自测题习题参考答案

1、第4章多级放大电路与频率响应自测题填空题1 .在三级放大电路中，已知 陶1|=50, |此|二80, |此|=25 ,则其总电压放大倍 数伐尸,折合为 dBo2 . 一个三级放大电路，若第一级和第二级的电压增益为30dB,第三级的电压增益为20dB ,则其总电压增益为 dB ,折合为 倍。3 .在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ,而前级的输出电 阻则也可视为后级的。4 .在多级直接耦合放大电路中， 对电路零点漂移影响最严重的一级是 , 零点漂移最大的一级是 。5 .集成运放的两个输入端分别为 和 输入端，前者输入信号的极性与输出端极性 ,后者输入信号的极性与输出端极性 。6 .某单级共

2、射放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示，则该放大电路的 Aus1频率响应表达式为 , Ash频率响应表达式为 。7 .在题4.1.7图所示放大电路中，空载时，若增大电容g的容量，则中频电压放大倍数 A1sm将，fL将, fH将；当Rb减小时，fL将。 当带上负载后，fL将。8 .多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级 都;级数越多则上限频率fH越。9 .已知RC耦合放大电路在fL处放大倍数为100,则在fH处放大倍数为 , 中频区放大倍数为。答案：1. 105, 100。2. 80, 104。3.负载电阻，信号源内阻。4.输入级，输出级。5.同相，反相，相同，相反。

3、6.典厘 ；410。7.不1 j(100f)1 j(f 105)变，下降，不变，增大，增大。 8 .窄，低。9. 100, 141。选择题1 . 一个由相同类型管子组成的两级阻容耦合共射放大电路，前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将 。A.削顶失真；B .削底失真；C.双向失真。2 .两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30,现将它们级联后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数 。A.等于60; B .等于900; C.小于900; D.大于900。3 .阻容耦合与直接耦合多级放大电路之间的主要不同是 。A.所放大的信号不同；B.交流通路

4、不同；C.直流通路不同。4 . 一个放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示。(1)中频放大倍数|Asm|为 dB 。A. 20; B. 40; C. 100。(2)上限频率为。A. <100 kHz; B . >100 kHz; C. 100 kHz。(3)下限频率为。A. <100 Hz; B . >100 Hz; C. 100 Hz。(4)当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为 dB。A. 40; B. 37; C. 3。5 .在题4.1.7 图所示阻容耦合共射放大电路中，已知晶体管的3 100,rbe 1kQ,负载开路。试求：(1)若|Ui|

5、10mV ,且信号频率f 1 ,则|Uo |的数值约为 。A. 1V; B. 2V; C.; D, 700mV(2)当f fL时，UO与L&的相位关系为 。A. 45°； B. 45°； C. 225°； D.135°。(3)高频信号输入时放大倍数下降，主要的原因是 。A. g和C2； B.晶体管的非线性；C.晶体管的极间电容和分布电容。6 .在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号为正弦波，则输出信号 。A.会产生线性失真；B.会产生非线性失真；C.为非正弦波；D .为正弦波。7 .如图2.4.4 (a)所示的分压式工作点稳定共射基本放大电路，当

6、射极旁路 电容为47 F,晶体管的结电容为12pF时，测得下限频率为50Hz,上限频率为20kHz。 现将射极旁路电容换为 100 F,管子换为Z电容为 5pF的晶体管，此时的下限频率将 50Hz ,上限频率将20kHz 。A.大于；B,等于；C.小于。8 .具有相同参数的两级放大电路，在组成其各个单管的截止频率处，幅值下 降 。A. 3dB ; B. 6dB; C. 20dB ; D. 9dB。9 .多级放大电路放大倍数的波特图是 。A.各级波特图的叠加；B .各级波特图的乘积；C.各级波特图中通频带最窄者；D.各级波特图中通频带最宽者。答案：1 . CC 2. Co 3. A、CC 4.

