(整理)DRAM,SRAM,SDRAM的关系与区别.

1、精品文档存储器类型分析本文为设计类容为存储器类型分析，大部分资料来源于网络，经过个人整理 形成本文档，希望对大家有所帮助。-flyownway存储器介绍存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计 算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运 行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存 储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。按用途存储器可分为 主存储器（内存）和辅助存储器（外存），也有分为外 部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的

2、数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关 闭电源或断电，数据会丢失。构成构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最 小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个 CMOS晶体管或磁性材料的存 储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再 由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。每个存储单元的位置都有一个编号，即地 址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为 它的存储容量。假设一个存储器的地址码由 20位二进制数（即5位十六进制数） 组成，则可表示2的20次方，即

3、1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个 字节，则该存储器的存储容量为1MB。分类按存储介质分半导体存储器：用半导体器件组成的存储器 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。精品文档精品文档按存储方式分随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取， 且存取时间和存储单元 的物理位置无关。顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。按存储器的读写功能分只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导 体存储器。随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。按信息的可保存性分非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器：断电

4、后仍能保存信息的存储器。按存储器用途分根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高 速缓冲存储器、控制存储器等。为了解决对存储器要求容量大，速度快，成本低三者之间的矛盾，目前通常 采用多级存储器体系结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。名称用途特点高速缓冲存储 器Cache高速存取指令和数据存取速度快，但存储容量小主存佃命内存存放计算机运行期间的大量程序和数据存取速度较快，存储容量外存储器外存存放系统程序和大型数据文件及数据库存储容量大，位成本低功能存储器功能寻址方式掉电后说明随机存取 存储器(RAM)读、写随机寻址数据丢失只读存储器(ROM)读随机寻址数据小工

5、 失工作前写入数据闪存(Flash读、写随机寻址数据小工 失Memory )先进先出 存储器(FIF。读、写顺序寻址数据丢失先进后出 存储器(FILO)读、写顺序寻址数据丢失各类存储器RAMRAM (random access memory ,随机存取存储器)。存储单元的内容可按需 随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器 在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM , SRAM)和动态随 机存储器(Dynamic RAM , DRAM)。SRAMSRAM (Static RAM

6、 ,静态随机存储器)，不需要刷新电路，数据不会丢失， 而且，一般不是行列地址复用的。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内 存，一般是用在处理器的缓存里面。像 S3c2440的ARM9处理器里面就有4K 的SRAM用来做CPU启动时用的。SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的 SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目 前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的 网络服务

7、器以及路由器上能够使用 SRAM 。DRAMDynamic RAM ,动态随机存取存储器，每隔一段时间就要刷新一次数据， 才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SDRAM是其中的一种。SDRAMSDRAM （Synchronous DRAM ,同步动态随机存储器），即数据的读写需 要时钟来同步。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较 SRAM大。但是读写速度不 如 SRAM。一般的嵌入式产品里面的 内存都是用的SDRAM。电脑的内存也是用的这种 RAM,叫DDR SDRAM ,其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电 路，每隔一段

8、时间必须得刷新数据。ROMRead-Only Memory ,只读存储器的总称。在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM （Read Only Memory ,只读存储 器）中。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被 烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的 资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不 用，重新订做一份。ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大 批量应用的场合。PROM可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像 那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。E

9、PROMEPROM （Erasable Programmable ROM ,可擦除可编程 ROM）芯片可重 复擦除和写入，解决了 PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃 窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯 片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加 一定的编程电压（VPP=1224V,随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号 是以27开头的，如27C020（8*256K）是一片2M Bits容量的EPROM芯

10、片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受 到周围的紫外线照射而使资料受损。EPROM芯片在空白状态时（用紫外光线擦除后），内部的每一个存储单元的数据都为 1 （高电平）。EEPROMEEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM ,电可擦可编程只 读存储器），一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM是可用户更改的只读存储器，其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写），即可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息并重新编程。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改，是现在用得比较多的存储器，比如

11、24CXX系列的EEPROM。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的， EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM的一种特殊形式是 闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写 和重编程。EEPROM 一般用于即插即用（Plug & Play ）,常用在接口卡中，用来存放 硬件设置数据，也常用在防止软件非法拷贝的 “硬件锁"上面。闪存(Flash )闪存（FLASH）是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不 像RAM （随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代 RAM。闪存卡（Flash Card ）是利用闪存（F

12、lash Memory ）技术达到存储电子信 息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑， MP3等小型数码产品中作为存 储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂 商和不同的应用，闪存卡大概有 U盘、SmartMedia （SM卡）、Compact Flash （CF 卡）、MultiMediaCard （MMC 卡）、Secure Digital （SD 卡）、Memory Stick （记忆棒）、XD-Picture Card （XD 卡）和微硬盘（MICRODRIVE ）。这 些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。NAND FLASH和NOR F

