放大电路详解PPT

1、电子技术电子技术 下一章下一章 上一章上一章 返回主页返回主页 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系2BEC基本结构基本结构PNP型：型：NPN型型：N P N基极基极 基区基区 集电极集电极 集电区集电区 集电结集电结 发射极发射极 发射区发射区 发射结发射结 N P N P N P基极基极 基区基区 集电极集电极 集电区集电区 集电结集电结 发射极发射极 发射区发射区 发射结发射结 P N P CBE结构示意图和图形符号结构示意图和图形符号大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系3条件条件: 发射结正偏发射结正偏, 集电结反偏。集电结反偏。 发射区发射载流子发射区发射载流子 形

2、成电流形成电流IE 少部分在基区被复合少部分在基区被复合 形成形成IB 大部分被集电区收集大部分被集电区收集 形成形成IC 1放大状态放大状态电流的形成电流的形成NPNB E CRCUCC UBB RB晶体管中载流子的运动过程晶体管中载流子的运动过程IEICIB大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系4 电流的关系电流的关系 IE= IB +IC 当当 IB = 0 时，时， 直流直流 (静态静态) 电流放大系数电流放大系数 交流交流 (动态动态) 电流放大系数电流放大系数 IC IBICICEO IB = IC IB= UCE =常数常数 IC IB IC = ICEONPNB E CR

3、CUCC UBB RBIEICIB电路图电路图大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系5IB 微小的变化，会产生微小的变化，会产生 IC 很大的变化。很大的变化。IC =IB 。0UCEUCC ， UCE = UCCRC IC 。晶体管相当于通路。晶体管相当于通路。 特点特点大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系6特点：特点： IB,IC 基本不变。基本不变。 ICUCC / RC 。 UCE0 。 晶体管相当于短路。晶体管相当于短路。条件条件: 发射结正偏发射结正偏, 集电结正偏。集电结正偏。 IB,IC UCE = (UCCRC IC) ICM = UCC / RC 2. 饱和状

4、态饱和状态电路图电路图NPNB E CRCUCC UBB RBIEICIBCERCUCC 饱和状态时的晶体管饱和状态时的晶体管大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系7特点：特点： IB= 0 IC= 0 UCE= UCC 晶体管相当于开路。晶体管相当于开路。3. 截止状态截止状态条件条件: 发射结反偏发射结反偏, 集电结反偏。集电结反偏。电路图电路图CERCUCC 截止状态时的晶体管截止状态时的晶体管NPNB E CRCUCC UBB RBIEICIB大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系8晶体管处于放大状态。晶体管处于放大状态。 (2) 开关开关 S 合向合向 b 时时 例例9.

5、1.1 图示电路，晶体管的图示电路，晶体管的 = 100，求开关，求开关 S 合向合向 a、b、c 时的时的 IB、IC 和和 UCE，并指出晶体管的工作，并指出晶体管的工作 状态（忽略状态（忽略 UBE ）。）。解解 (1) 开关开关 S 合向合向 a 时时 UBB1 RB1 5 500103 IB = = A = 0.01 mAIC = IB = 1000.01 mA = 1 mA UCE = UCCRCIC = (1551031103) V = 10 VUCC = 15 V UBB1 = 5 V UBB2 = 1.5 VRB1 = 500 k RB2 = 50 k RC = 5 k UB

6、B1 S BCERCUCC RB1 UBB2 RB2 a b c 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系9 UCE = 0 V 晶体管处于饱和状态。因为若晶体管处于饱和状态。因为若 IC = IB = 1000.1mA = 10 mA UCE = UCCRCIC = V =35 V UCE0，这是不可能的，即不可能处于放大状态。，这是不可能的，即不可能处于放大状态。 (3) 开关开关 S 合向合向 c 时时 IB = 0，IC = 0，UCE = UCC = 15 V 晶体管处于截止状态。晶体管处于截止状态。 UCC RC = 3 mA UCC RC15 51

