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文档简介
1、材料学专业毕业论文 精品论文 Sol-gel法掺杂导电ZnO薄膜及其低温氮气热处理关键词:气氛处理 温度稳定性 ZnO薄膜 低温氮气热处理 掺杂导电摘要:ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率
2、的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度
3、,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度
4、为550、氮气热处理温度为300。正文内容 ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为
5、溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大;
6、热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池
7、、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用X
8、RD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀
9、,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异
10、的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、
11、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、
12、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制
13、备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导
14、率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制
15、备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电
16、率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加
17、薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛
18、热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为
19、溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大;
20、热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池
21、、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用X
22、RD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀
23、,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异
24、的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、
25、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、
26、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制
27、备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导
28、率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的簿膜则较差; 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄膜的透射率; 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大; 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270/,可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300;溶胶-凝胶方法制
29、备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结
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