7、（1） B; （2） C; （3） C; （4） B。5. （1） C;（2） D; （3） Q 6. Do 7, C、A。8. B。9. A。判断题1 .在多级直流放大电路中，减小每一级的零点漂移都具有同等的意义。（）2 .阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。（）3 .直接耦合放大电路的温漂很小，所以应用很广泛。（）4 .晶体管的共射截止频率fe、特征频率 f、共基截止频率f三者满足fB fT fa。（）5 .在集成电路中制造大电容很困难，因此阻容耦合方式在线性集成电路中几乎无法米用。（）6 .阻容耦合放大电路中的耦合电容、旁路电容越多，低频特性越差，下限频率 越高。（）7

8、.阻容耦合放大电路的电路参数确定后，其电压放大倍数是不随频率变化的固定值。（）8 .在要求 人很低的场合，可以采用直接耦合方式。（）9 .对题4.1.7图所示的基本放大电路， 增大电容G、G将有利于高频信号通过， 即可提高上限频率 fH。（）答案：2、5、6、8 对；1、3、4、7、9 错。习题在题图所示的两级放大电路中，已知Ube 0.7V , 3 50 , rbb 100Q ,Vcc15V,Re15kQ,Rb1133kQ, 心 20kQ,Ri5kQ ,R2200kQ ,Re2 Rl 2k Q。（1）求两级的静态工作点；（2）计算输入电阻R和输出电阻Ro；（3 ）计算中频电压放大倍数 感m。

9、解：（1）第一级共基放大电路的 Q点参数为:UB1Rb12、/R-VccIRb122015 5.66V ,33 201 CQ11 EQ1Ub1 Ubeq 5.66 0.7a0.99mA1 BQ1I CQ10.99mA5019.8 A ,U CEQ1VCC1 CQ1 ( Rc1Rei) 15 0.99 (5 5)5.1V o第二级共集放大电路的Q点参数为:1 BQ2VCCU beqRb2(1白)Re2200 51 215 0.7 47.35 A1 CQ2份IBQ2 50 0.04735 2.37mA ,UcEQ2VccI CQ2Re2 15 2.37 210.26V 。(2)rbe1，26,10

10、0 51 1.44k Q,餐2 0.99100 51262.370.66k Q ,Re1/5/ 27.84Qe1 1+ §51Rorbe2Rb2 / Rc10.66Re2 2/1+%200/5 104.27 Q51(3) R2Rb2 / rbe2(1+ 份)(Q/Rl)200/0.66 51 (2/ 2) 41.06k QAm1R1 / R25/41.06s 丁 50 E154.76Am2(1份)(Re2R)51 (2/ 2)rbe2(1目)(R2Rl)0.66 51 (2/ 2)0.99AmAum1 Am2154.76 0.99 153.21在题图所示的两级放大电路中，已知场效应管

11、的跨导gm 1mS, IDSS 2mA；mdss晶 体管的 3 60 , rbe 0.5kQ , UBE 0.7V;并且 R1 5.1MQ, R 5kQ ,R3 20k Q, R4 5k Q, R5 0.7k Q , R 0.62k Q , R 10k Q, Vdd 28V。试求（1）两级的静态工作点；（2）中频电压放大倍数 A,m、输入电阻R和输出电阻R。解：（1）因为 T1 管的 Ugs 0V ,所以 Idq Idss 2mAU DSQVdd Idq®28 2 5 18VU B2R4Z-VDDR455 28 5.6V20 51 CQ1 EQU B2 U BEQ 5.6 0.7 7

12、.9mAR60.62I BQI CQ7.90.13mA 60U CEVDDIcq(R R) 28 7.9 (0.7 0.62) 17.57V(2)ALgmRL gm(R2/R3/R4/rbe2)331 10 3 (5/ 20/5/ 0.5) 1030.41AUm2型& 60 (0.7/10)78.5Amrbe2Am1 AL0.410.5(78.5) 32.19Ri 5.1M QR5 0.7k Q两级放大电路如题图所示，已知T1 管的 gm 0.6mA V , T2管的 餐1kQ1kQB 100; Rs 10kQ, Rg 1MQ,% Rg2 200kQ , Rd1 10kQ , RRc

13、2k Q, R20k Qo试求（1)电路的R和R; （2）中频电压放大倍数AUm源电压放大倍数AUsm。解：（1） R&Rg1 Rg2(2)ALgm(Rd1rbe)1+ gmRf0.6 (10/1)1 0.6 10.34Am2P(RRl)100 (2/ 20)Amrbe圈,成cUm1 um2181.820.34 ( 181.82)61.82usm111.13 61.82 61.261.1 10 10 103 200/200 1.1MQ； Ro Rc 2k Q0.7V ,两级放大电路如题图所示，已知两只晶体的 3 80 , rbb 200 Q, UBE1UBE2 0.2V; Rb1 40

