材料科学与工程基础-自测评

1、1. 材料是由物质构成的，因而物质就是材料。V XX2. 材料是指用来制造某些有形物体的基本物质。V XV3. 按照化学组成，可以把材料分为三种基本类型(A) 金属材料、硅酸盐、有机高分子材料(B) 陶瓷材料、高分子材料、钢铁(C) 有机高分子材料、金属材料、无机非金属材料(D) 有机材料、无机非金属材料、金属材料Cml ）。4. 在四个量子数中，ms是确定体系角动量在磁场方向的分量(X5. 在四个量子数中， ml 决定电子自旋的方向( ms)。X6. 在四个量子数中， n 是第一量子数，它决定体系的能量。V7. 在四个量子数中，I是第二量子数，它决定体系角动量和电子几 率分布的空间对称性。8

2、原子中每个电子必须有独自一组四个量子数。n,l,ml,msV9. 泡利不相容原理、能量最低原则和洪特规则是电子在原子轨道中 排列必须遵循的三个基本原则。V10. Na原子中11个电子的填充方式为 1s22s22p53s2。1s22s22p63s1x11. 按照方框图，N原子中5个价电子的填充方式为2s 2px12. Cu原子的价电子数是 3_个x13. S原子的价电子数是5个。1. 晶体物质的共同特点是都具有金属键x#2 . 金属键既无方向性，也无饱和性。V3. 共价键中两个成键电子的自旋方向必须相反。V4. 元素的电负性是指元素的原子在化合物中把电子引向自己的能 力。V5. 两元素的电负性相

3、等或接近，易形成离子键，不易形成共价键。X6. 两元素的电负性差较大，易形成离子键，不易形成共价键。V7. 离子键的基本特点是以离子而不是以原子为结合单元 。V8. 范德华力既无方向性亦无饱和性，氢键有方向性但无饱和性。X9. 范德华力既无方向性亦无饱和性，氢键有方向性和饱和性 。V10. 绝大多数金属均以金属键方式结合， 它的基本特点是 电子共有化11共价键既有饱和性又有方向性。XV12 .两种元素电负性差值决定了混合键合中离子键的比例。VV13. 范德华力包括取向力、色散力和氢键三种类型。V xx14. 原子的基本键合中不一定存在着电子交换。V xx15. 氢键具有方向性，但无饱和性。 V

4、 xx16. 三种基本键合的结合强弱顺序为金属键离子键共价键。xx17. 金属键是由众多原子最（及次）外层电子释放而形成的电子气形 成的，因而具有最高的键能。 V xx1. 随着两个原子间距离减小，相互间的吸引力下降，排斥力增加。Vxx2. 两个原子处于平衡间距时， 键能最大， 能量最高。 V xx3. 同一周期中，原子共价半径随价电子数的增加而增加。V xx , 4同一族中，原子共价半径随价电子到原子核的距离增加而减小。Vxx5正离子的半径随离子价数的增加而减小。V xV6. 原子半径大小与其在晶体中配位数无关。 V xx7. 所谓原子间的平衡距离或原子的平衡位置是吸引力与排斥力的合 力最小

5、的位置。V xx8. 共价键是由两个 或多个 电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。V xV x （只能是两个原子间）9离子化合物的配位数取决于离子最有效的堆积。V xx10.在氧化物中，O-的配位数主要有4、6、12三种类型。V xx11. 金属原子的配位数越大，近邻的原子数越多，相互作用越强，原X子半径越小。V X12. 金属原子半径随配位数增加而增加。V XV13. 金属半径是原子间平衡间距的一半。 （A）V，（B）X，（C），（D）A1当中心原子的杂化轨道为 sp3dx2 时，其配位原子的空间排列为（A）四方锥形（B）三方双锥形（C）八面体形B2. 原子轨道杂化形成杂化轨

6、道后，其 轨道数目、 空间分布和能级状 态均发生改变。 V XX3. 杂化轨道是原子不同轨道线性组合后的新原子轨道，而分子轨道 则是不同原子轨道线性组合成的新轨道。 V XV4. 3轨道是由两个d轨道线性组合而成，它们是2 2 2 2 2 2（ A） dx2、dx2（ B） dx2-y 2、dx2-y2（ C） dxy、dxyB5.费米能级是对金属中自由电子能级填充状态的描述VXX（T= OK 时）6. 费米能级是，在T= OK时，金属原子中电子被填充的最咼能级，以下能级全满，以上能级全空。V XX7. 按照费米分布函数，Th 0时， ,f （E）= 1/2（A） E=丘（B） Ev Ef（C

