史上最全的半导体材料工艺设备汇总

1、小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。1、单晶炉Single crystal siliconQuartz crucibleWater-cooled chamberInsulation cylinderHeaterGraphite crucibleCrucible supportElectrode设备名称：单晶炉。设备功能；熔融半导体材料，拉单晶，为后续土器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG 司、5 - ierrotec公司、美国QUANTUM DESI（fl公司、復国Gero公司、美国 KAYEX公司。国：京运通.七星华创.京仪世纪、晶龙

2、.理工晶科、华盛天龙、汉虹、华德、中国电子科技集团第四十 八所、申和热起、上虞晶盛、耐特克、晶阳.江南、科晶材料技术、科仪公司。2、气相外延炉设备名称：气相外廷炉。设各功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实現在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶 体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结 构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。主要企业(品牌)：国际：美国CVD Equipmen 匚美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、 美国科待莱思科(Kurt J. Lesker)公司、美国Ap

3、plied Materials公司。国：中国电子科技集团第四十八所、赛瑞达.科晶材料技术、金盛徼纳、力冠电子科技。3、分子束外延系统(MBEt Molecular Beam Epitaxy System)设备名称：分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供祀沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备 单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。主要企业（品牌）：国际：法® Riber公司、美国Vceco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVTAssociates公司、美国 NBM 公司、德国 Omicmn 公司

4、、徳国 MBE-Komponenten 公司、英 ® Oxford Appl icd Research （OAR）公司。 国：中科仪器、汇德信科技.匡泰仪器设备、科友奠空技术。4、氯化炉（VDF）设备名称：氧化炉。设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛国实现半导体预期设计的氧化处理过程，是 半导体加工过程的不可缺少的一个环节。主要企业（品牌）,国际：英国 Thermco 公司、復国 Centrothermtherma 1 solutions GmbH Co. KG 公司。国：七星华创.福润復.中国电子科技集团笫四十八所、旭光仪表设备、中国电子科技集团第四十五所。5、低压

5、化学气相淀积系统(LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition System)设备名称：低压化学气相淀枳系统设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCV1）设备的 及应室，在衬底表面发生化学反应生成薄，膜。主要企业（品牌）：国际：日本日立国际电气公司.国：驰舰半导体科技、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、仪器厂.机械厂。6、等离子体增强化学气相淀积系统(PECVD, Plasma Enhanced CVD)设备名称：等离子体増强化学气相淀枳系统设备功能：崔沉积室利用辉光放电，使其电离

6、后柱衬底上进行化学反应，沉积半导体薄鎂材料。主要企业(品牌)：国际：美国Proto Flex 司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国送林半导体(Lam Research)公司、 荷兰ASM国际公司。国：中国电子科技集团第四十五所.仪器厂、机械厂。7、磁控滋射台(MagnetronSputter Apparatus)设备名称：磁控濺射台。设备功能：通过二极液射中一个平行于靶表面的封闭彼场，和视表面上形成的正交电磁场，把二次电子束 缚在耙表面待定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄 膜。主要企业（品脾：国际：美国PVD公司、美国Vapor tech公司

7、、美E AMAT公司、荷兰Hauzer 司.英国Teer公司.瑞士 P latit公司、瑞士 Balzers公司、德国Ccmecon公司。国：仪器厂、中科仪器.南光实业股份、中国电子科技集团第四十八所.科容设备.机械厂。8、化学机械抛光机(CMP, Chemical Mechanical Planarization)设备名称：化学机確抛光机设备功能：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。 主要企业（品牌）：国际：美国Applied Materials公司、美国诺发系统公司、美国Rtcc公司、。国：兰新高科技产业股份、爱立特徵电子。9、光刻机(Stepp

8、er, Scanner)设备名称：光刻机。设备功能：在半导体基材上（硅片表面匀胶，将掩模版上的图形转移光刻胶上，把器件或电路结构临时“复制”到硅片上。主要企业（品牌）:国际：荷兰阿斯麦（ASML）公司、美国眨林半导体公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司. 律国復国SUSS公司、美国MYCRO公司。国：中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所.机械厂、粛光实业股份。10.反应离子刻蚀系统(RIE. Reactive Ion Etch System)设备名称：反应喜子刻蚀系统。设各功能：。平板电极问施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，吏子高速撞击式样.实

9、现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。主要企业（品牌）:国际：日本Eva tech公司、癸国NANOMASTER公司、新加坡REC公司、国JuSung公司、国TES公司<> 国：仪器厂、七星华创电子.南光实业股份、中国电子科技集团第四十八所。11. ICP 等高子体刻蚀系统(ICP, Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System)mciiiiiiiiiiiiiiriniiHiMMiiiitiiiiiiiiiiiiii 设备名称:ICP等廡子体刻蚀系统。9 Bl ! B.口 口。cT设各功能：一种或多种气体原子

10、或分子混合于反应腔室中，柱外部能量作用下（如射频、微波等）形成尊 离子体，一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀表面材料发生化学反应，生成可挥发产物；另一方面等高 子体中的离子在偏压的作用下被引导和加途，实现对待刻蚀表面进行定向的腐蚀和加速腐蚀。主要企业（品牌）：国际：英国牛津仪器公司、美国Tori* ?司、美国Gatan公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国Pe lco公司。国：仪器厂、七星华创电子.中国电子科技集团第四十八所.戈德尔等齊子科技（）控股、中国科学院徼 电子研究所、北方徹电子、中科集成科技股份、创世戚纳科技。12、离子注入机(IBI. Ion Beam Implanting

11、)设备名称：高子注入机。设备功能：对半导体表面附近区域进行揍杂。主要企业（品牌）：国际：美国维利安半导体设备公司.美国CHA公司.美国AMAT公司.Vari an半导体制造设备公司（被AMAT收购）。国：仪器厂、中国电子科技集团第四十八所、南光实业股份、方基経工机械、硅拓徽电子。13、探针测试台(VPT. Wafer prober Test)设备名称：探针测试台。设备功能：通过探针与半导体器件的2d接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。主要企业（品牌）：国际：德国Ingun公司、美国QA公司、美国MicroXact公司、国Ecopia公司.国Leeno公司<>

12、; 国：中国电子科技集团第四十五所、七星华创电子、瑞柯仪器、华荣集团、市森美协尔科技。14、晶片减薄机(Back-sideGrinding)设备名称：晶片减薄机。设备功能：通过抛鹿，把晶片厚度絨薄。主要企业（品牌）：国际：日本DISCO公司、德国G&N公司、日本OKAMOT0公司.以色列Camtek公司。国：兰新高科技产业般份、方达研磨设备制适、市金实力精密研痔机器制造炜安达研磨设备.市华年风 科技。>设备名称：晶圆划片机。设备功能：把晶圆，切割成小片的Die。主要企业（品牌）：国际：復国OEG公司、日本DISCO公司。国：中国电子科技集团第四十五所、科创源光电技术、仪器仪表工艺研究所、西 北机器（原国营西北机械厂709厂）、汇盛电子电子机械设备公司、兰新高科技 产业股份.大族激光、市红宝石激光设备、三工、莱