MOSFET参数及其测试方法

1、参数类别(物理特征)：1 、漏源电压系列、V(BR)DSS:漏源击穿电压、 dV(BR)DSS/dTJ ：漏源击穿电压的温度系数、VSD二极管正向(源漏)电压、 dV/dt ：二极管恢复电压上升速率2、栅源电压系列、VGS(TH):开启电压、 dVGS(TH)/dTJ ：开启电压的温度系数、V(BR)GSS漏源短路时栅源击穿电压、VGSR反向栅源电压3、其它电压系列、Vn：噪声电压、VGD栅漏电压、Vsu：源衬底电压、Vdu：漏衬底电压、Vgu：栅衬底电压二、电流类参数1 、漏源电流系列、ID:最大DS电流、IDM:最大单脉冲 DS电流、 IAR ：最大雪崩电流、 IS ：最大连续续流电流、I

2、SM:最大单脉冲续流电流、IDSS:漏源漏电流2、栅极电流系列、IGSS:栅极驱动(漏)电流、IGM:栅极脉冲电流、IGP:栅极峰值电流三电荷类参数1、Qg:栅极总充电电量2、Qgs：栅源充电电量3、Qgd:栅漏充电电量4 Qrr ：反向恢复充电电量5Ciss ：输入电容=Cgs+Cgd6、Coss：输出电容=Cds+Cgd7Crss ：反向传输电容=Cgd四时间类参数1 tr ：漏源电流上升时间2 tf ：漏源电流下降时间3 td-on ：漏源导通延时时间4 td-off ：漏源关断延时时间5 trr ：反向恢复时间五能量类参数6 、PD最大耗散功率7 dPD/dTJ ：最大耗散功率温度系数

3、8 、EAR重复雪崩能量9 、EAS单脉冲雪崩能量六温度类参数10 RJC:结到封装的热阻11 RCS封装到散热片的热阻12 RJA结到环境的热阻13 dV(BR)DSS/dTJ:漏源击穿电压的温度系数5 dVGS(TH)/dTJ ：开启电压的温度系数七等效参数1、RDSON导通电阻2 Gfs ：跨导 =dID/dVGS3、LD:漏极引线电感4、LS:源极引线电感参数详解、V (BR DSS漏源击穿电压(也称 BVDSS VDSS定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的 漏源电压为雪崩击穿电压。属性：V(BR)DSS是正温度系数，温度高时，漏源击

4、穿电压比温度低时要大。通常以25c时的漏源击穿电压为标称电压。实际击穿电压通常略大于标称电压。测试线路：测试方法：1、按规范选取 VCC2直、设定栅极连接方式、连接测量仪表、调整 ID。2、室温下夹取被测管放入测试座，监控 ID,读取VDSS3、连续调节ID,并同步记录 VDSS即可测得VDSS_ID特性曲线。、dV(BR)DSS/dTJ :漏源击穿电压的温度系数、VSD二极管正向(源漏)电压、dV/dt :二极管恢复电压上升速率、VGS (TH):开启电压(又称 VTH定义：所加的栅源电压能使流过漏极电流达到一个特定值时的电压值。属性：VGS(TH)是负温度系数，这就意味着当温度上升时，功率

5、管会在更低的栅源电压下开启。 测试线路路与测试方法参考VDSSKU试。、dVGS(TH)/dTJ :开启电压的温度系数、V(BR)GSS漏源短路时栅源击穿电压、VGSR反向栅源电压、Vn：噪声电压、VGD栅漏电压、Vsu：源衬底电压、Vdu：漏衬底电压、Vgu：栅衬底电压、ID:最大DS电流、IDM:最大单脉冲 DS电流、 IAR ：最大雪崩电流、 IS ：最大连续续流电流、ISM:最大单脉冲续流电流、IDSS:漏源漏电流、IGSS:栅极驱动(漏)电流、IGM:栅极脉冲电流、IGP:栅极峰值电流、IGDQ源极开路时的截止栅电流、IGSQ漏极开路时的截止栅电流、Qg:栅极总充电电量、Qgs：栅源充电电量、Qgd:栅漏充电电量、 Qrr ：反向恢复充电电量、 Ciss ：输入电容=Cgs+Cgd、Coss：输出电容=Cds+Cgd、 Crss ：反向传输电容=Cgd、 tr ：漏源电流上升时间、 tf ：漏源电流下降时间、 td-on ：漏源导通延时时间、 td-off ：漏源关断延时时间、 trr ：反向恢复时间、PD：最大耗散功率、 dPD/dTJ ：最大耗散功率温度系数、EAR重复雪崩能量、EAS:单脉冲雪崩能量、RJC:结到封装的热阻、RCS封装到散热片的热阻、RJA:结到环境的热阻、 dV(BR)DS