7、） E> EfA8. 在固体的能带理论中，能带中最咼能级与最低能级的能量差值即带宽，取决于聚集的原子数目。 V XX9. 能带是许多原子聚集体中，由许多 原子轨道 组成的近似连续的能 级带。 V XV X （原子轨道裂分的分子轨道）10价带未填满（A）绝缘体，（B）导体，（C）半导体，（D）B11. 满带与空带重叠 （A）绝缘体，（B）半导体，（C）导体，（D）C12. 满带与空带不重叠（A）绝缘体，（B）导体，（C）半导体，（D）A， C13. 能带宽度与原子数目无关，仅取决于原子间距，间距大，带宽大。（ A）V，（ B）X，（ C），（ D）14. 原子数目越多，分裂成的能带宽度越大

8、。(A) V, (B) X ,(C)，(D)B15. 能带宽度与原子数目无关，仅取决于原子间距，间距小，带宽大。(A)V，(B)X，(C)，(D)A1. 具有一定有序结构的固态物质就是晶体。 V XX2. 同一晶面族的晶面形状相同 ,面上原子密度相同，彼此相互平行。 VXX3. 在实际应用的工业金属中都存在各向异性。 V XX4. 空间点阵相同的晶体，它们的晶体结构不一定相同。V XV5. 空间点阵有14种，它们每个点阵都代表一个原子。V XX6. 如果空间点阵中的每一个阵点只代表一个原子时，则空间点阵与 晶体点阵是同一概念。 V XV7. 由液态转变为固态的过程称为凝固亦称结晶 。 V X8

9、. 在立方晶系中点阵（晶格）常数通常是指 。a）最近的原子间距，（B）晶胞棱边的长度，（C）棱边之间的 夹角B9. 空间点阵中每个阵点周围具有等同的环境。V XV10. 空间点阵只可能有种型式。（ A） 12，（B)14，( C)16，( D)18B11. 空间点阵结构中只可能划分出 个晶系。( A)5，( B)6，(C) 7，( D) 8C12. 晶格常数常用 _表示。( A) a,b,c ；( B)a,B ,Y；C) a,b,c和 a , B , Y； (D)都不是C13. 晶胞中原子占有的体积分数称为 。（A）配位数，（B）致密度,（C）点阵常数，（D）晶格常数B1. fcc 密排面的堆

10、垛顺序是 _。(A) A BA B，(B) A BCD，(C) A BCAC2. fcc 结构的致密度为 _。A)，(B)，(C)，(D)D3. fee结构的配位数是 _。（A） 6，（B）8，（C）10，（D） 12D4. fee晶胞中原子数为 _。（A） 6，（B）4，（C）3，（D）2B5. fee晶胞中原子的半径是。（A）21/2 a / 2，（B）21/2 a / 4，（ C）31/2 a / 2，（D）31/2 a / 4B6. 以原子半径R为单位，fee晶体的点阵常数a是。（A） 2 （2） 1/2 R，（B）4 （2） 1/2 R，（C）4 （3） 1/2 R，（D）1/24

11、（3） 1/2 R / 3A7. bee 结构的致密度为 _。（A），（B），（C），（D）B8. bee 结构的配位数是 _。（A） 6，（B）8，（C）10，（D）12B9. bee 晶胞中原子数为 _。A） 6，（B）4，（C）3，（D）210. bcc 晶胞中原子的半径是 _。1/2 1/2 1/2（A）21/2 a / 2， （B）21/2 a / 4，（C）31/2 a / 4， （D）1/231/2 a / 2C11. 以原子半径R为单位，bcc晶体的点阵常数a是。（A）2 （2） 1/2 R， （B）4 （2） 1/2 R，（C）4 （3） 1/2 R/2，（D）4R / （3

12、） 1/2D12. hcp 密排面的堆垛顺序是 _。（A） A BA B，（ B）A BCD， （ C）A BCAA13. hcp 结构的致密度为 _。（A），（B），（C），（D）B14. hcp 结构的配位数是 _。（A） 12，（B） 10，（C） 8，（D）6A15. hcp 晶胞中原子数为 。（A）3，（B） 4，（C） 5，（D）6D16. 在体心立方晶胞中，体心原子的坐标是 。A)1/2 ， 1/2 ， 0；B）1/2 ， 0， 1/2 ； （C）1/2 ，1/2 , 1/2 ;(D) 0, 1/2 , 1/2C17. 在fee晶胞中，八面体间隙中心的坐标是(B) 1/2 , 0

