电子线路的设计2

1、第二章常用电子元器件电子元器件是组成一个电子产品的重要部分。对于电子工程技术人员来说，全面了解 各类电子元器件的结构及特点，正确选择并合理地应用它们，是成功研制电子产品的重要 因素之一。2.1电阻器2.1.1电阻器的命名方法土2 r表2-1电阻器的分类代号及其意义数字或字母代号123456789GTWD意电阻器普通普通超高频高阻高温精密咼压特殊高功率可调义电位器普通普通精密函数特殊微调多圈表2-2电阻器的材料代号及其意义字母代号THSNJYCIX意义碳膜合成膜有机实芯无机实芯金属膜 1氧化膜沉积膜玻璃釉膜线绕例如，RJ71表示精密金属膜电阻器， WSW1A表示微调有机实芯电位器。常见的电阻器外

2、形图如图2.1.1所示。17电子电路设计与实践RJ金加.唤电臥RT娥脱电阴RK线绕电阻仃机实芯电阻图2.1.1常用电阻器外形图2.1.2电阻器的分类及特点在玻璃或陶瓷基体上沉积一层碳膜、金属膜、金属氧化膜等形成电阻薄膜，膜的厚度 一般在几微米以下。（1） 金属膜电阻（型号：RJ）。在陶瓷骨架表面，经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一 层金属膜或合金膜。其特点是：精度高、稳定性好、噪声低、体积小、高频特性好。且允 许工作环境温度范围大（-55+125C）、温度系数低（50100） 电子电路应用最广泛的电阻之一。常用额定功率有 称阻值在10O10M0之间。（2） 金属氧化膜电阻（型号：RY）。在玻璃、瓷

3、器等材料上，1.薄膜类X 10-6/C）。目前是组成1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W 等，标通过高温以化学反应 形式生成以二氧化锡为主体的金属氧化层。该电阻器由于氧化膜膜层比较厚，因而具有极 好的脉冲、高频和过负荷性能，且耐磨、耐腐蚀、化学性能稳定。但阻值范围窄，温度系 数比金属膜电阻差。（3）碳膜电阻（型号：RT）。在陶瓷骨架表面上，将碳氢化合物在真空中通过高温蒸发分解沉积成碳结晶导电膜。碳膜电阻价格低廉，阻值范围宽（1曲10MO）,温度系数为负值。常用额定功率为 1/8W10W，精度等级为± 5%、± 10%、± 20%，在一般电子 产品中大量使用。厶

4、合金类用块状电阻合金拉制成合金线或碾压成合金箔制成电阻，主要包括：（1）线绕电阻（型号：RX ）。将康铜丝或镍铬合金丝绕在磁管上，并将其外层涂以 第二章常用电子元器件仃珐琅或玻璃釉加以保护。线绕电阻具有高稳定性、高精度、大功率等特点。温度系数可做 到小于10-6/C，精度高于± 0.01%，最大功率可达200W。但线绕电阻的缺点是自身电感 和分布电容比较大，不适合在高频电路中使用。0.001%，稳（2）精密合金箔电阻（型号：RJ）。在玻璃基片上粘和一块合金箔，用光刻法蚀出一 定图形，并涂敷环氧树脂保护层，引线封装后形成。该电阻器最大特点是具有自动补偿电 阻温度系数功能，故精度高、稳定

5、性好、高频响应好。这种电阻的精度可达± 定性为± 5X 10-4%/年，温度系数为± 10-6/C。可见它是一种高精度电阻。3 .合成类该电阻将导电材料与非导电材料按一定比例混合成不同电阻率的材料后制成的电阻。 的最突出的优点是可靠性高，但电特性能比较差。常在某些特殊的领域内使用（如航空航 天工业、海底电缆等）。合成类电阻种类比较多，按用途可分为通用型、高阻型和高压型 等。（1 ）金属玻璃釉电阻（型号：RI）。以无机材料做粘合剂，用印刷烧结工艺在陶瓷基体 上形成电阻膜。该电阻具有较高的耐热性和耐潮性，常用它制成小型化贴片式电阻。（2）实芯电阻（型号：RS）。用有机