13、LASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。设计实现采用的并行接口，有独立的地址线和数据线，性能特点更像内存，是芯片内 执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不 必再把代码读到系统RAM中。NAND采用的是串行的接口 ,地址线和数据线是共用的I/O线，类似电脑硬 盘。CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用 NAND做闪存的话就必须把 NAND里面的数据先读到内存里面，然后 CPU才能够执行。但是它的集成度很 高，成本很低。还有就是它的擦除速度也的 NOR要快。其实NAND型闪存在设 计之初确实考虑了与硬盘的兼容性，小数据块操作速度很慢

14、，而大数据块速度就 很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意性能对比flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编 程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情 况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简 单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为00由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操 作的时间为5s,与此相反，擦除NAND器件是以832KB的块进行的，执行 相同的操作最多只需要4ms 0执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR和

15、NADN之间的性能差距，统 计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在 基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下 的各项因素。 NOR的读速度比NAND稍快一些 NAND的写入速度比NOR快很多 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少,接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存 取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可 能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和

16、数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作， 很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单， NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大部分，而 NAND flash只 是用在8128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中， NAND 适合于数据存储，NAND 在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和MMC存储卡市场上所占份额最

17、大。可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是 可靠性。对于需要扩展MTBF 的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏 块处理三个方面来比较 NOR和NAND的可靠性。寿命（耐用性）在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次， 而NOR的擦写次数是 十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺 寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要 少一些。位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些卜#况下（很少见，NAND发生 的次数要比NOR多），一个比特位会发生反转或被报告反转

18、了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上， 这个小小的故 障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测 /错误更正（EDC/ECC） 算法。位反转的问题更多见于 NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪 存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本 地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现 成品率太低，代价太高，根本不划算

19、。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可 用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障 率。易于使用可以非常直接地使用基于 NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可 以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂 家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向 NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味 着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘 仿真和闪

20、存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样 操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序 （MTD）, NAND和NOR 器件在进行写入和擦除操作时都需要 MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR 器件的更高级软件，这其中包括 M-System的TrueFFS驱动，该驱动被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian 和 Intel 等厂商所驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、 坏块处理和损

21、耗平衡。应用环境NOR型闪存现在的容量一般在2M左右，比较适合频繁随机读写的场合， 通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行， 手机就是使用NOR型闪存的大户， 所以手机的“内存”容量通常不大。另外用在代码量小的嵌入式产品方面，可以 把LINUX操作系统剪裁到2M以内在其上面直接运行。NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存 储卡、U盘、MP3等。另外用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面， 比如LINUX啊，WINCE啊。当然也可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内在 NOR Flash上运行。但是很多时候，一个嵌入式产品里面，操作系统占的存储 空间只是一小部分

22、，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百 G,可是 WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几 G而已。总结:简单地说，在计算机中，RAM、ROM都是数据存储器。RAM是随机存取 存储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。 ROM通常指固化存储器（一次写 入，反复读取），它的特点与RAM相反。ROM又分一次性固化（PROM）、光擦除（EPROM ）和电擦除（EEPROM ） 重写几种类型。举个例子来说也就是，如果突然停电或者没有保存就关闭了文 件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件但是 RAM会使之前没有保存 的文件消失。RAM又分为静态随机存储器（SRAM ）和动态随机存储

23、器（DRAM）。问与答问题 1:什么是 DRAM、SRAM、SDRAM?答：名词解释如下DRAM动态随即存取器，需要不断的刷新，才能保存数据，而且是行列地址复用的，许多都有页模式SRAM静态的随机存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般不是行列地址复用的SDRAM同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步问题2:为什么DRAM要刷新，SRAM则不需要？答：这是由RAM的设计类型决定的，DRAM用了一个T和一个RC电路，导致电容会漏电和缓慢放电，所以需要经常刷新来保存数据问题3:我们通常所说的内存用的是什么呢？这三个产品跟我们实际使用有什么关系？答：内存（即随机存贮器RAM）可分为

24、静态随机存储器SRAM,和动态随机存储器 DRAM两种我们经常说的 内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。问题4:为什么使用 DRAM比较多、而使用 SRAM去K艮少？答：1）因为制造相同容量的 SRAM比DRAM的成本高的多，正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前 SRAM基本上只用于 CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAMo2）存储单元结构不同导致了容量的不同：一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM

25、大，但是读写速度不如SRAMo问题5:用得最多的 DRAM有什么特点呢？它的工艺是什么情况？（通常所说的内存就是 DRAM）答：1） DRAM需要进行周期性的刷新操作，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash精品文档精品文档Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。2)DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在，SDRAM 的速度也已经很快了，时钟好像已经有150 兆的了。那么就是读写周期小于10ns 了。3)SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以