材料科学基础选择题

1、11、 极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结 构类型发生变化。A:共价键向离子键B:离子键向共价键C:金届键向共价键D:键金届向离子键2、 离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B）,离子配位数（）0A:增大，降低B:减小，降低C:减小，增大D:增大，增大3、 氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。A: 5B: 6C: 4D: 34、NaCl单位晶胞中的分子数”为4, Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C: 1/2四面体D: 1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的 分子数”为1, Cs+填充在Cl-所构成的（

2、C）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:全部立方体D: 1/2八面体6、MgO晶体届NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套。的面心立方 格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。A: 2B: 4C: 6D: 87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。A:八面体空隙的半数B:四面体空隙的半数C:全部八面体空隙D:全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8, F-配位数为（B）。A: 2B:4C: 6D: 89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8, Cl-的配位数为（D）。A: 2B:4C: 6D: 810、 硅酸盐晶体的分类原则是（B）。A:正负离子

3、的个数B:结构中的硅氧比C:化学组成D:离子半径11、 皓英石ZrSiO4是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构12、 硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+M代，这种现象称为（C）。A:同质多晶B:有序一无序转变C:同晶置换D:马氏体转变13、镁橄榄石Mg2SiO4是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构214、 对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序3为（A）。A:沸石萤石MgOB:沸石MgO萤石C:萤石沸石MgOD:萤石MgO沸石15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价 阴离子的

4、配位数为（B）。A: 2B:4C: 616、构成硅酸盐晶体的基本结构单元SiO4四面体，两个相邻的SiO4四面体之 间只能（A ）连接。A:共顶B:共面C:共棱D:A+B+C光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下D）。18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结 果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移B:攀移C:增值D:减少19、 对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:负离子空位B:间隙正离子C:间隙负离子D: A或B20、 对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷

5、，为了保持电中性，会产生（D）。A:正离子空位B:间隙负离子C:负离子空位D: A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（D）。A:稳定晶格B:活化晶格C:固溶强化D: A+B+C22、 固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条件D: 817、点缺陷与材料的电学性质、点缺陷中届于本征缺陷的是（A:弗仑克尔缺陷C:杂质缺陷B:肖特基缺陷D: A+B4D:结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体

6、的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。A:点缺陷B:线缺陷C:面缺陷D: A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。A:热缺陷B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷D: A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。A:线性增加B:呈指数规律增加C:无规律D:线性减少26、 间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。A:杂质质点大小B:晶体（基质）结构C:电价因素D: A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永 久形变。A:外力B:热应力C:化学

7、力D:结构应力28、柏格斯矢量（Burgers ector）与位错线垂直的位错称为（A ）,其符号表示为（）。A:刃位错；B:刃位错；VX C:螺位错；D:刃位错；29、 热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原 子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（B）。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、 热缺陷

8、亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原 子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）时，（A）。A:间隙和空位质点同时成对出现B:正离子空位和负离子空位同时成对出现C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D:正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。5A:位错不一定是直线B:位错是已滑移区和未滑移区的边界C:位错可以中断于晶体内部D:位错不能中断于晶体内部32、 位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。A:螺位错只作滑移，刃位错既可滑移乂可攀移B:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C:螺位错只作攀移，刃位错既可滑

9、移乂可滑移D:螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、 硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（A:组成B:温度C:时间D: A+B+C34、 当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（A:降低；增加B:不变；降低C:增加；降低D:增加；不变35、 当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（A:降低；增加B:不变；降低C:增加；降低D:增加；不变36、 硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B）,随温度下降而（B:降低，增大D:降低，降低）的氧化物容易形成玻璃。B:离子键D:金届键D）。B: 2 D: 439、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的桥氧数为（B

10、A: 2.5B: 3C: 3.5D:440、 如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。A:加和效应B:混合碱效应C:中和效应D:交义效应41、 对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A）A:降低B:升高C:不变D: A或B42、 熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响， 一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。A:降低B:升高C:不变D:A或B43、 由熔融态向玻璃态转变的过程是（C）的过程。A:可逆与突变B:不可逆与渐变C:可逆与渐变D:不可逆与突变D）因素的影响。A:增大，降低C:增大，增大37、 由结晶化学观点知，具有（AA:极性共价

