微电子工艺作业指导书样板

1、苏州健雄职业技术学院-电气工程学院微电子制造工艺文件项目名称： 三极管(NPN型)制造工艺文件 项目编号： 团队负责人： 谢威 团队成员：金腾飞、崔仕杰、朱二梦 刘铭冬、姚启、周涛 指导教师： 陈 邦 琼 文件页数： 55 页 201 6 年 9 月 23 日工艺文件目录编 号名称编者1引言朱二梦2三极管（NPN）示意图刘铭冬3制造工艺流程朱二梦4工艺参数设计金腾飞5制作过程崔仕杰6三极管管芯制造工艺姚启7作业指导书谢威8光刻（模板图）周涛9总结朱二梦备注参考文献37引言电子工业在过去40年间迅速增长，这一增长一直为微电子学革命所驱动。从20世纪40年代晶体管发明开始，半导体器件工艺技术的发展

2、经历了三个主要阶段：1950第一次生产出了实用化的合金结三极管；1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展，为制造高频器件开辟了新途径；1960年由扩散、氧化、光刻组成的平面工艺的出现是半导体器件制造技术的重大变革，大幅度地提高了器件的频率、功率特性，极大地改善了器件的稳定性和可靠性。在这期间每项变革对人们的生产、生活方式产生了重大的影响。也正是由于微电子技术领域的不断创新，才能使微电子能够以每三年集成度翻两番、特征尺寸缩小倍的速度持续发展几十年。 在过去的几十年里，双极型晶体管做为微电子产业的基石有着无以伦比的作用。虽然近年来，随着金属-氧化物-半导体都场效应晶体管（MOSFET

3、）技太迅速发展，双极型晶体管的突出地位受到了严重挑战。但它在模拟电路领域仍然有着广泛的应用，发挥着不可取代的作用。在这样的大环境下，了解晶体管的功能、工艺流程及工艺参数是十分必要的，这就是本实验的目的。二、NPN三极管设计1.1、晶体管结构示意图n+ n pEBC1.2、三极管的分类三、制造工艺流程 衬底制备衬底采用轻掺杂的P型硅，掺杂浓度一般在1015/cm3数量级，采用的硅晶片晶面的晶向指数为（100）。掺杂浓度较低可以减少集电极的结电容，提高集电结的击穿电压，但掺杂浓度过低会使埋层推进过多1. 埋层制备为了减小集电区的串联电阻，并减小寄生PNP管的影响，在集电区的外延层和衬底间通常要制作

4、N+埋层。首先在衬底上生长一层二氧化硅，并进行一次光刻，刻蚀出埋层区域，然后注入N型杂质（如磷、砷等），再退火（激活）杂质。埋层材料选择标准是杂质在硅中的固溶度要大，以降低集电区的串联电阻；在高温下，杂质在硅中的扩散系数要小，以减少制作外延层时的杂质扩散效应；杂质元素与硅衬底的晶格匹配要好以减小应力，最好是采用砷。2. 外延层的生长去除全部二氧化硅后，外延生长一层轻掺杂的硅。此外延层作为集电区。整个双极型集成电路便制作在这一外延层上。外延生长主要考虑电阻率和厚度。为减少结电容，提高击穿电压，降低后续工艺过程中的扩散效应，电阻率应尽量高一些；但为了降低集电区串联电阻，又希望它小一些3. 形成隔离

5、区先生长一层二氧化硅，然后进行二次光刻，刻蚀出隔离区，接着预淀积硼（或者采用离子注入），并退火使杂质推进到一定距离，形成P型隔离区。这样器件之间的电绝缘就形成了。4. 深集电极接触的制备这里的“深”指集电极接触深入到了N型外延层的内部。为降低集电极串联电阻，需要制备重掺杂的N型接触，进行第三次光刻，刻蚀出集电极，再注入（或扩散）磷并退火。5. 基区的形成先进行第四次光刻，刻蚀出基区，然后注入硼并退火，使其扩散形成基区。由于基区掺杂元素及其分布直接影响器件电流增益、截止频率等特性，因此注入硼的剂量和能量要特别加以控制。6. 发射区形成在基区上生长一层氧化物，进行第五次光刻，刻蚀出发射区，进行磷或

