设置Gravity Controls（引力控制）、Conic sides（圆环边数)等。layout Editor Options 对话框 第33页/共58页5.4 版图的建立(1) 鼠标左键单击LSW的层符号即为输入层。(2) 使用命令Edit Layout Tapt。光标点击目标图形，目标图形所在层就变为输入层。 刚打开的版图窗，坐标原

15、点在屏幕中央。 （1）选命令windowPanTab，版图窗和CIW都显示： Point at center of the desired display：（希望显示的中点）用鼠标左键点击屏幕右上角某一点，该点立即移到屏幕中心，第一象限成为画图区。 （2）用键盘上方向键实现坐标轴移动。第34页/共58页建立几何图形 1. 矩形（Rectangle） 1）建立矩形命令：CreateRectangle。 2）选输入层。 3）画矩形。 (a) 点击左键 (b) 移动鼠标 (c) 点击左键建立矩形 (d) 完成的矩形 4）按Esc键停止画矩形命令。2. 多边形（polygon） （1）方法1 建立多边

16、形命令：Createpolygon。 选输入层。 画多边形。 (a) 点击第一点 (b) 继续点击 (c) 双击或按Enter键使多边形封闭 (d) 完成的多边形第35页/共58页（2）方法2 （a）矩形拼接或重叠形成多边形 （b）合并后的多边形 (3）加圆弧 命令Createpolygon把多边形某一边画成圆弧。 双击鼠标中键或按F3键，出reate Polygon选项框。 在框中点击Create Arc按钮。 在多边形中画圆弧。(a) 点击起点 (b) 点击终点 (c) 移动光标可看到圆弧 (d) 点击建立圆弧 第36页/共58页(3) 等宽线 (path) 建立等宽线命令Createpa

17、th。 在LSW中点击输入层。 双击鼠标中键或按F3键Create path 对话框。 Create path 对话框 设置线宽度。 画等宽线。(a) 每次点击建立另一段，终占双击 (b) 完成的等宽线 第37页/共58页 4. 圆锥曲线 （1）圆（circle) 命令：Createconicscircle(a) 点击圆心 (b) 移动鼠标 (c) 在圆周上点击画圆 (d) 完成的圆 （2）椭圆（Ellipse）命令：CreateconicsEllipse(a) 点击边框第一角顶点 (b) 移动鼠标 (c) 点击边框对角顶点 (d) 完成的椭圆（3）圆环（Donut）命令：Createconi

18、csDonut (a) 点击圆心 (b) 点击内圆周 (c) 点击外圆周 (d) 完成的圆环 第38页/共58页5. 复制(Copy)命令：Editcopy，或者选取Copy图标。 6. 其它命令 (1）合并命令EditMergeM 选中图形（图形高亮度），执行合并命令。第39页/共58页(2)切割命令 EditOtherChopC例题：设计CMOS反相器版图（用设计规则）画版图步骤：(1)画P管有源区，如图(a）。(2) 画多晶硅栅极：用矩形；用等宽线(path) 。 格点设置为每格。(a) 有源区矩形 (b) 用矩形画多晶栅极 (c) 用等宽线画多晶栅极 画P管有源区和多晶栅极 第40页/

19、共58页(3) 画源和漏区的接触孔。 在源区画一个接触孔，孔至多晶栅距离为，如图(a)。 拷贝其余的接触孔（图(b)）。 将源区3个接触孔一次全部拷贝到漏区，漏区接触孔至多晶栅间距为。 (a) 先画一个尺寸和位置都正确的孔 (b) 拷贝生成其它的孔 画接触孔 第41页/共58页 MOS管宽度(W)和长度(L)的决定：在设计规则中，若已知W/L比值，则。画一个接触孔时有源区的宽度，画二个接触孔时宽度，；有源区矩形的最小长度。 当有源区宽度（为2m）时，沟道区宽度不变，增大源区和漏区宽度能画一个接触孔。小宽长比MOS管的画法 第42页/共58页有源区覆盖接触孔，按Ctrl+z键将图形放大，使格点间

20、距显示为，容易画的覆盖。 (4) 在有源区外画P+注入矩形，最小包围为1m。 (5) 画N阱，它对有源区的最小包围为2m。完成的P管如图(a)。第43页/共58页 (6) 用拷贝方法画N管：画选择框把P管的P+注入、有源区和接触孔图形都选中，竖直下拉至合适位置（有源区与N阱相距）。 修改： 选N管的，在它的源漏区分别去除一个接触孔： 向上移动有源区和P+注入层矩形的下边，使有源区覆盖接触孔； 把P+注入层改为N+注入； 多晶栅极向下延伸至N管有源区外至少。(a) 画P+注入和N阱 (b) 拷贝生成NMOS管 (c) 对拷贝图形作修改 画CMOS反相器过程 第44页/共58页 (7) 连线。用M