7、03 IC = = A = 3 mA UBB1 S BCERCUCC RB1 UBB2 RB2 a b c UBB1 RB2 5 50103 IB = = A = 0.1 mA 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系10 IB= f (UBE) UCE=常数常数 UCE1V25 UCE1V7580604020UBE / VIB/ AO0.4 0.8 硅管：硅管：UBE 0.7 V 锗管：锗管：UBE 0.3 ViC uCE uBE iBBEC输入特性输入特性工作方式工作方式大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系11 IC= f (UCE) IB = 常数常数 放放 大大 区区IC/

8、 mA43213 6 9UCE/VO IB = 0 20 A 40 A 60 A 80 A 100 A 饱和区饱和区截止区截止区输出特性输出特性iC uCE uBE iBBEC工作方式工作方式大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系12 动态电流放大系数动态电流放大系数 2.穿透电流穿透电流 ICEO3.集电极最大允许电流集电极最大允许电流 ICM4.集电极最大耗散功率集电极最大耗散功率 PCM PC = UCE IC5.反向击穿电压反向击穿电压 U(BR) CEO静态电流放大系数静态电流放大系数 四、主要参数四、主要参数1.电流放大系数电流放大系数43213 6 9 ICUCE O 放放

9、 大大 区区截止区截止区饱饱和和区区过过 损损 耗耗 区区 安安 全全 工工 作作 区区 U(BR)CEO ICM PCM功耗曲线功耗曲线大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系139.2 放大电路的工作原理放大电路的工作原理BCERBRCUCCUBBUCCBCERBRC两个电源的放大电路两个电源的放大电路一个电源的放大电路一个电源的放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系14RBRC+ UCC uo ui C1C2RBRC- UCC uo ui C1C2NPN 管放大电路管放大电路PNP 管放大电路管放大电路放大电路的简化画法：放大电路的简化画法：大连理工大学电气工程系大连理

10、工大学电气工程系15iB uBE ui = 0，直流电源单独作用。，直流电源单独作用。 输入信号输入信号 ui， Oui t iC uCE 输出信号输出信号 uo= uce = RC ic RBRC+ UCC uo ui C1C2O t ui t uo O t UBEOIB tO t UCEO t ICO t uoO信号的放大过程信号的放大过程大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系16 在输入特性曲线上在输入特性曲线上IC IBUBE QUCEUCCUCC RC 已知已知 IB , 可确定可确定 Q 点点, 可知可知 UBE 。 在输出特性曲线上在输出特性曲线上 已知已知 IB , 可确

11、定可确定 Q 点，点， 可知可知 IC , UCE 。 UBE IBOUCEICO输输入入特特性性输输出出特特性性Q大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系17RBRC+ UCC uo ui C1C2直流通路的做法：直流通路的做法：(1) 信号源中的电动势短路；信号源中的电动势短路； (2) 电容开路。电容开路。IBRB + + UBE = UCC IC =IBUCE = UCCRCIC UCCUBE RBIB = IB RBRC+ UCCUBE直流通路直流通路放大电路放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系18例例 9.3.1 在如图所示的固定偏置放大电路中，已在如图所示的固

12、定偏置放大电路中，已知知 UCC = 6 V， RB = 180 k， RC = 2 k, = 50，晶体，晶体管为硅管。试求放大电路的静态工作点。管为硅管。试求放大电路的静态工作点。RBRC+ UCC uo ui C1C2 解解 IC = IBUCE = UCCRC IC UCCUBE RBIB = 60.7 180= mA = 0.029 4 mA = 500.029 4 mA = 1.47 mA= (621.47 ) V =3.06 V 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系191. 当当 IB 太小，太小，Q 点很低，引起后半周截止失真。点很低，引起后半周截止失真。2. 当当 I

13、B 太大，太大，Q 点很高，引起前半周饱和失真。点很高，引起前半周饱和失真。 截止失真和饱和失真统称为非线形失真。截止失真和饱和失真统称为非线形失真。 UCEuCEO t IBiBO t ICiCO t UCEuCEO t ICiCO t IBiBO t uOO t uOO t 截截止止失失真真饱饱和和失失真真大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系20其分贝值其分贝值: | Au | (dB) = 20lg | Au | 定义：定义： Uo UiAu = Uo UiAu =Uo Ui 绝对值绝对值: | Au | = Uom Uim=当输入信号为正弦交流信号时当输入信号为正弦交流信号时,