11、键C:共价键38、Na2OAl2O34SiO2熔体的桥氧数为（A: 1C: 3644、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（A:突变性B:不变性C:连续性D: A或B45、 熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响， 一般情况下，O/Si减小，表面张 力将（A）。（A）降低（B）升高（C）不变（D） A或B46、 不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易 形成玻璃。A:二分之一B:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三T （Time-Temperature-Transformatioi）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出106

12、体积分数的晶体的时间是最少的，由 此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。A:愈困难B:愈容易C:质量愈好D:质量愈差48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构， 形成玻璃的倾向大小和熔体 中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（A）。A:越不容易B:越容易C:质量愈好D:质量愈差49、当熔体中负离子集团以（C）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻 璃有利。A:低聚合B:不聚合C:高聚合D: A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于 形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。A:增大；不变B:降低；

13、增大C:不变；降低D:增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表 面的质点处于（A ）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。A:较高B:较低C:相同D: A或C51、 由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正 常位置的上、下位移，称为（B）。A:表面收缩B:表面弛豫C:表面滑移D:表面扩张52、 固体的表面能与表面张力在数值上不相等， 一般说来，同一种物质，其固体 的表面能（B）液体的表面能。A:小于B:大于C:小于等于D:等于53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内 层间距与体内（A）。A:不同；相同C:相同

14、；不同C）。Y值。在）,垂直方向的B:相同；相同D:不同；不同754、粘附剂与被粘附体问相溶性（C），粘附界面的强度（）。A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置， 易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C,这种重 排的结果使晶体表面能量趋于稳定。A:收缩B:弛豫C:双电层D: B+C56、 表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（），断裂强度（A）。A:越长；越低B:越长；越高C:越短；越低D:越长；不变

15、57、界面对材料的性质有着重要的影响，界面具有（D）的特性。B:界面上原子扩散速度较快D: A+B+C）液体的内聚功，液体即可在固体表面自B:大于D:等于时，即在润湿的前提下，表面粗糙化后，液B:不变D: A或B时，即在不润湿的前提下，表面粗糙化后，B:不变D: A或B-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值）;相反，粘附功越小，则越易分离。A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越小；越牢固D:越大；不变62、 为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液 -固界面张力（B）。A:降低B:升高C:保持不变D:有时升高，有时降低63、 对于附着润湿而言，附着功表示为W”SV+

16、LV-声L,根据这一原理，（A ）才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。A:尽量采用化学组成相近的两相系统B:尽量采用化学组成不同的两相系统C:米用在高温时不发生固相反应的两相系统D:前三种方法都不行64、 将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去， 则外加组分在表面层的浓A:会引起界面吸附C:对位错运动有阻碍作用58、只要液体对固体的粘附功（B发展开。A:小于C:小于等于59、当液体对固体的润湿角9 90液体与固体之间的润湿（A）。A:更难C:更易61、 粘附功数值的大小，标志着固（B ）,固-液两相互相结合（8度（C）体积内部的浓度。9A:等于B:大亍C:小于D: A或B65、 表面微裂纹是由于

17、晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表 面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（ A ）,断裂强 度（）。A:越长；越低C:越短；越低66、吸附膜使固体表面张力（A:增大C:不变67、 粗糙度对液固相润湿性能的影响是：CA:固体表面越粗糙，越易被润湿B:固体表面越粗糙，越不易被润湿C:不一定D:粗糙度对润湿性能无影响卜列关于晶界的说法哪种是错误的。AA:晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B:晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C:晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D:晶界易受腐蚀69、相平衡是指在多相体系中，物质在各相问分布的平衡。相平衡时，各相的组 成及数量均不会随时间

18、而改变，是（C）。A:绝对平衡B:静态平衡C:动态平衡D:暂时平衡70、二元凝聚系统平衡共存的相数最多为3,而最大的自由度数为（A）。B:3C:471、热分析法是相平衡的研究方法之一，时间的变化情况来判断系统中是否发生了相变化，该方法的特点是（A:简便C:能确定相变前后的物相72、淬冷法是相平衡的研究的动态方法，A:准确度高C:适用于相变速度快的系统73、可逆多晶转变是一种同质多晶现象，A:低于C:等于74、不可逆多晶转变的多晶转变温度（B:越长；越高D:越长；不变B）。B:减小D: A或B68、A:2D:5其原理是根据系统在冷却过程中温度随D）。B:测得相变温度仅是一个近似值D: A+B其特