6、树脂和碳粉合成电阻率不同的材料后热压而成。体积与相同功率的金属膜电阻相当，但噪声比金属膜电阻大。阻值范围为4.7022Md精度等级为± 5%、± 10%、± 20%。（3）合成膜电阻（RH ）。合成膜电阻可制成高压型和高阻型。高阻型电阻的阻值范围为10MO106M0，允许误差为± 5%、± 10%。高压型电阻的阻值范围为4旅g100MQ，耐压分10kV和35kV两挡。（4） 厚膜电阻网络（电阻排）。它是以高铝瓷做基体，综合掩膜、光刻、烧结等工艺, 在一块基片上制成多个参数性能一致的电阻，连接成电阻网络，也叫集成电阻。集成电阻 的特点是温度系数小

7、，阻值范围宽，参数对称性好。目前已越来越多的被应用在各种电子设备中。4 .敏感类使用不同材料和工艺制造的半导体电阻，具有对温度、光照度、湿度、压力、磁通量、气体浓度等非电物理量敏感的性质，这类电阻叫敏感电阻。利用这些不同类型的电阻，可 以构成检测不同物理量的传感器。这类电阻主要应用于自动检测和自动控制领域中。2.1.3常用电阻器的标志方法电阻器常用的标一般电子元器件的标注应反映出它们的种类、材料及主要电气参数。 注方法有直标法、文字符号法和色标法三种。1 .直标法把元件的主要参数直接印制在元件的表面上，这种方法主要用于功率比较大的电阻。 第二章常用电子元器件31如电阻表面上印有 RXYC-50

8、-T-1k5- ± 10%，其含义是耐潮被釉线绕可调电阻器，额定功 率为50W，阻值为1.5k0，允许误差为± 10%。2 .文字符号法传统的电阻器文字符号标注是将电阻器的阻值、精度、功率、材料等用文字符号在电 阻体上表示出来。如阻值单位用 d 9、MO表示，精度用等级J (± 5%)、K (± 10 %)、 M (± 20%),电阻器的材料可通过外表的颜色予以区别等。随着电子元件的不断小型化，特别是表面安装元器件(SMC和SMD )的制造工艺不断进步，使得电阻器的体积越来越小，其元件表面上标注的文字符号也作出了相应改革。 一般仅用三位数字标注

9、电阻器的数值，精度等级不再表示出来(一般小于±5%)。具体规定如下：(1)(2)元件表面涂以黑颜色表示电阻器。电阻器的基本标注单位是欧姆( Q),其数值大小用三位数字标注。对于十个基本标注单位以上的电阻器，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。如100表示其阻值为10X 10°= 1险；223表示其阻值为22 X 103=22k0。(4)对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母“ R”表示小数点。如3R9表示其阻值为3监。图2.1.2两种色环电阻的标注图精度倍率第三位数 第二位数 第一位数(3)例如标有蓝、灰、橙、

10、金四环标注的电阻，其阻值大小为：68 X 103= 680000（ 68k0）, 允许偏差为± 5%。标有棕、黑、绿、棕、棕五环标注的电阻，其阻值大小为：105 X 101=10500 （1.05k0），允许偏差为± 1 %。表2-3色码标注各位色环代表的意义颜色有效数字倍率（乘数）允许偏差黑0100棕1101± 1红2102± 2橙3103黄4104绿5105± 0.5蓝6106± 0.25紫7107± 0.1灰8108白9109金10-1± 5银10-2± 10无色± 20(%)2.1.4电

11、阻器的正确选用在选择电阻器的阻值时，应根据设计电路时理论计算电阻值，在最靠近标称值系列中 选用。普通电阻器（不包括精密电阻器）阻值标称系列值见表2-4，实际电阻器的阻值是表中的数值乘以10n （n为整数）。表2-4电阻器阻值标称系列值允许偏差（）± 5%± 10%± 20%阻值(C1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.11.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.21.

