PSpice的元器件模型参数解释

1、元件关模型娄型关键宇RESCAPINDCOREI)NPNPNPLPNPNJFPJENMOSPMOSGASFETVSW1TCHISW1TCH元器件模型类型列表元器件类型电阻电容 电感 互感（磁芯） 二极憊NPN双极型晶14管PNP双极型晶体管 横向PNP双扱型晶体管 N沟结型场效应晶体管 F沟结型场效应品体管 N沟MOS场效应晶体管 P沟MOS场效应晶体管 N沟Ga/Xs场效应晶体管 电压控制开关 电流控制开关序号苻号SPICE关谯字名称隐含值单位1举例IhIS饱和电施10一"A2X W,5A2R”RS欧蝎电阻0nion3rtN发射系数1L24r dTT渡越时间0dInsOCi0CJO

2、零傅置结电容0F2pF6VJ结电压1V0. 6V7M电容梯度因子0.50. 338瓦EG禁带宽度:1. HeV1. lleV(硅)0.69eV()0.67eV(®)9AXT】«3和电流温度系数3. 03. 010FCFC址值耗斥电客公式系数0,50. 511BVBV反向击穿电压ooV40V12I ttvIBV反向击穿时电滝10-3AIO"3A13心KF闪烁噪声系数i014AF闪烁噪声特数115ArISR夏合电流参数0A |1X1O-JSA16NRISR的发射系数2L517JkfIKF*注人的“眛点电流”CX2A50mA二极管模型等效电路BJT管模型参数表序号符号S

3、PICE关镌字名称除含備单位举例1hIS饱和电流10-"A10小A2BF正向电流增益100803弘BR反向电流增益1154NF正向电流发射系数115NR反向电流发射系数1165ISE(cUs)B-E结泄漏饱和电流0 1A7ISC(cJs)B-C结泄漏饱和电流0A8IkfIKF正向B大电流下降点OQACh 01A9IKR反向卩大电流下降点XA10 11A1°用ELME| BE结泄酬发射系数1-5211netNC> B-C结泄漏发射系数2212VAVAF正向耿拉电压oo1 V200V13VBVAR反向欧拉电压OQV1200V14RC集电极体电阻0flion15j.RE发射

4、极体电阻0nin16,RB基极体电阻0a1 ion17屜1RBM大电流时最小基极欧姆电81RBaWQ18/1CBIRB基极电阻F降到最小值的1/2时的电流8AI 0. 1A19TF理想正向渡越时间0&Ins202-RTR理想反向渡越时间0s10nsBJT管模型等效电踣6E序号符号SPICE关键字名称隐含值卑位举傅1froVTO零僞阈值电压1-0V1.0V2心KP跨导参数2X107A/V23X 10-5A/V23YGAMMA体材料阈值参数0.0V70. 35V T1gPHI1表面电势0.6 ,V0. 65V5ALAMBDA '沟道长度调制系数:0.0V-30.02V-16to.T

5、()X氧化层厚度1X10"'E1X10 7m7NbNSUB衬底掺杂浓度0.0cm 一，1 X10l5cni38心NSS1表面态密度0.0cm 'lX10'°cnr29NfbNFS快表面态密度0.0cm-2lX10loCtn-z10NrltNEFF总沟道电荷系数1511XjXJ结深0.0mlXlOf12厶LD横向扩散长度0.0m0 8X10'm13TmTPG硅材料类型（硅粉）0（铝播）14UO载流子表面迁移率600cmz/(V s)700cm?/tV s)15aUCRIT迁移率下降时临界电场1X10'V/cm1 X WV/crn16UE

6、XP迂移率下降时临界电场指数0.00. 117UTRA迁移率下降时横向电场系数0-00.518VMAX载流子暈大漂移速度0.0m/s5 X 10*m19§DELTA阑值电压的沟道宽度效应系数0. 11.020XqeXQC漏端沟道电荷分配系数0. 00. 421ETA静态反馈系数6 01.0220THETA迁移率凋制系数0.00.05V L23月FAF闪烁噪声焉数1.0* L 224心KF闪烁噪声条数0.0lXl(r2fl25IS衬底结饱和电瓯1 X10-11A1 X10 F26JSA/毎平方米0.0A/m21 X 10 A/m227PH衬底结电势80V0. 75V28CJ零偏衬底电容

7、/每平方米F/m22X10 *F/m229MJ衬底结电容梯度因干0.50.530gCJSW零偏衬底电容/单位周边长度0,0F /m1 XW-F/m31AfjsviMJSW村底周边电容梯度因子0.330.3332FCFC正偏耗尽电容系数50.533Ccpt：.CGBOGB间覆盖电容/单位沟道宽度0.0F/m2X1034CgdOCGIX)G-D间覆溢电容/单位沟道宽度0*0F，m2X10-nF/m35CGSOG-S间覆盖电容/单位沟道宽度0.0F/m2X10 !,F/m36&RD漏极欧姆电阻0.0Qio. m37RS源极欧姆电阻0.0nio. on38RSH漏源扩散区薄层电阻0.0【30,

8、 on39CBD零偏BD结电容40C'«siCBS零偏&S结电容序号符号SPICE关键字名称隐含值单位举例1V Tf»VTO阈值电压'2V2PBE1A跨导参数1A/V3ALAMBDA沟道长度调制系数0V 14RD蘭极歐拇电阻0Q1 on5RS源极欧喲电睨0nion6CGS零偏GS结电容0FCgimCGD零偏G-D结电容0F8PB锢结内建电勢1V9wM电容梯度因子0330. 3510hISai pn结饱和电流io-34A11FCFC正偏耗尽电容系数0.512加KF闪烁噪声系数013atAF闪烁噪击抬数0结型场效应晶体管模型等效电路序号符号SPICE关犍

9、字名称隐含值单位举例1LEVELPSpice将模型分为三级122VTO夹断（门限）电压2. 5V一 2. 0V3<xALPHA饱和电压参数21/V4BBETA痔导系数0. 1A/V-5bB樓杂尾部延伸系数0. 31/V6ALAMBDA沟道长度询制系数01/V1.0X 10 wv7RRG栅扱欣姆电阻0nion8Rt>RD瞬扱欧姆电阻01 ason9&RS源极欧姆电肌0inson10CgdCGD零僞时栅漏PN结电容0FlpF-cGSCGS零備时棚源FN结电容0F5pF)2C11SCDS漏-源极间电容0F13rGAMMA静态皮馈参数0146DELTA输岀反懂掺数015qQ需定(Power-law)参数21!TAUISNMVB1FCEGXTlVTOTCBETATCETRG1TRI)lTRSlKFAF传导电流延迟时间PN结饱和电流拇PN结发射系数 ttPN结梯度因于PN结的内建电势正偏时