6、砷注入（或扩散），并退火形成发射区。7. 金属接触淀积二氧化硅后，进行第六次光刻，刻蚀出接触也窗口，用于引出电极线。接触孔中温江溅射金属铝形成欧姆接触。8. 形成金属互联线进行第七次光刻，形成互联金属布线。9. 后续工序测试、键合、封装等。测试是通过测量或比较来确定或评估产品性能的过程，是检验该产品设计、工艺制造、分析失效和推广应用的重要手段。因此，在半导体器件和集成电路的研制、生产和使用过程中，测试是非常重要的一道工序。在生产中包括下列几种类型的测试：芯片测试、成品测试、质量保证测试、可靠性测试、验收测试、鉴定测试。键合工艺是将芯片上的电极引线和底座外引线连接起来的过程，是一种十分精密细致的

7、固相焊接技术，又称内引线焊接工艺。封装是利用某种材料将芯片保护起来，并与外界环境隔离的一种加工技术。封装的目的除保护和隔离外，还有以下几点：1.使管芯有一个合适的外引线结构的；2.为管芯创造散热和电磁屏蔽的条件；3.提高管芯的机械强度和抗外界冲击能力。按封装材料材料可分为玻璃封装、金属封装、塑料封装、陶瓷封装，还有一种叫表面安装技术（SMT）的新型封装技术。4、 工艺参数设计单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管工艺参数设计工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准硅片的衬底电阻率为3-6·CM，查表一得所对应的Nc=厘米3。设B、

8、E区都为均匀掺杂。设： =厘米3，= 厘米3，=1.3um.采用浅基区近似,则可写为：其中： =340/130=2.6(由表一查得)，=0.19（由图二查得）代入各数据求得, =55时,WB =1.12um.故设计的NPN型晶体管的各数据为:= 厘米3，=厘米3，=1.25um, Wb =1.12um。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制工艺参数设计工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准在半导体晶圆中应用扩散工艺形成结需要两步：第一步称

9、为预沉积；第二步称为再分布或推进氧化，两步都是在水平或者垂直的炉管中进行的. 在预沉积的过程中，要受到以下几个因素的制约：。杂质的扩散率；杂志在晶圆材料中的最大固溶度。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制工艺参数设计工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准a.衬底氧化： 采用干氧湿氧干氧的步骤进行氧化湿氧30min，确定干氧1100生成0.5氧化层所需时间t=1.1min后就可以确定湿氧总时间为30min+1.1min，由图OX-2查得t

10、ox=0.4。干氧10min：确定1100干氧生长0.4厚度氧化层需900min，910min所对应的几乎没有变化。所以最终生成7000埃氧化层工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制工艺参数设计工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准b.基区扩散：下图5为常见杂质在硅中的扩散率，图6为常见杂质在硅中的固溶度，将在下面的计算中用到。 图5： 常见杂质在硅中的扩散率图6： 常见杂质在硅中的固溶度工艺设计者： 崔仕杰 金腾飞 批准人： 谢威 设计

11、日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制工艺参数设计工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准1.硼预沉积设温度T=955，采用高斯分布模型查表得Cs=，=0.085解得t=0.2h。此时的D=0.037*exp(-3.46/kt),则(Dt)1/2=0.17um硼的预沉积要求硼的浓度为1018厘米3 方块电阻值的参考值为4560欧姆/,此时结深为1um。工艺设计者： 崔仕杰 姚启 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三

12、极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制工艺参数设计工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准2.硼推进扩散（在氧气气氛中） T=1100 =2.37um =0.27 近似认为为 求得t=50min在此过程中同时产生了氧化层。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制工艺参数设计工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准c. 发射区磷扩散 T=950，采用余误差分布模型 只采用一步预沉积扩散 =0.2 = 求得t=15m