12、0、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8根据理论计算电阻器在电路中消耗的功率，合理选择电阻器的额定功率。一般按额定 功率是实际功率的1.53倍之间选定。普通电阻器额定功率标称系列值见表 2-5。根据电路的具体要求。适当选用电阻器的类型。如在哪些稳定性、耐热性、可靠性要 求比较高的电路中，应选用金属膜或金属氧化膜电阻；对于要求功率大、耐热性能好，工 作频率要求不高，可选用线绕电阻；对于无特殊要求的一般电路，可使用碳膜电阻器，以 降低成本。表2-5电阻器额定功率标称系列值电阻器类型额定功率(W)线绕电阻器0.05、0.125、0.25、0.5、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、

13、100、150、250、 500非线绕电阻器0.05、0.125、0.25、0.5、1、2、5、10、25、50、100例：由发光二极管组成的电路如图2.1.3所示。设流过发光二极管的正向电流If=15mA，发光二极管的正向压降约 1.95V，试选定限流电阻 R。IfLEDVcc12V图2.1.3发光二极管组成的电路Vcc -Vf 12 V -1.95Vc15mA解：计算电阻R理论值。R= =一67001 F根据表2-4,实际选择电阻值 R=680Q电阻器实际消耗的功率P止|：R =(15x10')2 X680止0.15(W)实际选用电阻器的额定功率为0.25W。由于该电阻器不必要使用

14、高精度，温度特性也不必特别考虑，故可选用一般碳膜电阻器即可。2.2电位器电位器是一种可调电阻，也是电子电路中用途最广泛的元器件之一。它对外有三个引出端，其中两个为固定端，另一个是中心抽头。转动或调节电位器转动轴，其中心抽头与 固定端之间的电阻将发生变化。常见的电位器外形图如图2.2.1所示。1：|出电忖.3»图2.2.1常用电位器外形图2.2.1电位器的性能指标电位器与电阻器的性能指标含义在标称阻值、允许偏差、额定功率等方面是一致的, 除此之外还有如下指标。1.阻值变化规律阻值变化规律是指电位器旋转角度（或行程）与作为分压器使用时输出电压的关系。 常见电位器的阻值变化规律有线性变化型

15、、指数变化型、对数变化型。2 .滑动噪声当电刷在电阻体上滑动时， 电位器中心端与固定端之间的电压出现无规则的起伏，这 种现象称为电位器的滑动噪声。它是由材料电阻率分布的不均匀以及电刷滑动时接触电阻 的无规律变化引起的。3 .分辨力对输出量可实现的最精细的调节能力。线绕电位器的分辨力较差。4 .极限电压电位器在短时间内能承受的最高电压。5.机械耐久性通常以旋转（或滑动）多少次为标志，是表示电位器使用寿命的指标。2.2.2几种常用电位器型号与规格1 .有机实芯电位器由导电材料与有机填料、热固性树脂配制成电阻粉，经过热压，在基座上形成实芯电 阻体。该电位器的特点是结构简单、耐高温、体积小、寿命长、可

16、靠性高，广泛用于焊接 在电路板上作微调使用；缺点是耐压低、噪声大。几种常用的有机实芯电位器性能指标见 表2-6所示。表2-6常用有机实芯电位器的性能指标型号特征主尺寸安装形式阻值特性额定功率阻值范围WS-1X0.5W100 0 4.7mOWS-2普通单圈© 12.7mm单孔轴套D,Z0.25W1kf3 1MfJWS16-4普通单圈© 17mm支架卧式XD,Z0.5W0.25W100° 2.2MQ1kfJ-1MQWS19-3同轴双连© 18mm防转轴套X1W100° 4.7Mr>WS19-4D,Z0.5W1kC 470kQWSW3-3单圈微