14、 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系21在放大电路中在放大电路中: : 定义：定义： Ui Ii ri = Ui Ii ri =当输入信号为正弦交流信号时当输入信号为正弦交流信号时 ri RSri Ui = Us Us RSri Ii = Ui +_UsIiRS放放大大电电路路ri放大电路放大电路信号源信号源输入电阻输入电阻大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系22 ri 大大 Ui 大大 Uo 大；大； ri 大大 Ii 小小 可减轻信号源的负担；可减轻信号源的负担； ri RSri Ui = Us Us RSri Ii = ri 越大越好，越大越好， ri RS 。可见：可

15、见： Ui +_UsIiRS放放大大电电路路ri输入电阻输入电阻大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系23UOC ISC ro = UOC ISC ro =当输入信号为正弦交流信号时：当输入信号为正弦交流信号时： 定义：定义： 其中其中: : Ues= = UOC = = A0Ui RL RLroUoL = UOC RL RLro| Au | = | A0 | Uo +_UesIoro RL放大电路放大电路负载负载 输出电阻输出电阻大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系24 若若 ro 小，带载能力强；反之带载能力差。小，带载能力强；反之带载能力差。 RL RLroUoL = UO

16、C RL RLro| Au | = | A0| 可见：可见： ro 越小越好，越小越好，ro RL。 Uo +_UesIoro RL大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系25 幅频特性幅频特性: |Au| f 270o180o 90oO f 相频特性相频特性: f |Am| f O|Au|f1f2 通频带通频带0.707|Am|大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系26解解 (1) ri RSri Ui = Us 9103 (19)103 = 10 mV = 9 mV UOC = | A0 | Ui = 1009 10 - -3 V = 0.9 V = 900 mV 例例 9.4.

17、1 某放大电路的空载电压放大倍数某放大电路的空载电压放大倍数 | A0 | = 100，输入电阻，输入电阻 ri = 9 k ，输出电阻，输出电阻 ro = 1 k ，试问，试问: (1) 输入端接到输入端接到 Us = 10 mV，RS = 1 k 的信号源上，的信号源上，开路电压开路电压 UOC 应等于多少？应等于多少？(2) 输出端再接上输出端再接上 RL= 9 k 的负载电阻时，负载上的电压的负载电阻时，负载上的电压 UoL 应等于多少？这时电应等于多少？这时电压放大倍数压放大倍数 | Au | 是多少？是多少？大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系27 RL RLro | Au

18、 | = | A0 | (2) = 810 mV = 0.81 V RL RLroUoL = UOC 9103 (19)103 = 900 10 - -3 V 9103 (19)103 = 100= 90 Uo Ui或或 | Au | = 810 9= 90大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系28 输入端电压和电流的关系输入端电压和电流的关系 UBE IB 为一个常数。为一个常数。 IB IB UBE 称为晶体管的输入电阻。称为晶体管的输入电阻。rbe =iBuBEOQiC uCE uBE iBBEC电路图电路图输入特性输入特性大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系29 晶体管从

19、输入端看，可以用一个等效的动态电晶体管从输入端看，可以用一个等效的动态电 阻阻 rbe代替。代替。 rbe 可以估算：可以估算：rbe = 200 + 26 ICiC uCE uBE iBBEC be BErbe Ib 电路图电路图输入端口等效电路输入端口等效电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系30 ce CIcE Ib端电压和电流的关系端电压和电流的关系 在放大区在放大区: IC=IB 从输出端看，可以用一个从输出端看，可以用一个 受控电流源代替。受控电流源代替。iC uCE uBE iBBEC be BErbe Ib ce CIc Ib晶体管的小信号模型晶体管的小信号模型共射接