13、in，=1.25um。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 名称浓度配比作用浓硫酸95%98%去除有机物和金属离子I号液H2O：H2O2：NH4OH=3：2：1去除颗粒、金属、有机物II号液H2O：H2O2：HCL =3：2：1去除金属离子去离子水清洗表1：硅片清洗主要药品名称及作用步骤药品操作1浓硫酸煮至冒白烟后3-5分钟2热、冷去离子水清洗3浓硫酸煮至冒白烟后3-5分钟4热、冷去离子水清洗5I号液煮沸后3-4分钟6热、冷去离子水清洗7II号液煮沸后3-4分钟8热、冷去离子水清洗至水的电阻率大于5兆欧表2：硅片清洗流程名称作用负性

14、光刻胶抗蚀剂丁酮显影丙酮定影氢氟酸缓冲剂(HF:NH4F:H2O=3:6:10)刻蚀液表3：光刻药品及其作用名称作用SJT-1/300型匀胶台匀胶KXH202A恒温干燥箱前烘、坚膜对准仪套刻对准曝光机曝光水浴锅刻蚀显微镜检测光刻质量表4：光刻仪器及其作用工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 五、晶体管制作过程单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单清洗设备工艺步骤工艺内容相关标准a、清洗所有样片片都要经过一系列的清洗过程，防止不必要的杂质进入硅片中影响结果。

15、对硅片的清洗主要是去除表面的离子，包括酸，碱及氧化物，使用的清洗液都有一定的配比，清洗也必须遵守一定的流程。 清洗设备清洗硅片过程中使用的药品名称及作用见表1。清洗过程见表2。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准注意：在清洗过程中切记要注意安全，包括两个方面，一是要主要人身安全，实验中用到的药品比如浓硫酸等很危险，除了遵守制作步骤外，要听从实验室老师的安排，比如煮沸的浓硫酸要冷却等什么程度才能

16、进行下一步的操作等。二是要注意实验室器具的安全，由于微电子的实验，器材很贵，做实验时又带着手套很容易拿滑，从而摔坏。工艺设计者： 崔仕杰 金腾飞 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第一组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单氧化设备工艺步骤工艺内容相关标准b、一次氧化对清洗后的硅片进行一次氧化，在温度为1220时。采用干氧湿氧干氧的方法。大概生长7000埃的氧化层。 有热氧化法生成 SiO2  缓冲层，用来减小后续中 Si3N4 对晶圆的应力 氧化设备工艺设计者： 崔仕

17、杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准氧化技术 ：干法氧化  Si( 固 ) + O2  à  SiO2( 固 ) 湿法氧化 Si( 固 ) +2H2O  à  SiO2( 固 ) + 2H2 氧化设备工艺设计者： 崔仕杰 姚启 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师

18、： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准C、一次光刻将氧化后得到的样片进行光刻，刻出硼扩基区，使用的光刻掩模如下：图7：一次光刻掩摸板光刻过程中使用得主要药品及其作用见表3。光刻过程中使用的主要仪器及其作用见表4。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准光刻的步骤：涂胶：用旋转法在待光刻

19、的Si片表面涂敷上一层光刻胶膜。条件：转速为3000转/min，时间为30s。要求：光刻胶粘附良好、均匀、厚薄适当。工艺设计者： 崔仕杰 姚启 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准前烘：在恒温干燥箱中烘烤涂胶后的硅片。条件：90，11min30s。目的：促使胶SiO2膜体内溶剂充分的挥发，使胶膜干燥，以增加胶膜与SiO2膜的粘附性和胶膜的耐磨性。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月

20、 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准曝光：在涂好光刻胶的硅片表面覆盖掩膜版，用汞灯紫外光进行选择性的照射，使受光照部分的光刻胶发生光化学反应。条件：曝光时间1min30s±10s。要求：保证对准精度和曝光时间工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准显影，定