17、调© 7.5mm引线立式0.25W1001KQWS23单圈微调© 12.7mm引线立式0.5W1000 1KQWS24单圈微调© 12.7mm引线卧式0.25W100C 1KQ2 .线绕电位器2-7。用合金电阻丝在绝缘骨架上绕制成电阻体，中心抽头的簧片在电阻丝上滑动。线绕电 位器用途广泛，可制成普通型、精密型和微调型电位器，且额定功率做的比较大、电阻的 温度系数小、噪声低、耐压高。常用的线绕电位器性能指标见表表2-7常用线绕电位器的性能指标型号特征主尺寸安装形式额定功率阻值范围WX2普通单圈© 18mm防转轴套1W27。15kQWX3普通单圈©

18、23mm防转轴套3W27。15kQWXX0.25-1单圈微调© 9mm立式0.25W47。4.7kQWXX0.25-2单圈微调© 9mm轴套0.25W47。4.7kQWXX0.25-3单圈微调© 9mm引线卧式0.25W47。4.7kQWXD910圈单联© 12mm轴套压板0.5W22。27kQ3 .合成膜电位器2-8。在绝缘基体上涂敷一层合成碳膜， 经加温聚合后形成碳膜片， 再与其他零件组合而成。 这类电位器的阻值变化连续、分辨率高、阻值范围宽、成本低。但对温度和湿度的适应性 差，使用寿命短。常用合成膜电位器的性能指标见表表2-8常用合成膜电位器的性能

19、指标型号额定功率（W）阻值特性阻值范围（Q）精度最大工作电压（V）WH1182X470 Q4.7MQ± 20%5001D, Z4.7k Q 2.2MQ400WH50.5X470 Q4.7MQ± 20%2000.25D,Z4.7kQ2.2 MQ150WH190.25X1kQ2.2 MQ± 20%2000.1D,Z4.7k Q 470k Q160WH230.5X1kQ1 MQ± 20%1500.25D,Z4.7kQ100k Q100WH1440.25X220 Q- 2.2 MQ± 20%350WH1670.1470 Q 4.7 MQ± 2

20、0%1004 .多圈电位器多圈电位器属于精密电位器。它分有带指针、不带指针等形式，调整圈数有5圈、10圈等数种。该电位器除具有线绕电位器的相同特点外，还具有线性优良，能进行精细调整 等优点，可广泛应用于对电阻实行精密调整的场合。2.3 电容器电容器在各类电子线路中是一种必不可少的重要元件。电容器是储能元件，当两端加上电压以后，极板间的电介质在电场的作用下将被极化。在极化状态下的介质两边，可以 储存一定量的电荷，储存电荷的能力用电容量表示。电容量的基本单位是法拉（F），常用单位是微法（两）和皮法（pF ）。2.3.1电容器的型号和标志方法电容器的型号由四部分组成。 第一个字母C表示电容器，第二部

21、分表示介质材料， 第 三部分表示结构类型的特征，第四部分为序号。见表2-9。常见的电容器外形图如图 2.3.1所示。第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征分类符号意义符号意义符号意义瓷介云母有机电解C电容器C瓷介1圆片非密封非密封箔式Y云母2管形非密封非密封箔式I玻璃釉3叠片密封密封烧结粉液体O玻璃膜4独石密封密封烧结粉固体Z纸介5穿心穿心J金属化纸6支柱管无极性B聚苯乙烯7L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸酯G高功率H复合介质D铝AN铌W微调G合金T钛E其他材料表2-9电容器型号的命名第四部分：序号数字对主称、材料特 征相同，仅尺寸、 性能指标略有差 别，但基本上不 影响互换的

22、产品 给同一序号。若 尺寸、性能指标 的差别已明显影 响互换时，则在 序号后面用大写 字母作为区别代号予以区别。电容器容量表示方法一般有直接表示法、数码表示法和色码表示法。具体描述如下:1.直接表示法通常是用表示数量的字母m (10-3)、卩(10-6)、n (10-9)和P (10-12)加上数字组合表示。例如 4n7 表示 4.7X 10-9F=4700pF,47n 表示 47X 10-乍=47000pF=0.047PF,6p8 表示 6.8pF。另外，有时在数字前冠以R,如R33，表示0.33PF;有时用大于1的四位数字表示，单位为pF,如 2200表示为2200pF;有时用小于1的数字

