CMOS实验报告

1、模拟CMOS集成电路报告实验一:共源级放大器性能分析 一、实验目的 1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法； 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真； 3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线； 4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响 二、实验要求 1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。 3、设置仿真环境。 4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。 三、实验结果 1、电路图1K电路图10k电路图2、幅频特

2、性曲线1k10k四、实验结果分析 1k器件参数： NMOS管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pF，Rd=1K。 实验结果： 输入交流电源电压为1.2V，所得增益为12dB。 由仿真结果有：gm=496u，R=10k，所以增益Av=496*10/1000=4.96=13.91 dB 可见，实际增益大于理论增益2k器件参数： NMOS管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pF，Rd=10K。 实验结果： 输入交流电源电压为1V，所得增益为12dB。 由仿真结果有：gm=496u，R=10k，所以增益Av=496*10/1000=4.96=13.91 dB 可见，实际增益大于理论增益实验二:差分放大

3、器设计 一、实验目的 1.掌握差分放大器的设计方法； 2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。 二、实验要求 1.确定放大电路； 2.确定静态工作点Q； 3.确定电路其他参数。 4.电压放大倍数大于20dB，尽量增大GBW，设计差分放大器； 5.对所设计电路调试； 6.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。三、设计原理平衡态下的小信号差动电压增益AV为四、实验结果 (表中数据单位dB) R单位：kW/LR102030405015-27.8-26.7-26.5-26.2-2630-21.9-21-20.6-20.3-20.145-18.5-17.6-17.1-16.9

4、-16.7 改变W/L和栅极电阻，可以看到，R一定时，随着W/L增加，增益增加，W/L一定时，随着R的增加，增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道，这会限制带宽的特性，W/L增大时，带宽会下降。为保证带宽， 选取W/L=10，R=15K的情况下的数值，保证了带宽约为300MHZ，可以符合系统的功能特性，实验结果见下图。1.电路图2.幅频特性曲线五、思考题根据计算公式，为什么不能直接增大R实现放大倍数的增大？答：若直接增加Rd，则Vd会增加，增加过程中会限制最大电压摆幅；如果VDDVd=VinVTH，那MOS管处于线性区的边缘，此时仅允许非常小的输出电压摆幅。即电路不工作。此外，RD增大还会导

5、致输出结点的时间常数更大。实验五：两级运算放大器设计一、实验目的熟悉软件的使用，了解synopsys软件的设计过程。掌握电流镜的相关知识和技术，设计集成电路实现所给要求。二、实验要求单级放大器输出对管产生的小信号电流直接流过输出电阻，因此单级电路的增益被抑制在输出对管的跨导与输出阻抗的乘积。在单级放大器中，增益是与输出摆幅相矛盾的。要想得到大的增益我们可以采用共源共栅结果来极大的提高出阻抗的值，但是共源共栅中堆叠的MOS管不可避免的减少了输入电压的范围。因为多一层管子至少增加一个对管子的过驱动电压。这样在共源共栅结构的增益与输出电压矛盾。为了缓解这种矛盾引入两级运放，在两级运放中将这两个点在不

6、同级实现。如本设计中的两级运放，大的增益靠第一级与第二级级联而组成，而大的输出电压范围靠第二级的共源放大器来获得。设计一个COMS两级放大电路，满足以下指标：AV=5000V/V（74dB） VDD=2.5V VSS=-2.5VGB=5MHz CL=5pf SR>10V/us 相位裕度=60度VOUT范围=-2,2V ICMR=-12V Pdiss<=2mW三、实验内容确定电路的拓扑结构： 图中有多个电流镜结构，M5,M8组成电流镜，流过M1的电流与流过M2电流ID1,2=ID3,4=1/2*ID5，同时M3，M4组成电流镜结构，如果M3和M4管对称，那么相同的结构使得在x，y两点

7、的电压在Vin的共模输入范围内不随着Vin的变化而变化，为第二极放大器提供了恒定的电压和电流。图1所示，Cc为引入的米勒补偿电容。利用表1、表2中的参数计算得到第一级差分放大器的电压增益为：第二极共源放大器的电压增益为所以二级放大器的总的电压增益为相位裕量有要求60°的相位裕量，假设RHP零点高于10GB以上所以 即 由于要求的相位裕量，所以可得到=2.2pF因此由补偿电容最小值2.2pF，为了获得足够的相位裕量我们可以选定Cc=3pF考虑共模输入范围：在最大输入情况下，考虑M1处在饱和区，有 （4）在最小输入情况下，考虑M5处在饱和区，有 （5）而电路的一些基本指标有 （6）GB是

8、单位增益带宽P1是3DB带宽GB= （7） （8） （9）CMR: 正的CMR (10) 负的CMR (12)由电路的压摆率得到=(3*10-12)()10*106)=30A(为了一定的裕度，我们取。)则可以得到，下面用ICMR的要求计算(W/L)311/1所以有=11/1由，GB=5MHz，我们可以得到即可以得到 用负ICMR公式计算由式（12）我们可以得到下式如果的值小于100mv，可能要求相当大的，如果小于0，则ICMR的设计要求则可能太过苛刻，因此，我们可以减小或者增大来解决这个问题，我们为了留一定的余度我们等于-1.1V为下限值进行计算则可以得到的进而推出即有为了得到60°

9、的相位裕量，的值近似起码是输入级跨导的10倍（allen书p.211例6.2-1），我们设，为了达到第一级电流镜负载（M3和M4）的正确镜像，要求，图中x，y点电位相同我们可以得到进而由我们可以得到直流电流同样由电流镜原理，我们可以得到四、实验原理电路结构: 最基本的 COMS 二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如图所示。主要包括四部分：第一级输入级放大电路、第二级放大电路、偏置电路和相位补偿电路。 两级运放电路图相位补偿: 电路有至少四个极点和两个零点，假定 z2、p3、p4 以及其它寄生极点都远大于 GBW，若不考虑零点z1，仅考虑第二极点p2，那么这是一个典型的两极点决定的系统。为保证系统

10、稳定，通常要求有 63°左右的相位裕度，即保持频率阶跃响应的最大平坦度以及较短的时间响应。 但在考虑 z1之后， 这个右半平面 （RHP） 的零点在相位域上相当于左半平面 （LHP）的极点，所以相位裕度会得到恶化。同时如果为了将两个极点分离程度增大，则补偿电容Cc 就要增大，这也会使得零点减小，进一步牺牲相位裕度，如图所示。 极点分裂与Cc变化五、实验结果实验中我们参考了网上资料完成了一个版本，按照书本完成了一个版本，如下：1.电路图（可放大查看）教材版：网络版2.幅频特性曲线教材版网络版六、思考题分析此类电流镜优点，并说明原因。答：1.获得了较高的精度：在本电路中，由于电路结构特点

11、，下方两nmos管（图中1,2）的漏端注入电压相等，由此，Iout是Iin的精确复制，即使上方两mos管（图中0,3）的输入电压发生变化，对1,2而言，变化量近似相等，因此IoutIin。即通过共源共栅级屏蔽了输出电压变化的影响。2. 以降低输出摆幅为代价，提高了输出电阻：各管子均处于饱和或临界饱和的状态。七、实验分析在本次设计中采用了密勒补偿，但在包含密勒补偿的电路中会产生一个离原点很近的零点，位于 这是由于Cc+CGD6形成从输入到输出的回路。这个零点大大降低了电路的稳定性。本次设计中我们增加一个与补偿电容串联的电阻，从而改善零点的频率，引入的电阻为RZ，零点的频率可表示为 ，将此零点移到左半平面来消