21、影：操作：用镊子夹住硅片在丁酮晃动1分钟，然后在丙酮中晃动30秒。目的：将未感光部分的光刻胶溶解，留下感光部分的胶膜。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准检查光刻的质量：看图形是否套准，图形边缘是否整齐，有无皱胶和胶发黑，有无浮胶，硅片表面有无划伤。工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造

22、三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准坚膜：在恒温干燥箱中烘烤定影涂胶后的硅片。条件：176，18min30s。目的：使胶膜与硅片之间紧贴得更牢，增强胶膜抗蚀能力。工艺设计者： 崔仕杰 金腾飞 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准刻蚀：用刻蚀液将无光刻胶膜覆盖的氧化层腐蚀掉，有光刻胶覆盖的区域保存下来。条件：42水浴，3-4min。工艺设计者： 崔仕杰 批准人

23、： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 实验室数据组（）自己设计数据组（）预扩散温度950955再分布温度11301100表5：基区硼扩散温度单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准d、基区硼扩散硼扩散一般分为两步扩散：预沉积和再分布扩散。预沉积扩散在一定的温度下将硅片进行分组扩散，扩散的温度时间由实验要研究的温度和时间范围决定,18个片子放在石英舟上，进行烘干后放入了氧化炉中，通氮气5分钟后，扩散20分钟。 两组实验温度如表5：工艺设计者： 崔仕杰 金腾飞 批准

24、人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准扩散后用HF溶液（HF:H2O=1:10）腐蚀氧化层。样片腐蚀30s，正片15s（防止过多腐蚀一次氧化光刻后留下的氧化层，造成氧化台阶不明显）。腐蚀完毕用去离子水清洗，准备再分布使用对陪片用四探针测试方块电阻。调整电压，使测试电流大小为1mA，测试数据记录。 硼扩散 工艺设计者： 崔仕杰 姚启 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3

25、组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准再分布扩散及氧化将清洗后的样片进行再分布扩散的同时进行氧化，在氧气的氛围中进行，采用干氧湿氧干氧的方法，两端采用干氧主要是为了使接触面更致密以及和光刻胶的粘附性好。再分布的温度一般比预沉积高接近两百度左右。将再分布后的样片用HF溶液（HF:H2O=1:1）腐蚀样片氧化层，时间为3-4分钟用去离子水清洗硅片，然后对陪片用四探针测试方块电阻，并记录数据。工艺设计者： 崔仕杰 姚启 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组

26、项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准e、二次光刻在硼扩散之后就形成了晶体管的基区，之后就要进行二次光刻以便进行发射区的磷扩散，基本上二次光刻与一次光刻的过程是一样的，只是二次光刻需要进行对准，并且相当重要。二次光刻的掩模如下：图9：二次光刻掩模工艺设计者： 崔仕杰 金腾飞 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 单位名称第3组项目名称：三极管管芯制造工艺制造三极管的生产工艺文件工艺名称晶体管制作过程工艺文件编号：所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准f、发射区磷扩散

27、当刻出发射区窗口后，发射区的扩散就是样品制备的最后一个过程。将清洗后的样片和陪片正面向上放置于磷源上，前后均有磷源。放入恒温区进行扩散。一般磷扩的温度不能超过再分布的温度，以防止影响硼扩散的再分布结果。由于我们组的片子较多，我们组的磷扩分为3组完成。也就是说每组磷扩的片子中都包含两片：实验室数据组片子和自己设计数据组片子。因此，测试也是分为3组来测的。 将扩散过后的样片取出， 制备工艺分析用HF溶液（HF:H2O=1:1）腐蚀氧化层，时间为3-4分钟。腐蚀完毕用去离子水清洗。用四探针测试陪片的方块电阻，用图示仪观察样片的输出特性曲线和各结击穿特性电压，测试并记录数据。两组实验磷扩温度见表6。3