13、, 1/2 ;(C) 0,(A) 1/2 , 1/2 , 0;1/2 , 1/2 ;(D) 1/2 , 1/2 , 1/2D18. 每个面心立方晶胞有14个原子x19. 密排六方晶胞共有十七个原子。xABC面的指数是(0( 101), (D) (011)1. 下图为简单立方点阵晶胞，其中(A) (111), (B) (110),2. 下图为简单立方点阵晶胞，其中 ABC面的指数是(A) (Ill), ( B) (110), (C) (101), ( D) (011)C3. 下图为简单立方点阵晶胞，AD的晶向指数是。(A)，(B) 110，(C) 101，(D) 011A4. 下图为简单立方点阵

14、晶胞，A B的晶向指数是_(A) 111 , (B) 100 , (0, (D) 001C5. 下图为简单立方点阵晶胞，A C的晶向指数是。(A) 111 , (B) 110 , (C) 101 , (D) 010 D6. 在下图的简单立方晶胞中，指数为(0 1 -1 )的晶面是(A) ADE (B) CDE (C) ACE (D) CHFC =CEG （F 为原点），以F为原点若X轴为FB,贝S C 正确。7. 在下图的简单立方晶胞中，指数为（1 1-1 ）的晶面是 。（A） AFD（ B）ACH（ C） ACE（ D）CHE BEGB乘负号（-1,-1,1）, 原点为D，由于是晶面族，X轴

15、方向变，可(1,1, -1),原点为F, BEG8.的晶向指数为1 1-1(A) AF, (B) HA (Q CE (D) FD9. 在下图的简单立方晶胞中， 的晶向指数为1 - 1 0HAA X, F为原点可 （HA H为原点，A点坐标为1 , -1 , 0）也可是GB, G点为原点，B点坐标为1 , -1 ,0 )10.11.12.在简单立方晶胞中画出的(1-2 1)晶面为_(A) BGN (B) BEM (C) CFM (D) AFNC在简单立方晶胞中画出的2 2 -1晶向为(A) OS, (B) BR, (C) OR (D) GSB在简单立方晶胞中画出的2 1 0晶向为(A) BS,

16、(B) BR, (C) BQ (D) BT13.在简单立方晶胞中画出的0 2 -1晶向为(A) BR (B) BS, (C) BQ (D) BTD14. 画出立方晶胞中具有下列指数（111）的晶面和指数111的晶向, 可以发现它们彼此。（A）平行，（B）垂直，（C）既不平行也不垂直，（D）B15. 晶面指数通常用晶面在晶轴上截距的互质整数比来表示。X 改正：晶面在晶轴上截距倒数的互质整数比16. 晶面指数较高的晶面通常具有 的原子密度排列。（A）较高，（B）较低，（C）居中B1. 原子排列最密的晶面，其面间距 。a）最小，（B）最大， （C）居中B2. 在 fcc 和 bcc 结构中，一切相邻

17、的平行晶面间的距离可用公式：d = a /（h 2+k2+l2）1/2V XX3. 晶面间距公式d=a/（h 2+k2+l2） 1/2适用于的一切晶面（h, k, l为密勒指数）。（A）立方晶系所包含的三种点阵，（B）立方和 四方所包含的各种点阵，（C）简单立方点阵C4. 若在晶格常数相同的条件下体心立方晶格的致密度 , 原子半径都最小。V XX5. 面心立方与密排六方晶体结构，其致密度、配位数、间隙大小都 是相同的 , 密排面上的堆垛顺序也是相同的。 V XX6. 在下列堆积方式中，属于最紧密堆积的是 。(A) 体心立方， (B) 面心立方， (C) 简单立方， (D) B7. 在下列堆积方

18、式中，属于最紧密堆积的是 。(A) 简单立方， (B) 体心立方， (C) 密排六方， (D) C8. 氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是 。(A) 5，(B) 6 ， (C) 4 ， (D) 8C(A)(A)9. Al 为面心立方结构， 其点阵常数为， 其晶胞中原子体积是 _ nm3， (B) nm3，(C) nm3， (D) nm3A10. Al的点阵常数为，其晶胞中原子体积是 nm3,其结构为密排六方 ， (B) 体心立方 ， (C) 面心立方 ， (D) 简单立方 C11. Al为面心立方结构，晶胞中原子体积是 nm3,其点阵常数为(A) nm， (B) nm， (C) nm ，