23、表示，单位为PF,如0.22为0.22舛。瓷片电容棉纸介电容胖6 W十1邮电解电容器图2.3.1常用电容器外形图2 数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，后一位表示位率，即乘以10i, i是第三位数字。若第三位数字为9，则乘以10-1。如223代表22 X 103pF=22000pF= 0.022PF，又如479代表47X 10-1 pF= 4.7pF。这种表示法最为常见。3 色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线侧排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。2.3.2电容器的主要参数1 标

24、称容量及偏差电容量是电容器的基本参数，其数值标注在电容器表面上。不同类型的电容器有不同 系列的容量标称值。电容器的容量偏差等级有多种，一般偏差都在+5%以上，最大的可达-10% +100%。2 .额定电压能够保证长期工作而不致击穿电容器的最大电压称为电容器的额定工作电压。额定电压系列随电容器种类不同而有所不同，例如，纸介和瓷介电容器的额定电压可从几十伏到 几万伏；电解电容器的额定电压可从几伏到1000V。额定电压的数值通常都在电容器上标出。3 电容温度系数电容温度系数定义式为:3右存100%其中C为标称电容量，巻为温度变化所引起的容量相对变化。4 .绝缘电阻有时理想电容器的介质应当是不导电的绝

25、缘体，实际电容器介质的电阻为绝缘电阻, 亦称为漏电阻。5损耗角正切实际在电容器两端加交流电压时要产生功率损耗。产生损耗的原因是由电容器绝缘电阻造成的。一般用电容器损耗功率（有功功率）与电容器存储功率（无功功率）之比来表 示，定义为损耗角正切 tgS。2.3.3 常用电容器1 瓷介电容器瓷介电容器的主要特点是介质损耗较低，电容量对温度、频率、电压和时间的稳定性 都比较高，且价格低廉，应用极为广泛。瓷介电容器可分为低压小功率和高压大功率两种。 常见的低压小功率电容器有瓷片、瓷管、瓷介独石电容器，主要用于高频电路、低频电路 中。高压大功率瓷片电容器可制成鼓形、瓶形、板形等形式。主要用于电力系统的功率

26、因 数补偿、直流功率变换等电路中。2 云母电容器云母电容器以云母为介质，多层并联而构成。它具有优良的电器性能和机械性能，具 有耐压范围宽、可靠性高、性能稳定、容量精度高等优点，可广泛用于高温、高频、脉冲、 高稳定性的电路中。但云母电容器的生产工艺复杂，成本高、体积大、容量有限，这使它 的使用范围受到了限制。3 .有机薄膜电容器表2-10列出了几种常用的有机薄膜电容器的性能。最常见有涤纶电容器和聚丙烯电 容器。涤纶电容器的体积小，容量范围大，耐热、耐潮性能好。表2-10几种有机薄膜介质电容器的性能名称容量范围允许误差（%）损耗角正切值（tg S %）额定电压绝缘电阻（a聚苯乙烯电容10p F 1

27、(1F± 0.1± 200.01 0.0550 1kV1011聚丙烯电容0.001 0.1(1F± 2± 200.01 0.150 1kV1011聚四氟乙烯电容510 pF 0.1(1F± 5± 200.0020.0052501kV1012涤纶电容510 pF 5H± 5± 200.3 0.735 1kV聚碳酸脂电容510 pF 5H± 5± 200.08 0.1550250V4 .电解电容器电解电容器的介质是很薄的氧化膜，容量可做得很大，一般标称容量14F10000舛。电解电容有正极和负极之分