28、组实验温度和时间如表7。工艺设计者： 崔仕杰 金腾飞 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 实验室数据组（）自己设计数据组（）1060950表6：发射区磷扩温度第1组第2组第3组温度（）107010701065时间（min）10510表7：3组磷扩实验条件六、三极管管芯制造工艺1、寸底制备：采用低渗杂的P型硅，渗杂浓度低可减少电极的结电容，并提高集电极击穿电压，但渗杂过低又会使埋层推进过多，采用（100）晶面，先切割成厚约450微米的硅圆片，在双面研磨，单面抛光。2、埋层氧化：生长厚约1微米的氧化膜，用作埋层扩散的掩蔽膜3、第一次光刻 埋层光刻 刻出埋层

29、扩散窗口：埋层作用扩散窗口，埋层作用是减小集电极电极串联电阻，减小寄生电容对PNP型晶体管的影响。该步包括涂胶，烘烤，曝光，显影，刻蚀，清洗，去膜，清洗，扩散后用HF酸将氧化层全部去掉。4、外延层淀积：在P型寸底上用气相外延方法淀积一层硅，厚为6 .8微米，整个双极型集成电路制作在这一外延层上。5、隔离区氧化：热氧化生长一层800微米厚的二氧化硅层做隔离扩散的掩蔽膜6、第二次光刻 光刻隔离区：包括涂胶 烘烤 曝光 清洗等步骤7、第三次光刻 光刻基区 决定PNP型晶体管基区及互连电阻的扩散位置和范围，经过氧化，涂胶烘烤 清洗等步骤8蒸铝：淀积铝，厚度约为1毫米，作为互利互连金属及接触金属层苏州健

30、雄职业技术学院-电气工程学院7、 作业指导书单位名称第三组项目名称：制造三极管的生产工艺文件工艺名称清洗工艺文件编号： 20160929-1所需设 备清单清洗设备工艺步骤工艺内容相关标准一、作业流程：  清洗前准备-清洗-甩干- 数据记录 其中：清洗(弱酸、高纯水、试剂A、试剂B、高纯水、高纯水、高纯水) 二、作业步骤 1. 清洗前准备，把硅片按25片一篮放置于硅片篮中(必须戴手套作业，并于水中作业)，打开清水机下面进水阀门，把7个清洗槽水放满，更换药剂： a. 在弱酸槽中放置2Kg柠檬酸； b

31、. 在药剂A、B槽中均放置2L君合达克罗JH-15A型硅片清洗药剂与1L君合达克罗JH-15B型硅片清洗药剂； 注：A药剂的使用根据不同工艺进行变更；B药剂的添加每清洗6000±500片单晶，药剂A和B两槽中必须各加1L君合达克罗JH-15A型硅片清洗药剂和0.5L君合达克罗JH-15B型硅片清洗药剂，再次到规定数量后全部更换。 2.  清洗a.  按下清洗机电源按钮，加热按钮，鼓泡按钮，调整加热升温 槽号 1 2 3 4 5 6 7 溶剂

32、60;弱酸 高纯水 试剂A 试剂B 高纯水 高纯水 高纯水 水温 45 30 65 60 45 35 30              b.  b. 将硅片整盒分两行放入不锈钢花篮中(为确保清洗效果，注意两行的间距)。 c. 待水温达到设定温度后，把放好硅片的花篮依次放入17#槽中

33、，打开超声波，每槽分别清洗4.55分钟，取出放在清洗机头不锈钢台上滤干水。 3.  甩干a.  按下甩干机的开门按钮，待上盖打开后，从花篮中取出整盒硅片放在甩干机的夹具中； b. 同时按下两个关门按钮，直至上盖合严，按下启动按钮开始甩干； c. 甩干机作业的参数按下表格设定 项目 转速 油温 时间 设定值 500-600r/min 110-120 240s d. 240秒后甩干自动停止，按下开门按钮，取出硅片放到包装车间传递口