19、(D)D1. 面心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为 。(A)4, ( B)8,(C)2,(D)1A2. 面心立方结构每个晶胞中四面体间隙数为 。(A)2, ( B)4,(C)6,(D)83. 面心立方结构每个原子平均形成的八面体间隙数为（A）4， （ B）3， （C）2， （D）1D4. 面心立方结构每个原子平均形成的四面体间隙数为 。（A）4， （B）3， （C）2， （D） 1C5. 体心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为 。（A）4， （ B）6， （C）8， （D）12 B6. 体心立方结构每个晶胞中四面体间隙数为 。（A）4， （ B）6， （C）8， （D）12D7. 体心立方结构每

20、个原子平均形成的八面体间隙数为 。（A）1， （ B）2， （C）3， （D）4C8. 体心立方结构每个原子平均形成的四面体间隙数为 。（A）4， （ B）6， （C）8， （D）12 B9. 每一个面心立方晶胞中有八面体间隙 m个，四面体间隙n个，其 中：（A） m=4， n=8, （ B） m=6， n=8, （C） m=2， n=4 （D） m=4， n=1210. 每一个体心立方晶胞中有八面体间隙 m 个，四面体间隙 n 个，其 中：（A）m=4，n=8, （ B） m=6，n=8, （ C） m=6， n=12 （D）m=8， n=12C11. Fee和bee结构中的八面体间隙均为正

21、八面体。V xX12. 面心立方结构的总间隙体积比体心立方小。V xV13. 等径球最紧密堆积时，四面体空隙的体积 八面体空隙的体积。（A） 大于， （B） 等于， （C） 小于， （D）C1. 二元相图中三相平衡时温度恒定，而平衡三相成分可变。 V xx2在二元相图中，LtSi+ S2叫转变。（A）共晶，（B）共析，（C）包晶A3. 在二元相图中，St S1+ S2称为转变。（A）共晶，（B）共析，（C）包晶B4. 在二元相图中，StL+ S称为转变。（A）共晶，（B）共析，（C）包晶5. 共晶线代表共晶反应温度其物理意义是 。( A) 无论何种成分的液相冷却至共晶温度就发生共晶反应 ,(

22、B) 无论何种成分的液相冷却至共晶温度时， 如剩余的液相具有 共晶成分就发生共晶反应 , 表达不确切(C) 无论何种成分的液相冷却至共晶温度时， 全部会变成具有共 晶成分的液相而发生共晶反应B x A6. 共晶反应发生在三相平衡的水平线上 , 可利用杠杆定理计算相组 成物与组织组成物相对量 , 所以杠杆定理也可以在 三相平衡区 使 用。 V x共晶反应发生在三相平衡点，不能用.V x7. 根据相律， 二元系三相平衡时自由度为 0，即表明三相反应是在恒 温下进行 ,三个平衡相的成分也是相同的， 不可改变。 V xV8. 所谓相，即是系统中具有均匀成份而且性质相同并与其他部分有 界面分开的部分。

23、V xV9. 在界面两侧性质发生突然变化的是两个不同的相，否则是同一相。VxV10. 用杠杆规则进行过程量的计算，得到的是 。(A) 累积量 (B) 瞬时量 (C) (D)A11. 等压条件下，二元合金中最大平衡相数为 3。V x12. 二元合金处于单相平衡时，自由度为 2，这就是说温度变化时，成 份随之变化。V XX13. 在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以 3 相平衡共存，它 们是一个固相、一个液相和一个气相。 V XX 改正：两个固相和一个液相。14. 相数即为系统内性质相同且均匀的部分的种类数。（A）V，（B）X ，（C），（D）A15. 自由度数是指相平衡系统中可独立改变而不引

24、起相变的变量数。（A）V，（B）X，（C），（D）A 在一定范围内改变，故 B1. 点缺陷表现有两种类型：（A）置换原子、晶格间隙；（B）空位、 间隙原子；（C）空位、晶格间隙B2. 晶体中存在着许多点缺陷，例如。（A）被激发的电子，（B）沉淀相粒子，（C）空位C3. 柏格斯矢量是位错的符号，它代表 。（A）位错线的方向，（B） 位错线的运动方向，（C）晶体的滑移方向B X C ，应为 C4. 实际金属中都存在着点缺陷 ,即使在热力学平衡状态下也是如此。 VXV5. 柏格斯矢量就是滑移矢量。V XX6. 位错线的运动方向总是垂直于位错线。V X去掉V 该题有问题7. 空间点阵有14种，它们每个