21、etal1层连接P管和N管的漏极作为反相器的输出，且用Metal1画电源线，如图(a)。 (8) 画一条Metal1线将P管源区的接触孔和电源线连接，如图(b)。 (9) 将电源金属线拷贝到N管下方作为地线，再画一根竖直的金属线将N管源区的接触孔和金属地线连接，如图(c)。 (10) 画衬底接触： 拷贝几个接触孔并旋转90，放到电源金属线下。 画有源区矩形将上述接触孔包围。 在有源区外画N+注入框。 把N阱的上边拉到这个接触区上方，使N阱包围N+有源区(图(d)。 (11) P型衬底和地线的接触： 将N阱接触的N+注入、有源区和接触孔拷贝到地线金属层图形下。 把拷贝的N+注入层改为P+注入层，

22、如图(e)。 (12)加一段多晶和多晶栅极连接，作为反相器的输入；加一段金属和输出金属线连接，作为反相器的输出导线，如图(f)。 (13）将线名标注到图中，并且把各层图形中由矩形组成的多边形进行合并。 完成后如图(g)。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) 画CMOS反相器过程（续） 第45页/共58页5.5 版图的编辑5.5.1 设置层的可视性1. 显示一层 有二种方法: 1) 显示层设置为输入层， 鼠标点击LSW上NV按钮，选命令windowRedrawr。 2) 按shift键，鼠标中键点击LSW中的显示层，选命令windowRedrawr。 2. 增加显示层 鼠标左

23、键点击LSW中增加的显示层，按快捷键r。 连续点击LSW的层，可以不断增加显示层。 3. 显示所有的层 点击LSW的AV按钮，再按快捷键r。 4. 减少显示层 鼠标中键点击LSW中要减少的层符号，再按快捷键r。（被减少的显示层不能为输入层）。 连续使用可以不断减少显示层。第46页/共58页5.5.2 测量距离或长度 1. 用直尺测量 1）命令windowCreate Rulerk对话框。在测量起点按鼠标左键，显示0。移动光标至终点按左键，测量数据在终点上方。Create Ruler 对话框 2）选命令windowClear All RulerK，消除显示的全部测量数据。2. 状态栏显示坐标及距

24、离第47页/共58页5.5.3 图形显示 1. 显示单元版图的全貌 命令WindowFit Allf。 2. 返回前面的图形 命令windowUtilitiesPrevious Vieww。 3. 图形的放大和缩小 1）命令WindowzoomInz,图形全屏显示。 2）命令WindowzoomIn by 2z，图形放大2倍。 3）命令WindowzoomOut by 2z，图形缩小1半。 4. 用鼠标放大和缩小图形 1）放大图形：按右键并拖动画矩形框，框内图形全屏幕显示。 2）缩小图形：按shift键不放，同时按右键并拖动鼠标画任意的矩形，图形缩小到与矩形同样大小。 5. 使用键盘的光标移动

25、键 显示图形的不同部分，显示需要编辑的区域。5.5.4 选择目标 LSW有NS和AS两个选择按钮（版图层不可选和可选）。选择包括全选（full）和部分选（partial）两种方式，显示在版图窗的状态栏： Full方式 Partial方式 用F4键切换两种选择方式。 第48页/共58页 1. 图形可选（即选LSW中的AS）的选择 (1) 用鼠标选择目标 1) 移到光标到目标图形上，图形边框变为动态高亮度。 2) 左键点击目标，图形边框变为高亮度；在全选方式，目标边框全部高亮度。 3) 按快捷键d消除选择，或左键在图形外空白区点击一次，图形去除选择。 4) 选择一个目标后，再选第二个目标，前一个目

26、标就不再选中。 5) 增加选择目标，按住shift键，并用左键点击新目标，可连续选多个目标。 6) 减少选择目标：按住Ctrl键，并用左键点击要减去的目标。 (2) 使用选择框选择目标 1)选择集中的多个目标，用鼠标左键画矩形框包围目标。 2)被选择目标数显示在（F）select：的冒号后。 2. 部分选择(p) select：0选择目标的边、角和整个图形。 3. 使用LSW设置层的可选性 1) 点击LSW的AS按钮，层符号全部可选（图a） 2) 点击NS，层符号全部不可选(层符号的中间和右边变灰)（图b) 3) 点击鼠标右键使各层在可选和不可选间转换：原为可选，点击一次变为不可选，再点击又恢复为可选 (图c：右键点击了一个层符号)。 4)原为不可选，右键点击一次变为可选，再点击又恢复为不可选 (图d：右键点击了二个层符号）。第49页/共58页(a) (b) (c) (d)第50页/共58页5.5.5 改变图形的层次三种方法： 1) 消除原图，在新层重画相同的图。 2) 用拷贝实现图形层次的改变。 3) 用属性改变图形所属的层。 选中图形，图形高亮度； 按q键：图形是矩形Edit Rectangle Properties框； 图形是多边形Edit polygon Propert