28、，使用中应保证正极电位高于负极电位；否则电解电容器的漏电流增大，导致电容器过热损坏，甚至炸裂。5 年）。电解电容器的损耗比较大，性能受温度影响比较大，高频性能差。电解电容器的品种 主要有铝电解电容器、钽电解电容器和铌电解电容器。铝电解电容器价格便宜，容量可以 做的比较大，但性能较差，寿命短（存储寿命小于5年）。一般使用在要求不高的去耦、耦合和电源滤波电路中。后两者电解电容的性能要优于铝电解电容器，主要用于温度变化 范围大，对频率特性要求高，对产品稳定性、可靠性要求严格的电路中。但这两种电容器 的价格较高。2.3.4电容器的正确选用电容器的种类繁多，性能各异，合理选用电容器对于产品设计十分重要。

29、在具体选用 电容器时，应注意如下问题：根据电路要求选择合适的电容器型号。一般的耦合、旁路，可选用纸介电容器；在高 频电路中，应选用云母和瓷介电容器；在电源滤波和退耦电路中，应选用电解电容器。固定在设计电子电路中选用电容器时，应根据产品手册在电容器标称值系列中选用。 电容器的标称系列值见表 2-11。表2-11电容器标称电容值E24E12E6E24E12E61.01.01.03.33.33.31.13.61.21.23.93.91.34.31.51.51.54.74.74.71.65.11.81.85.65.62.06.22.22.22.26.86.86.82.47.52.72.78.28.23

30、.09.1注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。电容器的额定电压。选用电容器应符合标准系列，电容器的额定电压应高于电容器两 端实际电压的12倍。尤其对于电解电容器，一般应使线路的实际电压相当于所选额定 电压的50%70%，这样才能充分发挥电解电容器的作用；若实际工作电压低于其额定电 压的一半，反而容易使电解电容器的损耗增大。电容器的精度等级。对于某些电子电路需要要求高精度的电容器，例如时间控制等； 而对于大多电路，一般允许电容器的容量有比较大的偏差，这时就没有必要选择高精度的 电容器，这样可以降低电路成本。电容器的损耗角正切值（tg 5 ）。电容器的tgS值相差很大

31、，尤其对高频电路或对信号 相位要求严格的电路， 电容器的tg 5值大小对电路的性能有较大的影响，一般希望tg 5值越小越好。2.4半导体二极管2.4.1半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括整流二极 管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、 发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。常用的半导体二极管的外形图如图2.4.1所示。L £DO图2.4.1半导体二极管外形图2.4.2普通半导体二极管的主要参数1 .反向饱和漏电流Is指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有 关

32、。在常温下，硅管的Is为纳安（10-9A ）级，锗管的Is为微安（10-6A）级。2 .额定整流电流If指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管 的If值可达1000A。3 最大反向工作电压Urm指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的Urm值可达几千伏。4 .最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接 触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。5.反向恢复时间trr指二极管由导通突然反向时， 反向电流由很大衰减到接近 Is时所需要的时间。大功率 开关管工作在高频开关

33、状态时，此项指标至为重要。243几种常用二极管的特点1.整流二极管整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压 比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。例如整流电路、 嵌位电路、保护电路等。整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向 工作电压应大于实际工作中的值。目前常用几种整流二极管的主要参数见表2-12。型号反向峰值电压Vr(V)正向平均电流If(A)反向饱和漏电流1N400150131N4002100131N4003200131N4004400131N4005600151N4006800131N40071000131N5

34、2011002101N52022002101N52033002101N5204400251N52055002101N52066002101N52078002101N52081000210表2-12几种常用整流二极管的主要参数ls（X A）2 .快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长， 约45出，不能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ns。 快速二极管主要包括肖特基二极管和快恢复二极管。肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二

35、极管，其主要特点是正向导通压降小(约0.45V),反向恢复 时间短和开关损耗小。但目前肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A以下，反向恢复时间在 1040ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中，是比较理 想的。快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同 时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元件，高频电路2-13。中的限幅、嵌位等。几种常用的快速二极管参数见表#电子电路设计与实践trr (ns)表2-13几种常用的快速二极管主要参数型号