20、法共射接法共集接法共集接法共基接法共基接法CE IbIcBIbrbeCE IbIcBIbrbe电路图电路图大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系31IiIbIcIoRBRC Uo Ui RBRC+ UCC uo ui C1C2+_UsRsRL 作法作法: C 短路，短路，UCC 短路。短路。 IbIc IiUo Ui BrbeCRBRCEIo Ib放大电路放大电路交流通路交流通路微变等效电路微变等效电路B EC大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系32Au = = Uo Ui其中：其中：RL= RCRL Ic (RC RL)Ib rbe = = RL rbe = = ri Ui I

21、i = = Ii (RBrbe ) Ii = = = = RB rbe rbe UOC ISC ro = =Ic RC Ic = = = = RC +_UsRsRL IbIc IiUo Ui BrbeCRBRCEIo Ib微变等效电路微变等效电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系33 例例9.4.2 求求例例9.3.1放大电路的空载电压放大倍放大电路的空载电压放大倍数、输入电阻数、输入电阻 和输出电阻和输出电阻 。(1) 空载电压放大倍数空载电压放大倍数解解26 ICrbe = 200 + = (200 + 50 ) 261.47= 1 084 Ao =RC rbe= 502 1.0

22、84=92.25 ri = RB rbe(2) 输入电阻输入电阻 = k 1801.0841801.084= 1.078 k (3) 输出电阻输出电阻 ro = RC = 2 k RBRC+ UCC uo ui C1C2大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系349.5 双极型晶体管基本放大电路双极型晶体管基本放大电路 (1)增加一个偏流电阻增加一个偏流电阻 RB2， 可以固定基极电位。可以固定基极电位。 只要满足只要满足: I2 IB RB2 RB1RB2 UB = UCC 选择参数时，一般取选择参数时，一般取 I2(510) IB。 RB1RC+ UCC uo ui C1C2RB2RE

23、CE共射放大电路共射放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系35(2) 增加发射极电阻增加发射极电阻 RE， 可以稳定可以稳定 IC。 只要满足只要满足 UB UBE UBREUEREIE = IC = 1 IE 选择参数时选择参数时, ,一般取一般取 UB(510)UBE。 T ICEO IE URE IC IC UBE (3) 增加增加 CE , 避免避免 Au下降。下降。 RB1RC+ UCC uo ui C1C2RB2RECE共射放大电路共射放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系36RB1RC+ UCC uo ui C1C2RB2RECE画直流通路画直流通路

24、RB1RC+ UCCRB2RE UBUBE REIE = = IB = = 1 1 IE IC = = IB UCE = = UCCRC ICRE IE UCC(RCRE) IC RB2 RB1RB2 UB = = UCC 共射放大电路的直流通路共射放大电路的直流通路共射放大电路共射放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系37RB1RC+ UCC uo ui C1C2RB2RECE+_USRSRL IiIbIcIoRB2RC Uo Ui IeRB1BEC Ib IiIcIoBrbeC IbRB1RCEUo Ui RB2共射放大电路的交流通路共射放大电路的交流通路 共射放大电路共射放

25、大电路共射放大电路的微变等效电路共射放大电路的微变等效电路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系38 Au = = Uo Ui其中：其中：RL= RCRL Ic (RCRL)Ib rbe = = RL rbe= = ri Ui Ii = =Ii (RB1RB2rbe ) Ii = = = = RB1RB2rbe rbe UOC ISC ro = =IcRC Ic = = = = RC +_USRSRL Ib IiIcIoBrbeC IbRB1RCEUo Ui RB2共射放大电路的微变等效电路共射放大电路的微变等效电路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系39RB+ UCC uO

26、 ui C1C2RERB+ UCCRERBIBUBERE (1 ) IB = = UCCIC = = IB UCE = = UCCREIE = =UCCRE (1 ) IB UCCUBERB + + (1 ) RE IB = = 共集放大电路共集放大电路共集放大电路的直流通路共集放大电路的直流通路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系40 uo RB+ UCC ui C1C2RERE Uo Ui RB BEC+_USRS Ib Io Ii Ib Ui BrbeE RE Uo RB C RL 共集放大电路的交流通路共集放大电路的交流通路 共集放大电路共集放大电路共集放大电路的微变等效电路