14、k Q,Rb220k Q, R1 2k Q, R1 3.3k Q,Re2Rc2 3kQ , Rl 6kQ ,"12V。试求（1）两级的ICQ、U ceq ； （2）中频Am及其分贝数；（3） R和Ro。解：（1） UbiVcc20 12 4V40 20I CQ1U B1 U BE1I EQ1 Re14 0.7 1mA3.3(I CQ1I BQ2)Ri=(i+ B)I BQ2 Re2+UEB2I BQ2I CQ1 Rc1 U EB2 1 2 0.2 =0.022mAR1(1+ SIBQ2 Re2+I CQ2份 IBQ2 80 0.022 1.76mAU ceqiU CEQ2VccVcc

15、(I CQ1 I BQ2 ) Rc1 I CQ2 ( Re2 Rc2 )I EQ112Ri 121.76 (1(1 0.022) 23)4.96 V3.36.74 V(2) rbeirbb(1p) 26(mV)I eqi (mA)200一 2681 12.31kQrbe2rbb(1) 26(mV)I eq2 (mA)200“ 26811.761.4k QAm1B Ri be2 (1Am2AUmGDum(3) RRobe180 2/(1.4 81 1) 67.622.31B(Rc2R)rbe2AU(1AL3)Re267.6220lg Aum80 (3/ 6)-1.941.4 81 1(1.94)

16、 1311820lg131.18 42.36dBRb1 / Rb2 / rbe140/ 20/ 2.31 1.97k QRc23k Q两级放大电路如题图所示,已知晶体管的3 40 , rbe1 1.37k Q ,rbe20.89k Q ,Ube 0.6V； Rb1 33kQ, 电 8.2kQ , Q 10k Q, Ri 390Q,Re1 3k Q ,(2)中频Am、Re2 10kQ, Rl 10kQ, V” 20V 。试求（1）各级静态工作点;R 和 Ro。R 2R28.2解：(1) Ubi空Vcc 20 3.98VRb1Rb233 8.21 CQ11 EQ13.98 0.60.39 30.9

17、97mA1 BQ1I CQ10.997400.025mA份 I BQ2 R2 Vcc(1 BQ21 CQ1 ) RU BE2 (120 0.6 0.997 1010 41 10U CEQ1VCC(I CQ10.022mA20IBQ2)Rc1MERi)(0.997 0.022) 10 0.997 (0.39 3) 6.43VIcq2 3bq2 40 0.022 0.88mAUcEQ2 VccICQ2 R2 20 0.88 10 11.2VQN<_/QN eN(2)R2rbe2(1良)(Re2R) 0.89 41 5 205.89k QAUm10(Rc1R2)40 (10/205.89)21

18、97展1 (1 R11.37 41 0.39AUm2(1也)(Re2RL)41 (10/10)展2 (1阳(QRl)0.89 41 (10/10)0.996Am Am1 AL21.97 0.99621.88R Rb1Rb2be1 (10)Re1 33/8.2/(1.3741 0.39) 4.77kQ展2 Ro1%2Rc1 0.89 10RoRe23olRe2 匹c1 10/ 0.26k Q1比1比41电路如题图所示，已知两只晶体管参数相同，3 100, rbb 100Q ,Ube 0.7V ; R 100kQ , R2 50k Q , R3 1kQ , R4 2kQ , R 4.9k Q ,

19、& 10k Q , R7 10k Q , Vcc 12V。试求（1）两管的静态工作点；（2）电路为何 组态？画出微变等效电路；（3）中频A,m、Ri和Ro。R2VCCU BEQ解：(1 ) I CQ1 I CQ2 2R也 12 0.7150 1.65mA2(2)(3)因为I BQ1U B2U CEQ1U CEQ2I BQ2I CQ2VccU B2 U BE2VCCU R316.5 A10 c124.9 10Ur4 8.05U CEQ1 U R48.05 V0.7 1.652 4.05V12 1.651 4.05 1.65 2 3V电路为共射一共基组态。微变等效电路如题图解所示。rbe1

20、R2Aum1屈m2Amrbe2rbb(1R R2 / rbe1R3 1kQ展21.69国 101be1份含肾100 101100/50/1.691.61kQ0.0167k Q ，所以100 0.0167 0.99MrR7)rbe2Am1 AUm21.69100 (1/10)1.690.99 53.79某放大电路的电压放大倍数复数表达式为单位为Hz。（1）求中频电压放大倍数及增益; 波特图。解：（1）3103 jf 1001 jf 100 1 jf 10553.7953.25则 A,sm(2) fL-26- 1.69kQ1.653_210 (jf 10 )(1 jf 102)(1 jf 105)