36、反向峰值电压Vr (V)平均整流电流If (A)反向恢复时间1N58172011N58183011N58194011N49335012001N493520012001N49376001200MUR10550135MUR110100135MUR115150135MUR1202001353 .稳压二极管稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压管的主 要参数有：稳压值 Vz。指当流过稳压管的电流为某一规定值时，稳压管两端的压降。 目前各种型号的稳压管其稳压值在2200V，以供选择。电压温度系数 dVz/dT。稳压管的稳压值Vz的温度系数在Vz低于4V时为负温度系数值；当

37、Vz的值大于7V时，其温 度系数为正值；而Vz的值在6V左右时，其温度系数近似为零。目前低温度系数的稳压管 是由两只稳压管反向串联而成，利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数，可得到很好的温度补偿。 例如2DW7型稳压管是稳压值为± 67V的双向稳压 管。动态电阻rz。表示稳压管稳压性能的优劣，一般工作电流越大，rz越小。允许功耗PZ。由稳压管允许达到的温升决定，小功率稳压管的Pz值为1001000mW,大功率的可达50W。稳定电流Iz。测试稳压管参数时所加的电流。 实际流过稳压管的电流低于 Iz 时仍能稳压，但rz较大。稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度

38、不高、电流变化范围不大的情况下， 可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作 基准电源，也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是噪声系数较高，稳定性 较差。表2-14列出了几种常用稳压管的主要参数。表2-14几种常用稳压管的主要参数型号稳压值Vz (V)允许功耗Pz(W)动态电阻rz(GVz的温度系数1N5226A3.30.528-71N5227A3.60.524-6.51N5229A4.30.522-5.51N5230A4.70.51431N5233A60.573.81N47366.813.551N47377.5145.8(%/C)第二章常用电子元

39、器件35符号1N47388.214.56.21N47409.4 10.6177.51N474211.4 12.7197.71N474413.8 15.61148.21N6024100± 5%0.540015.51N6026120± 5%0.580015.54 .发光二极管（LED ）发光二极管的伏安特性与普通二极管类似，所不同的是当发光二极管正向偏置时，正向电流达到一定值时能发出某种颜色的光。根据在PN结中所掺加的材料不同，发光二极管可发出红、绿、黄、橘及红外光线。在使用发光二极管时应注意两点：一是若用直流电 源电压驱动发光二极管时，在电路中一定要串联限流电阻，以防止通过发

40、光二极管的电流过大而烧坏管子，注意发光二极管的正向导通压降为1.22V（可见光LED为1.22V,红外线LED为1.21.6V）。二是发光二极管的反向击穿电压比较低，一般仅有几伏。因此当用交流电压驱动 LED时，可在LDE两端反极性并联整流二极管，使其反向偏压不超过 0.7V，以便保护发光二极管。2.5半导体三极管2.5.1半导体三极管的分类半导体三极管亦称双极型晶体管， 其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN 型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低 频管用以处理频率在 3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率

41、大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率 管的额定 功耗可达 几十瓦以 上。常见 的半导体 三极管外 型见图2.5.1。图2.5.1半导体三极管外形图2.5.2半导体三极管的主要参数共射电流放大系数3 ° B值一般在20200,它是表征三极管电流放大作用的最主要 的参数。反向击穿电压值U（br）ceo。指基极开路时加在C、e两端电压的最大允许值，一般为几 十伏，高压大功率管可达千伏以上。最大集电极电流IcM。指由于三极管集电极电流Ic过大使3值下降到规定允许值时的 电流（一般指3值下降到2/3正常值时的Ic值）。实际管子在工作时超过IcM并不一定损坏