27、共集放大电路的微变等效电路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系41Au = Uo Ui其中：其中：RL= RERL ri Ui Ii = UOC ISC ro = (1 ) RL rbe( 1 ) RL = 1 RBrbe(1 ) RL = (RS RB)rbe 1 = RE +_USRS Ib Io Ii Ib Ui BrbeE RE Uo RB C RL 共集放大电路的微变等效电路共集放大电路的微变等效电路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系42RB1RC+ UCC uo ui CBC2RB2REC1 IC =IB UCE = UCCRC ICRE IE UCC(RCR

28、E) IC RB2 RB1RB2 UB = = UCC RB1RC+ UCCRB2REIB = = 1 1 IE 共基放大电路共基放大电路共基放大电路的直流通路共基放大电路的直流通路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系43IiRERC Uo Ui IoBEC+_USRSRB1RC+ UCC uo ui CBC2RB2REC1RL IbIiRERC Uo Ui IoBECrbe Ib共基放大电路的交流通路共基放大电路的交流通路 共基放大电路共基放大电路共基放大电路的微变等效电路共基放大电路的微变等效电路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系44Au = Uo Ui RL rbe

29、 = ro UOC ISC = RC ri Ui Ii =rbe 1 = RE 其中：其中：RL= RCRL +_USRSRL IbIiRERC Uo Ui IoBECrbe Ib共基放大电路的微变等效电路共基放大电路的微变等效电路 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系459.6 场效应型晶体管场效应型晶体管SiO2NMOS 管管PMOS 管管源极源极 漏极漏极S D 铝片铝片栅极栅极 GBP 型硅衬底型硅衬底 N+N+BN 型硅衬底型硅衬底 P+P+源极源极 栅极栅极 漏极漏极S G D 大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系46P 型硅衬底型硅衬底 N+N+BSGD按导电沟道

30、的不同分为：按导电沟道的不同分为： N型沟道型沟道MOS管管NMOS管管 P型沟道型沟道MOS管管PMOS管管N 型硅衬底型硅衬底 P+P+BSGDNMOS 管管PMOS 管管导电沟道导电沟道 + + + +大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系47按导电沟道形成的不同分为：按导电沟道形成的不同分为： 增强型增强型简称简称E型型 耗尽型耗尽型简称简称D型型场效应管的图形符号场效应管的图形符号:G E型型 NMOS SDBG E型型 PMOS SDB D型型 NMOS SDGB D型型 PMOS SDGB大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系48形成反型层导电沟道的条件是：形成反型层

31、导电沟道的条件是： E型型NMOS管管 UGS UGS(th) 0 E型型PMOS管管 UGS UGS(th) UGS(0ff) 0 D型型PMOS管管 UGS 0 总之总之, 改变改变UGS , 可以改变导通沟道的厚度和可以改变导通沟道的厚度和形状形状, 从而实现控制从而实现控制 ID 。大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系49耗尽型耗尽型NMOS 管管 UGSIDUGS(off)O增强型增强型NMOS 管管 UGSIDUGS(th)O转移特性转移特性漏极特性漏极特性UDSIDUGS = + UGS = + UGS = + + OUDSIDUGS = 0 UGS = + UGS =

32、- - O大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系50耗尽型耗尽型PMOS 管管 增强型增强型PMOS 管管 转移特性转移特性漏极特性漏极特性UGS(th)OIDUGSUGS(off)OIDUGSIDOUDSUGS = - UGS = -UGS = - OUDSUGS = + UGS = 0UGS = - ID大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系519.7 场效应型晶体管基本放大电路场效应型晶体管基本放大电路DRG1RD+ UDD uo ui C1C2RG2RSRGGSRG2 RG1RG2 UG= UDD 当当UGS UGS(th)时时, 才能建立起反型层导电沟道。才能建立起反型层