34、。四、注意事项 1. 在整个作业过程中不可用手直接接触硅片，必须戴手套作业； 2. 作业人员应掌握每次清洗后污片的数量，并记录在清洗机存在记录表( )中，以判断是否需要更换试剂； 3. 作业人员必须时刻关注好各槽的温度，确保硅片清洗干净； 4. 作业过程中5、6、7三槽高纯水必须时刻保持是流动水； 5. 对于篮数少于6篮的硅片，甩干过程中必须对称放置，以防止硅片被甩破； 6. 作业人员对清洗机和甩干机不定时检查，并详细记录在清洗甩干点检表( )中；

35、0;7. 硅片下棒后，必须在2h内进入清洗机清洗  对于多晶而言，与单晶的基本类似，不同处在于： 槽号 1 2 3 4 5 6 7 溶剂 弱酸 纯水 试剂A 试剂B 高纯水 高纯水 高纯水 水温 35 45 75 75 45 35 30 注意事项：柠檬酸每3个小时换一次；    

36、       硅片下棒后，必须在2.5小时内进入清洗机清洗。工艺设计者： 谢威 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日指导教师： 陈邦琼 57三极管的生产工艺文件单位名称第三组项目名称：制造三极管的生产工艺文件工艺名称烘干工艺文件编号：20160929-2所需设 备清单烘干机工艺步骤工艺内容相关标准1、先打开总电源。2、打开排风扇。3、将待烘干之产品放进烘干炉。4、根据工艺流程单确认材质后再设定温度，MPET膜烘烤温度：100120；MPP膜烘烤温度：8595。4、调好时间、温度，将浸漆产品室温放置2小时

37、以上后放入烘干炉，温度为：设定温度(2.5H)，对室温存放时间少于2小时的待烘干产品，即按50（0.5H）再升至设定温度（2H）共2.5H。5、 烘烤放入时间及出炉时间达到要求即可开炉冷却到常温（30左右）推出，流入下一工序。作业完毕后关闭总电源.工艺设计者： 谢威 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 09 月 29 日指导教师： 陈邦琼 三极管的生产工艺文件单位名称第三组项目名称：制造三极管的生产工艺文件工艺名称金属化工艺文件编号：20160929-3所需设 备清单金属机工艺步骤工艺内容相关标准一种用于共晶焊的硅片背面金属化工艺，属于半导体器件制造工艺技术领域。该发明工艺使用锡(Sn)

38、、铜(Cu)或锡、锑(Sb)的合金，合金蒸发采用特定的工艺条件，完全达到常规使用金系合金材料工艺的技术性能，且工艺性能有所突破，能满足小到0.30毫米×0.30毫米尺寸的管芯封装，具有成本低和适用面广的优点。工艺设计者： 谢威 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 09 月 29 日指导教师： 陈邦琼 三极管的生产工艺文件单位名称第三组项目名称：制造三极管的生产工艺文件工艺名称光刻显影工艺文件编号：20160929-4所需设 备清单工艺步骤工艺内容相关标准一种光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光

39、敏材料层表面；保持所述半导体晶片静止T时间或间歇性旋转所述半导体晶片，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；其中，在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。本发明能够减少或消除半导体晶片表面的光刻胶残留的缺陷。工艺设计者： 谢威 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 09 月 29 日指导教师： 陈邦琼 八 、光刻（模板图）1光刻工艺是集成电路中最关键的工艺，光刻是一种复印图像和化学腐蚀相结合的综合性技术。2概念：光刻一般是通过一系列生产步骤将晶元表面薄膜的特定部分去除并得到所需图形的工艺3光刻的目的光刻实际是图形的转移，把掩膜板上的图形转移到晶元的表面4 正性光刻复制到晶元表面的图形与掩膜上的图形一致，被紫外线曝光后的区域经历呢一系列化学反应这种方法叫做正性光刻5负性光刻受到光照的光刻胶会因为交联会变得不可溶解于显张液并且会硬化，图形与掩膜板上相反，所以这种光刻被称为负性光刻。单位名