19、点是（D）。B:适用于相变速度慢的系统D: A+B多晶转变温度（A ）两种晶型的熔点。B:高于D: A或BB种晶型的熔点。10A:低于B:高于C:等于D: A或B75、 在热力学上，每一个稳定相有一个稳定存在的温度范围，超过这个范围就变成介稳相。在一定温度下，稳定相具有（C）的蒸汽压。A:最高B:与介稳相相等C:最低D: A或B76、多晶转变中存在阶段转变定律，系统由介稳状态转变为稳定态不是直接完成的，而是依次经过中间的介稳状态，最后变为该温度下的稳定状态。最终存在的晶相由（D ）决定。A:转变速度B:冷却速度C:成型速度D: A与B77、二元凝聚系统的相图中，相界线上的自由度为（C）。A:

20、3B: 2C: 1D: 078、 根据杠杠规则，在二元凝聚系统的相图中，如果一个总质量为M的相分解为质量Gi和G2的两个相，则生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的 组成点之间线段（B。A:成正比B:成反比C:相等D: A或C79、三元相图中，相界线上的自由度为（C）。A: 3B:2C:1D: 080、 固体中质点的扩散特点为：（D）。A:需要较高温度B:各向同性C:各向异性D: A+C81、 在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，后者引起的扩散为（C）。A.五扩散B:无序扩散C:非本征扩散D:本征扩散82、 固体中质点的扩散特点为：DA:需要较高温

21、度B:各向同性C:各向异性D: A+C83、扩散之所以能进行，在本质上是由于体系内存在（A）。A:化学位梯度B:浓度梯度C:温度梯度D:压力梯度84、固溶体的类型及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大影响。贝UH、C、Cr在丫Fe中扩散的活化能的大小顺序为（B）。B: QcrQCQHA:QHQCQC11D: QcrQHQC85、晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在 （A ）的关系。A: Ds Dg DbB: Db Dg Ds DbD: Dg Ds空位扩散C:易位扩散 间隙扩散空位扩散91、一般晶体中的扩散为（D）。A:空位扩散C:易位扩散92、由肖特基缺陷引起的扩散

22、为（AA:本征扩散C:正扩散93、空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子, 散机制适用于（C ）的扩散。A:各种类型固溶体C:QCQHQCrC:相反90、由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同在易位扩散、间隙扩散和B:易位扩散1、可隙扩散=空位扩散D:易位扩散1、可隙扩散空位扩散B:间隙扩散D: A和BB:非本征扩散D:负扩散而原子反向迁入空位，这种扩B:间隙型固溶体D: A和BC）。12C:置换型固溶体1394、 扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构（A），扩散（A:越紧密；越困难B:越疏松；越困难C:越紧密；活化能越小D:越疏松；活化能越大95、 不同类型的固溶体具有不同的结构

23、， 其扩散难易程度不同，间隙型固溶体比 置换型（D ）。A:难于扩散B:扩散活化能大C:扩散系数小D:容易扩散96、 扩散相与扩散介质性质差异越大，（B）。A:扩散活化能越大B:扩散系数越大C:扩散活化能不变D:扩散系数越小97、 在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（D）,使得扩散系数增大。A:增加缺陷浓度B:使晶格发生畸变C:降低缺陷浓度D: A和B98、 通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要 是（A ） oA:本征扩散B:非本征扩散C:互扩散D: A+B99、 按热力学方法分类，相变可以分为一级相变和二级相变， 一级相变是在相变 时两相化学势相等，其一阶偏微嫡不相等，因此一级相变（B）。A:有相变潜热，B:有相变潜热，C:无相变潜热，D:无相变潜热，100、二级相变是指在相变时两相化学势相等，其一阶偏微嫡也相等，而二阶偏 微嫡不等，因此二级相