25、点阵都代表一个原子。V XX8. 刃型位错线与其柏氏矢量平行，且其运动方向垂直于该柏氏矢量， 螺型位错线与其柏氏矢量垂直，且运动方向平行于该柏氏矢量。V XX9. 刃型位错的柏氏矢量与位错线平行，螺型位错的柏氏矢量与位错线垂直。V XX10. 晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而 。(A) 增加， (B) 不变， (C) 降低， (D)A11. 属于晶体中的热缺陷有 。(A)空位，(B)非化学计量缺陷，(C)杂质缺陷，(D)12. 替代式固溶体中， d溶质 d溶剂。 VXX13间隙式固溶体中，d溶质/d溶剂。V XV1. 扩散是原子在固体物质内部无规的运动产生定向迁移的过程。 VX2.扩散的推动

26、力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度 处向低浓度处扩散。V XX改正：扩散也可以从低浓度向高浓度进行。 （从自由能考虑 ）3. 扩散系数一般表示为 D=D0Exp（-Q/RT）, 显然扩散激活能与扩散系数呈正比,Q值愈大,D值愈大。V XX不是正比4. 最常见的扩散机理是 。（A） 间隙扩散， （ B） 空位扩散， （C） 易位扩散， （D）B5. 一般说来，扩散系数越大扩散通量也越大。V XX V还有浓度差，（按照Fick第一定律，该表述应是正 确的）6. 菲克第一定律只适用于稳态扩散，而菲克第二定律 只适用于非稳 态扩散。VXX V （按照教材的内容，该表述应是正确的）7. 稳态

27、扩散就是指扩散通量不随时间变化仅随距离变化的扩散。 VXX8. 扩散通量是指单位时间通过任意单位面积的物质量。 V XX9. 金属的自扩散的激活能应等于。（A）空位的形成能与迁移能的总和，（B）空位的形成能，（C）空位的迁移能A10. 伴有浓度变化的扩散或者说与溶质浓度梯度有关的扩散被称为是 。(A)反应扩散，(B)互扩散，(C)自扩散B 确实有问题，题目的目的不明确。 去掉11. 在扩散过程中，原子的流量直接正比于 。(A)温度，(B)浓度梯度，(C)时间B12. 原子越过能垒的激活能为Q则扩散速率。(A)随Q增加而减小，(B)随Q增加而增加，(C)与Q无 关A13. 当液体与固体的真实接触

28、角大于 90 度时，粗糙度愈大 ，就愈润湿。 (A) 容易， (B) 不易， (C)， (D)B14. 当液体与固体的真实接触角小于 90 度时，粗糙度愈大 ，就愈润湿。 (A) 容易， (B) 不易， (C)，(D)A由于粗糙度涉及到，未讲，建议去掉15. 温度升高，熔体的表面张力一般将 。(A) 不变， (B) 减少， (C) 增加， (D)B16. 液体与固体的接触角大于 90 ( D)(A)润湿，(B)不润湿，(C),17.液体与固体的接触角小于90°。（A）润湿，（B）不润湿，（C）,（ D）A1. Perce nt ion ic character（A）离子的特点 ，（B

29、）键的离子性结合比例， （C）， （D）B2. Energy Band（A）能级，（B）能隙，（C）能带，（D）C3. Vale nee ba nd（ A）价带，（B）能带，（C）价电子能级展宽成的能带，（D）A， C4. Un it Cel l（ A）晶胞，（B）单位矢量，（C）,（ D）Asolid solution（A）固溶体，（B）杂质原子等均匀分布于基质晶体的固体，（C）固体溶解液，（D） A,B5. IonicBond（ A）共价键，（B）次价键，（C）离子键，（D）氢键C6. Covale nt Bo nd（ A）氢键，（B）离子键，（C）次价键，（D）共价键 D7. Equil

30、ibrium Spaci ng（ A）平衡力，（B）平衡间距，（C）原子间斥力和引力相等的距离， （D）B，CCoordination Number （A） 配位数，（B）原子具有的第一邻近原子数，（C）价电子数，（D） A,BAtomic Packing Factor（A）晶胞内原子总体积与晶胞体积之比，（B）原子体积（C）致密度，（D）原子堆积因子A, C, CDirectionalIn dices（ A）点阵，（B）晶体方向，（C）晶向指数，（D）晶向 CMiller in dices（ A）晶向指数，（B）晶面指数，（C）密勒指数，（D） B，Cn terpla nar spaci n