42、， 但管子的性能将变差。最大管耗PcM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在 实际工作中三极管的Ic与Uce的乘积要小于PcM值，反之则可能烧坏管子。穿透电流IcEO。指在三极管基极电流Ib=0时，流过集电极的电流Ic。它表明基极对集 电极电流失控的程度。小功率硅管的 IcEO约为0.1 PA，锗管的值要比它大1000倍，大功 率硅管的IcEO约为mA数量级。特征频率fT。指三极管的B值下降到1时所对应的工作频率。fT的典型值约在1001000MHz之间，实际工作频率 f V fT。32.5.3半导体器件的命名方法1.中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半

43、导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表 2-15。表2-15国产半导体器件的型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用数字表示 器件序号用汉语拼音字母表示规格号意义符号意义符号意义二极管AN型锗材料P普通管BP型错材料V微波管CN型硅材料W稳压管DP型硅材料C参量管Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光电器件K开关管三极管APNP型错材料X低频小功率管(fT > 3MHz,Pc<1W)BNPN型错材料G高频小功率管(fT > 3MHz,Pc<1W)CPNP型硅材料D低

44、频大功率(fT< 3MHz,Pc> 1W)DNPN型硅材料A高频大功率(fT> 3MHz,Pc> 1W)E化合物材料U光电器件K开关管I可控整流器Y体效应器件B雪崩管J阶跃恢复管CS场效应器件BT半导体特殊器件FH复合管PINPIN型管JG激光器件3例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。2.美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会(EIA )规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。表2-16美国半导体器件型号的命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的 等级用数字表示PN结数目用字母表示材料用数字表示

45、器件登 记序号用字母表示同一器 件的不同档次符 号意义符号意义符号意 义符号意义符号意义J军品1二极管表示不加热即24位数字登记顺A、B、表示器件无非军品2三极管N半导体器件序号C改进型3四极管例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率 NPN型硅管。3 .日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。表2-17日本半导体器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电用字母表示半导体器用拉丁字母表示用23位数字表用拉丁字母表示同一极数目件器件的结构和类型示器件登记顺丿予号种型号器件的改进型符号意义符号意义符号意义0光电器件S半

46、导体器件A咼频PNP型三极管1二极管快速开关三极管2三极管B低频大功率PNP管3有三个PN结C咼频及快速开关的器件NPN三极管D低频大功率NPN管FP控制极可控硅GN控制极可控硅HN基极单结管JP沟道场效应管KN沟道场效应管M双向可控硅例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。4 .欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际2-18。电子联合会的标准。半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表表2-18欧洲半导体器件命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示器件 使用的材料用字母表示器件的类型及主要特性用数字

47、或字母加数字表示登记号用字母表示对同一 型号器件的改进符号意义符号意义符号意义符号意 义符号意义A错材料A检波二极晉、开关二 极管、混频二极管P光敏器件位 数 字代表半导体器 件的登记序号（同一类型器 件使用一个登 记号）ABCDE表示同一 型号的半 导体器件 在某一参 数方面的 分档标志B硅材料B变容二极管Q发光器件C砷化镓C低频小功率三极管R小功率可控硅D锑化铟D低频大功率三极管S小功率开关管R复合材料E隧道二极管T大功率可控硅F高频小功率三极管U大功率开关管一个 字母 二位 数字代表专用半导 体器件的登记 序号（同一类 型器件使用一 个登记号）G复合器件、其他器件X倍增二极管H磁敏二极管

48、Y整流二极管K霍尔器件Z稳压二极管L高频大功率三极管补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性, 或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。常见的后缀有以 下几种。2-19。（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的 允许误差范围。其代表的意义如表表2-19稳压二极管后缀字母的含义符号ABCDE允许误差%±1± 2±5± 10± 20后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母 V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。第二章常用电子元器件47(2) 整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是 9.1V、精度为± 5%的硅稳压二极管；BTX64-200表 示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。2.5.4几种常用半导体三极管的性能1.常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。表2-20常用小功率半导体三极管特性型号极限参数直流参数交流参数类 型Pcm(mW)Icm(mA)V(bR)CEO(V)I CEO (uA)VcE(sat)(V)PfT (MHz)Cob(