21、'（2）求上、下限截止频率；（3）画出Asm jf 1001 jf 100 1 jf 10520lg Ausm 201g103 60dB_5100Hz, fH 105 Hz(3)参见图 4.2.16 。假设两个单管共射放大电路的对数幅频特性曲线分别如题图（a）、（b）所示。(1)分别说明两个放大电路的中频电压放大倍数1Am |各等于多少？下限频率 fL和上限频率fH各等于多少？ (2)试判断两个放大电路分别采用的是什么耦合方式(阻容耦合、直接耦合)；(3)分别画出两个放大电路相应的对数相频特性曲线。(a)(b)题图解：(1)由图看出， 20lg |Ami | 40dB ,求的 1Alm

22、i | 100 , fL1 20Hz , fHi 500kHz ;20lg|Aim2| 30dB,求的 1Am2| 31.62, % 0, J 1.5MHz(2)第一个电路采用的是阻容耦合，第二个电路采用的是直接耦合。(3)相频特性曲线如图所示。(a)(b)题图解固定偏置共射电路如图 2.2.1(b)所示。已知 rbb100Q , rbe 900Q ,gm0.04S,。工 500pF。并且 R1kQ , C1 2 f, Rb377k Q , Rc 6k Q,C2 5 pF, Rl 3kQ。(1)求中频电压放大倍数；(2)求上、下限截止频率；(3)画出波特图。解：(1)rbe rbb rbe 1

23、00 900 1kQ(2)fL1fL2gmrbe 0.04 900ARRl)3636 (6/3)1722KR + Rrbe)C12n (1+377/1) 103 2 10 639.86Hz2 n 22 <Rc+ Rl)C2 2n (6 + 3) 103 5 10 63.54Hz故 fLfL1 39.86HzfH2nrbe(bbRs/Rb) Ck30.64MHz0.9/(0.1+1/377)103 500 10 12(3)参见图 4.2.16 。在图 2.4.4 (a)中，已知 rbb 100Q, 3 100, C 4pF, fT 150MHz o 并且 C1 C2 10，Ce 30F,

24、Rs 300 Q , Rb1 56k Q, Rb2 16k Q, Rc 6k Q, Re 3k Q, Rl 12kQ , VCc 18V。( 1)计算静态工作点； 求 R、R、A.m 和 AUms ；(3)求上、下限截止频率；(4)画出波特图。解：（1） UB一R2VCC1618 4VRb1 R256 161.1mA. Ub 0.7 4 0.7ICQ I EQ I BQ1.1100Re311 AUceqVcc Icq(Rc Re) 18 1.1 (6 3) 8.1V26(mV)26(2) rbe rbb(1份-100 101 2.49k QI eq (mA)1.1(3)故fL故fHRoAmAU

25、smfL1fL2fL3fL3gmfH1fH2% Rb2 / rbeRc 6k QRR/Rl)2MR+RJG56/16/ 2.49 2.07k Q2<Rc +Rl)C22 n Re/100 (6/12)2.49160.642.072.07 0.3160.64140.3112 支(0.3+ 2.07) 103 10 10 66.72Hz1 36 0.88Hz 2 支(6+12) 103 10 10 6rbeRs/Rb1Rb2cCec °2.49 + 0.3/56/162 3 3/191.34Hzgm2 fT101191.34Hz103 30 10-61002.49 0.1(2.49

26、 0.1)41.84mA/V(1 gmR)g 44.4212 71rbe(bbRR"/Rb2)Ck2 2 2.39/(0.1 +2MRc/Rl)Q0.66MHz(4)参见图 4.2.16 。iO00 250 106 44.42PF41.84 (6/12)4 717.86pF30.3/56/16) 10 717.86 101_3122 n(6/12) 103 4 10 12多级阻容耦合放大电路如题图所示。已知Ti管的gm mB 50,% 1kQ； Rg元 0.66MHz9.95MHz2mA V , T2、T3 管的2MQ, Rd 3kQ , Rs1 0.2k Q, Rs2 1kQ , R1 90k Q,Rb230k Q ,R22kQ,R