31、g（ A）晶面组中最近两晶面间的距离，（B）晶面指数，（C）原子间距，（D）晶面 间距 D8 （A）面心立方，（B）密排六方，（C）体心立方，（D）A（ A）面心立方，（B）密排六方，（C）体心立方，（D）C（ A）面心立方，（B）密排六方，（C）体心立方，（D）BPoint Defect（A）点阵，（B）体缺陷，（C）面缺陷，（D）点缺陷DnterfacialDefects（A）位错，（B）点缺陷，（C）面缺陷，（D）体缺陷CEdgeDislocation（A）螺旋位错，（B）刃位错，（Q点缺陷，（D）BScrew Dislocation错,( D)（A）棱位错，（B）刃位错，（C）螺旋位（

32、A）间隙，（B）空位，（C）空隙,CInterstitial position(D)空洞9. vacancy（A）空洞，（B）空位，（C）空隙，（D）间隙Bself-diffusion（A）互扩散，（B）自扩散，（C）慢扩散,（ D）Bnterdiffusion（A）互扩散，（B）自扩散，（C）慢扩散,（ D）ADiffusion Coefficie nt（A）扩散作用，（B）扩散通量，（C）扩散系数，（D）扩散通道10. Diffusion Flux系数，（D）扩散能，B（A）扩散作用，（B）扩散通量，（C）扩散Cii. Contact Angle(A)三相交界处，自固液界面经气体至液气界面

33、的夹角，(B)三相交界处，自固液界面经固体内部至液气界面 的夹角，(C)三相交界处，自固液界面经液体内部至液气界面的夹 角，(D)接触角C, D1. 体心立方金属晶体具有良好的塑性和韧性。V Xx2. 面心立方金属晶体具有较高的强度、硬度和熔点。 V Xx3. CuZn合金为电子化合物，其电子浓度(价电子数/原子数)为( A) 21/14( B) 21/13( C) 21/12AVX4. 铁碳合金有六种组织结构， 它们是、5.铁素体是碳溶解在丫铁中的固溶体，OC% %)V XX6.奥氏体是碳溶解在丫铁中的固溶体，C% %)V xV X(C唏2%)7.珠光体是由铁素体和渗碳体组成的共析混合物8渗

34、碳体是铁和碳的化合物，Fe/C= 2/1。V Xx9. 从图3-47可以知道，共析钢在1420C时的组织结构是（A）奥氏体+铁素体（B）奥氏体+液体（C）铁素体+液体B10. 钢是碳含量低于 2%的铁碳合金。 V xV11 .铝和紫铜都是面心立方晶体结构。 V xV12. 非晶态合金TTT曲线的右侧为晶体结构区域。V XV13. 在再结晶过程中， 晶粒的尺寸随再结晶温度的升高和时间的延长 而长大。VXV14. 当金属材料的塑性变形度大于 10%时，再结晶所形成的是细晶粒。VX15共析钢中的碳含量为(A %(B) %(C)%(D) %CX B 为 B16. 二次再结晶是大晶粒 ，小晶粒 。(A)

35、 长大、长大； (B) 变小、长大； (C) 长大、变小； (D) A 有问题， 去掉1在离子晶体中，当正负离子半径比值在的范围内时，形成(A)四面体配位(B)八面体配位(C)平面三角形配位(D)立方体配位A2在离子晶体中，当正负离子半径比值在的范围内时，形成(A)简单立方配位(B)面心立方配位(C)简单立方或面心立方配位C X A (在等电荷时， 面心立方离子晶体的正负离子为八 面体配位，半径比是)3. 面心立方ZnS中的Zn原子位于由S原子构成的间隙中。（A）八面体（B）四面体（C）立方体B4单晶硅为立方晶胞的共价晶体，每个晶胞中共有硅原子（ A） 6 个（ B） 8 个（ C） 4 个A X B，是 B5. 面心立方ZnS晶胞中的Zn原子和S原子数量分别为（ A） 4 和 4（ B） 14 和 4（ C） 8 和 4A6. 钙钛矿晶体CaTiO属于立方晶系，Cea+的配位数是12。V XV7. 尖晶石晶体属于立方晶系，每个单位晶胞由相同体系的4个A块和4个B块所构成，共有32个八