33、导电沟道。 ID = IS UGS = UGRSIS UD= UDDRDID分压偏置共源放大电路分压偏置共源放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系52uo=idRD uG= UG ui uD= UDDiDRD uGS= UGS ugs iD= IDid uGS uG Oui t iD uD t uo O t UGOUGS tO t UDO t IDO电压电流波形电压电流波形大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系53 只要只要 UGS UGS(off), 导电沟道就不会消失。导电沟道就不会消失。 IG = 0 uGS =RS IS 与增强型一样。与增强型一样。 RD+ UDD

34、 uO ui C1C2RGRSGDS自给偏置共源放大电路自给偏置共源放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系54 级间级间耦合方式耦合方式 阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 耦合耦合 前、后两级静态工作点彼此独立，互不影响。前、后两级静态工作点彼此独立，互不影响。 RB1RC ui C1C2RB2RE1CERB3+ UCC uO C3RE2阻容耦合阻容耦合大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系55US+_RSRL UO Io IbIoIc IbUi rbe IbRE2RB Ii Ib IirbeRB1RCRB2RB1RC ui C1C2RB2R

35、E1CERB3+ UCC uO C3RE2微变等效电路微变等效电路阻容耦合阻容耦合大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系56 Au = Au1Au2 其中其中：RL1 = ri2, ri = ri1 ro = ro2 RL1= RC1ri2 。US+_RSRL UO Io IbIoIc IbUi rbe IbRE2RB Ii Ib IirbeRB1RCRB2 阻容耦合放大电路，只能放大交流信号，阻容耦合放大电路，只能放大交流信号， 无法传递直流信号。无法传递直流信号。微变等效电路微变等效电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系57 前后级静态工作点相互影响，相互制约；不能前后级静

36、态工作点相互影响，相互制约；不能独立设置。独立设置。 分析方法同直接耦合放大电路。分析方法同直接耦合放大电路。 可以放大直流信号。可以放大直流信号。 RB1RC ui C1RB2RE1RB3+ UCC uo RE2直接耦合直接耦合大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系58 例例 9.6.1 如图所示放大电路如图所示放大电路, 已知已知 RB1 = 33 k ， RB2 = RB3 = 10 k , RC = 2 k , RE1 = RE2 = 1.5 k , 两晶体两晶体管的管的 1 = 2 = 60, rbe1 = rbe2 = 0.6 k 。求总电压放大倍数。求总电压放大倍数。RL1

37、 = ri2 解解第一级为共射放大电路第一级为共射放大电路, 它的负载电阻即第它的负载电阻即第二级的输入电阻。二级的输入电阻。= RB3rbe2(1 2)RE2 RB1RC ui C1C2RB2RE1CERB3+ UCC uO C3RE2大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系59= k 100.6(160)1.5100.6(160)1.5= 8.46 k = k 21038.4610321038.46103= 1.62 k Au1 = = 1RL1 rbe1.620.6= =60 = =162 第二级为共集放大电路第二级为共集放大电路, 可取可取 Au = = 1， Au = = Au1

38、Au2 = =1621 = =162 RL1 = RCRL1 RL1 = RB3rbe2(1 2)RE2 解解大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系60 IC1IC2 UC1 = UC2 Uo = UC1UC2 = 0 1. 静态时静态时 ui1 = ui2 = 0 RC+UCC uo ui1 RERC ui2 UEE T1T2基本差分放大电路基本差分放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系61 ui1 = ui2 uc1 = uc2 uo = uc1uc2 = 0 对共模信号无放大作用；对共模信号无放大作用； 即即Ac= 0 。 RE抑制零点漂移的过程抑制零点漂移的过程T i RE uRE iB1 iB2 iC1 iC2uBE uBERC+UCC uo ui1 RERC ui2 UEE T1T2基本差分放大电路基本差分放大电路大连理工大学电气工程系大连理工大学电气工程系62 ui1= ui2 uc1= uc2 uo= uc1 uc2 = 2uc1对差模信号有放大作用对差模信号有放大作用, 即即Ad0。 Ad Ac KCMR = 共模抑制比：共模抑制比： RC+UCC uo ui1 RERC ui2 UEE